气体扩散电极的制备方法
    81.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103276404A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201310193984.5

    申请日:2013-05-23

    Abstract: 本发明属于一种气体扩散电极及其制备方法,该气体扩散电极由扩散层和催化层两部分组成,扩散层与催化层浆料中采用Texanol酯醇作为浆料增稠剂,去除浆料中的有机溶剂异丙醇,Texanol酯醇用量少且浆料体系为单一水相,在浆料高度分散的同时随着Texanol酯醇的加入量变化浆料的粘度连续可调以利于电极的涂抹,同时降低了电极的制造成本。本发明提供的气体扩散电极在氯碱工业电解过程中,槽电压低,寿命长,适合于氯碱工业中的电解反应。

    氧阴极离子膜电解槽及其安装密封方法

    公开(公告)号:CN102839385A

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201210345942.4

    申请日:2012-09-18

    Abstract: 本发明提供一种氧阴极离子膜电解槽及其安装密封方法,所述的氧阴极离子膜电解槽,其特征在于包括从上到下依次设置有机械固定装置、氧气扩散电极、弹性体垫圈、槽框;氧气扩散电极、弹性体垫圈、槽框的相邻面上都涂覆有底涂层,底涂层上涂覆有粘合剂层,所述的粘合剂层与两侧的底涂层形成粘结层;所述的机械固定装置固定在槽框上并能够对氧气扩散电极和弹性体垫圈有压紧的应力以形成与槽框紧密的密封,在氧气扩散电极、弹性体垫圈以及粘结层裸露于电解液中的部位涂覆有保护涂层。本发明的离子膜电解槽安装方便、生产效率高,能有效地固定氧气扩散电极,密封可靠,耐浓碱腐蚀能力强,可以保证在实际电解生产过程中不发生电解液渗漏。

    一种低载量铂催化气体扩散电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113549956A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110748569.6

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明涉及一种低载量铂催化剂气体扩散电极及其制备方法和应用,用简单的热还原方法制备了低载量Pt/C‑N催化剂,该低载量Pt/C‑N催化剂具有优异的氢氧化活性,使用该低载量Pt/C‑N催化剂制备气体扩散电极可大幅度降低电极成本。将低载量Pt/C‑N催化剂、异丙醇、曲拉通和聚四氟乙烯等原料混合机械搅拌后均匀涂覆在碳布上,经过冷压、烘干、热压过程得到气体扩散电极。该气体扩散电极不包含独立的扩散层,结构和制备工艺均简单,有利于该电极的商业化。以该气体扩散电极为阳极,装于电解槽,以H2SO4+ZnSO4溶液为电解液来电沉积锌时,槽电压低至1.1V,与现有的铅银合金电沉积技术的平均槽电压相比降低可达2.5 V,实际运行降低了61.3%的电能单耗。与现有的气体扩散电极电沉积锌技术相比,本发明在催化剂铂载量降低的情况下,不仅槽电压降低,电能单耗也降低。此外,与现有工艺相比本发明的锌电积技术还减少的电沉积过程中酸雾的产生,且无阳极泥,还能提高锌产品的质量。

    一种Cu掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法

    公开(公告)号:CN110257873B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201910665929.9

    申请日:2019-07-23

    Abstract: 本发明涉及一种Cu掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法,选择氯化铜,氯化亚锡,亚硒酸钠作为铜、锡、硒源,以乙二胺四乙酸二钠作为络合剂,尿素、十二烷基磺酸钠作为添加剂配制电解液,调节镀液pH值为1.5‑5后在室温下进行电沉积得到Cu掺杂SnSe预沉积薄膜,之后将SnSe预沉积薄膜退火,得到Cu掺杂SnSe半导体薄膜。该方法能够制备出无杂相的Cu掺杂SnSe半导体薄膜,薄膜的载流子浓度、迁移率和电导率高,有利于其热电性能的提高。该制备方法可通过电解液成分、沉积工艺和退火方法调控其化学成分和电传输性能,具有可控性强,重复性好的特点,适用于大面积制备。

    一种Ag掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法

    公开(公告)号:CN110257872B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201910665920.8

    申请日:2019-07-23

    Abstract: 本发明涉及一种Ag掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法,选择硝酸银,氯化亚锡,亚硒酸钠作为银、锡、硒源,以乙二胺四乙酸二钠作为络合剂,尿素、十二烷基磺酸钠作为添加剂配制电解液,调节镀液pH值为1.5‑5后在室温下进行电沉积得到Ag掺杂SnSe预沉积薄膜,之后将SnSe预沉积薄膜退火,得到Ag掺杂SnSe半导体薄膜。该方法能够制备出无杂相的Ag掺杂SnSe半导体薄膜,薄膜的载流子浓度、迁移率和电导率高,有利于其热电性能的提高。该制备方法可通过电解液成分、沉积工艺和退火方法调控其化学成分和电传输性能,具有可控性强,重复性好的特点,适用于大面积制备。

    一种基于气体扩散电极电化学制备高铁酸盐的方法及装置

    公开(公告)号:CN111733426A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010759279.7

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 本发明涉及一种基于气体扩散电极电化学制备高铁酸盐的方法及装置,该方法或者装置通过在阳极和阴极之间通以直流电以电解反应的方式生产高铁酸盐,其中阳极为牺牲阳极,高铁酸根离子在阳极产生;阴极为发生氧还原反应的气体扩散电极,氧气在阴极还原成氢氧根离子,电解液为强碱溶液。与传统的方法相比,该方法理论上可降低槽电压1.23V,在同样的电解条件下可大幅度降低耗电。同时将气体扩散电极应用于电解法制备高铁酸盐中,与传统方法相比,阴极没有氢气产生,可以避免传统方法中由于高铁酸根离子被氢气还原所引起的产物产率降低。

    一种铁、氮共掺杂炭氧还原催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109103468A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810959790.4

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 本发明涉及一种铁、氮共掺杂炭氧还原催化剂及其制备方法和应用,制备了一种具有元素梯度分布的Fe/Zn双金属ZIF,将其作为前驱体,热解碳化制备铁、氮共掺杂炭氧还原催化剂,以提高活性位点的利用率、优化孔道结构,进而提升催化活性。本发明制备的铁、氮共掺杂炭氧还原催化剂可高效催化氧气还原反应,表现出优于商业化Pt/C的氧还原催化活性和电化学稳定性。该制备方法简单可控、周期短,且原料储量丰富、成本低,可实现大规模生产。

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