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公开(公告)号：CN101533669A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910048823.0
申请日：2009-04-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法，包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变，所述的电阻转变方式均可用于电阻式随机存储器。本发明中的存储结构为多层薄膜结构，包括顶电极、阻变层和底电极。顶电极为活泼金属，阻变层为稀土锰氧化物薄膜，底电极为贵金属或氧化物导电薄膜。通过控制活泼金属顶电极的厚度和施加特殊的电压扫描或脉冲过程实现了单/双电阻转变效应以及双极性电阻转变效应的极性翻转。在同一种存储结构中实现多种电阻转变方式的调控，可发挥多种电阻转变方式的优势，如单极性电阻转变的高转变率，双极性电阻转变的快速度。因此可在同一存储阵列中满足不同的存储要求，有利于其实际应用。
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公开(公告)号：CN101255544A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810034935.6
申请日：2008-03-21
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种简单实用的金属或金属氧化物/碳纳米管纳米复合材料的制备方法。特征在于以预处理后的碳纳米管为基质，采用射频溅射沉积法、脉冲激光沉积法、喷雾裂解法、热蒸发法或水热法中的任一种方法制备Fe、Co、Ni、Cu、Si、Ag、Au、Ti、Zn、Al、Mg、Ta、Pd、Mo、Sn和Pt金属及其氧化物纳米材料，在碳纳米管表面形成金属或金属氧化物纳米颗粒或纳米薄膜。该方法可以得到多种形态的碳纳米管基复合材料，制备简单，成本低，碳纳米管基复合材料具有特别的光、电、磁性，具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN1291453C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN03151096.5
申请日：2003-09-19
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/40
摘要： 本发明涉及用喷雾热解法，通过氮和铟的共掺杂，制备空穴型氧化锌薄膜材料的方法。在本方法中，通过向先驱体溶液中添加适量的含氮和含铟掺杂剂，在不同的材料表面上，经超声雾化热解反应制备空穴型氧化锌薄膜Zn2+∶NH4+∶In3+＝1∶(1-3)∶(0.05-0.2)；所用衬底为单晶硅片、玻璃片或蓝宝石；衬底温度控制在400～600℃。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对空穴型氧化锌薄膜电学性能和载流子浓度的控制，以满足制备氧化锌半导体材料和氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。该法工艺简单易行，成本低廉。
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公开(公告)号：CN112447838A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910827734.X
申请日：2019-09-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及一种基于p型Ni1‑xLixO盖帽层的HEMT器件异质结构及其制备方法和应用，所述基于p型Ni1‑xLixO盖帽层的HEMT器件异质结构包括：AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底，以及外延生长在所述AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底中AlGaN层表面的p型Ni1‑xLixO盖帽层；其中0.05≤x≤0.30。
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公开(公告)号：CN105762197B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201610216788.9
申请日：2016-04-08
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及基于铌镁酸铅钛酸铅单晶的半导体铁电场效应异质结构及其制备方法和应用，所述半导体铁电场效应异质结构包括以铌镁酸铅钛酸铅铁电单晶作为衬底和以形成于所述衬底上的二氧化钛半导体薄膜作为沟道，所述二氧化钛半导体薄膜的化学通式为TiO2‑δ，其中0≤δ≤0.2，优选为0≤δ≤0.1。本发明以具有氧缺陷的纯相二氧化钛薄膜TiO2‑δ为沟道，相较于过渡金属离子掺杂的氧化物半导体薄膜有效地简化了制备过程与制备条件，同时避免了薄膜成分不均匀等不利因素，为铁电场效应异质结构的进一步应用节约了成本。
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公开(公告)号：CN108409318A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810206083.8
申请日：2018-03-13
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/457 , C04B35/622 , C23C14/28 , C23C14/08 , C23C14/58
摘要： 本发明涉及一种禁带宽度可调的锡酸锶钴薄膜的制备方法，使用锡酸锶钴陶瓷作为靶材结合脉冲激光沉积技术制备锡酸锶钴薄膜，制备锡酸锶钴陶瓷包括：按照原子摩尔比Sr：Sn：Co=1：（1-x）：x将锶源、锡源和钴源混合后，在800～1200℃预烧，得到预烧粉体，其中，0＜x＜1；将预烧粉体进行研磨，加入粘结剂，制成坯体；以及述坯体在1000～1400℃下煅烧，得到锡酸锶钴陶瓷。可实现对锡酸锶钴外延薄膜光学透过率和能带带隙宽度的可控调节。
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公开(公告)号：CN107827159A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711124696.9
申请日：2017-11-14
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： C01G41/02 , B82Y40/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C09K9/00
摘要： 本发明涉及一种柠檬酸辅助一步法合成三氧化钨电致变色材料的方法，包括：按照（0.4～1.2）：1的摩尔比将钨源和螯合剂溶于水中，搅拌均匀后，加入形貌控制剂得到混合液，形貌控制剂与钨源的摩尔比为（0～0.1）：1；通过酸调节混合液的pH值在0.5～2之间，得到三氧化钨前驱体溶液；以及将导电玻璃衬底置于三氧化钨前驱体溶液中，于85～95℃在导电玻璃衬底表面生长三氧化钨电致变色纳米材料。该方法具有成本低、易操作、温度要求低等特点。
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公开(公告)号：CN106129243A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610518884.9
申请日：2016-07-04
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： H01L41/183 , H01L41/37
摘要： 本发明涉及一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法，所述氮化镓基铁酸铋铁电薄膜由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体薄膜衬底上的TiO2缓冲层、锰酸锶镧缓冲层以及铁酸铋铁电薄膜层构成。本发明的有益结果是采用LSMO/TiO2双缓冲层，减小了铁酸铋与氮化镓之间的晶格失配度，实现了铁酸铋铁电薄膜在氮化镓半导体薄膜上的外延生长，获得了（111）单一取向的铁酸铋薄膜，实现了铁酸铋铁电薄膜与氮化镓半导体的外延集成。
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