同时具有上下转光的高透非晶氟化物薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN102719252B

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201210193736.6

    申请日:2012-06-12

    CPC classification number: Y02E10/52

    Abstract: 一种同时具有上下转光的高透非晶氟化物薄膜及其制备方法,属于固体发光材料领域。薄膜的材料组成为:YbF3、ErF3,其中ErF3摩尔分数为0.5%~15%。制备方法是在YbF3粉体中加入ErF3粉体,球磨混合,烘干后压片,并用碳包覆的方法在600℃~750℃煅烧6h~8h,烧制成陶瓷靶材;利用电子束沉积方法:以硅片和石英为衬底,在真空条件下,衬底温度为400℃~500℃,靶间距为25cm~32cm,沉积束流为3mA~6mA,沉积时间为15min~90min。非晶薄膜实现上下转换两种机制的结合,有效地把紫外光波段(300nm~400nm)和红外光波段(980nm附近)转换到可见光波段(656nm附近),薄膜透过率均在95%以上,有望应用到太阳能电池提高其光电效率。

    激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法

    公开(公告)号:CN103484823A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201310254474.4

    申请日:2013-06-25

    Abstract: 激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法,属于无机化合物半导体材料的制取与生成领域。本发明步骤:GaN粉体通过掺胶、研磨,通过80目网筛后压片,在560℃煅烧2小时,烧制成粉靶;将清洗烘干后的硅片在离子溅射仪沉积5‐60s,得到表面有厚度约为5‐40nm金膜的衬底;采用以上制备的GaN粉靶和衬底,利用激光脉冲沉积法:反应压强2x10‐3Pa,衬底温度850℃,激光能量380mJ/Pulse,激光频率6Hz,沉积时间为10min‐60min。本发明无任何气体参与反应,在设备腔体中直接反应,生成实心、线形的氮化镓纳米线,生成的纳米线密度均匀,直径变化范围小,定向性好,大部分垂直衬底生长。

    全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜

    公开(公告)号:CN102071399B

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201010570946.3

    申请日:2011-02-23

    Abstract: 本发明公开了全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜及其制备方法,属于薄膜技术领域。该全钙钛矿结构La2/3Sr1/3MnO3/BaTiO3多铁性磁电复合薄膜,沉积于LaAlO3(001)单晶衬底表面,从下至上依次为La2/3Sr1/3MnO3薄膜、BaTiO3铁电薄膜;La2/3Sr1/3MnO3铁磁薄膜厚度为400-800nm,BaTiO3铁电薄膜厚度为400nm。制备方法:利用脉冲激光在LaAlO3的单晶基片上沉积La2/3Sr1/3MnO3薄膜和BaTiO3薄膜,然后在850℃退火。本发明有效地提高La2/3Sr1/3MnO3和BaTiO3的铁磁和铁电性能以及复合薄膜的磁电效应。

    一种制备一维纳米棒状铌酸钾粉体的方法

    公开(公告)号:CN102992403A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210404479.6

    申请日:2012-10-22

    Abstract: 一种制备一维纳米棒状铌酸钾粉体的方法,属于铌酸钾粉体技术领域。按照摩尔比1∶3∶(5~30)称量K2CO3、Nb2O5及熔盐KCl,装入以二氧化锆球为磨介、以无水乙醇为分散介质的尼龙罐中,球磨、烘干;置于氧化铝坩埚中,密封,在600~900℃下煅烧,冷却后,洗涤;然后加入HNO3溶液中,于90℃加热搅拌6~24h,洗涤;置于氧化铝坩埚中,密封在400~550℃下煅烧;与原料K2CO3、熔盐KCl按照摩尔比1∶1∶(5~20)置于氧化铝坩埚中,密封,在600~800℃下煅烧、洗涤、干燥。本发明方法得到的一维KNbO3纳米棒大小均一、分散性好、烧结活性高。

    纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN102569515A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201210002294.2

    申请日:2012-01-05

    CPC classification number: Y02E10/52 Y02P70/521

    Abstract: 纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法属于太阳能电池领域。该薄膜同时具有减反陷光及近红外量子剪裁下转换作用。薄膜的材料组成为:Y2O3、Bi2O3和Yb2O3,其中Bi2O3摩尔分数为0.25~1%,Yb2O3摩尔分数为0.5~5%。制备方法是在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3的粉体,球磨混合,80℃烘干。将烘干后的粉体放置于磨具中,在15MPa下压10分钟,得到直径为2cm,厚度为5mm的圆片,将此圆片在1100℃-1300℃煅烧20-24h,制成陶瓷靶材。;利用激光脉冲沉积方法,以硅片为衬底,通入O2,衬底温度为500~800℃,靶基距为6~8cm,工作气压为3~7Pa,激光能量为200~400mJ/脉冲。该薄膜在紫外光到近红外具有良好的减反陷光作用,且在紫外光激发下能实现高效的近红外量子剪裁下转换发光,有望降低硅太阳电池表面的反射及热化效应,提高电池的光电转换效率。

    一种简易的长效超亲水钼表面的制备方法

    公开(公告)号:CN102517576A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110436093.9

    申请日:2011-12-22

    Abstract: 一种简易的长效超亲水钼表面的制备方法,属于功能材料技术领域。对金属钼分别用甲苯、丙酮、酒精超声清洗,保存酒精中;用质量分数50-60%的HNO3溶液在40-50℃的环境下保持5分钟祛除表面污物与氧化物;然后放入反应溶液中,在150-180℃条件下进行5-24小时水热反应,用去离子水冲洗干净,在100-200℃条件下空气中热处理0.5-1.0小时即可,反应溶液为质量浓度60-68%的HNO3溶液和0.05-0.5M的十二烷基苯磺酸钠溶液按体积比(5-15)∶(40-100)组成的溶液。本发明可以很大程度用来改善其在表面润湿性能,广泛提高钼材料的应用,制备方法工艺简单、易操作、工艺重复性好。

    一种新型可见光光催化剂硫化铟的合成方法

    公开(公告)号:CN102335616A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN201110205646.X

    申请日:2011-07-21

    CPC classification number: Y02W10/37

    Abstract: 一种新型可见光光催化剂硫化铟的合成方法,属于光催化剂的制备技术领域。包括以下步骤:称取四水合氯化铟溶解于去离子水中,加入醋酸调节其pH值为1-3,然后加入硫代乙酰胺溶液,铟离子的浓度为0.025mol/L,其中In和S物质的量的比为1∶4-1∶10;将得到的混合溶液进行恒温加热使之反应,调节温度为80℃,水热反应4-8小时,室温冷却;减压抽滤,洗涤,干燥,得到橙红色硫化铟粉末。本发明方法制备的硫化铟形貌为花球形,比表面积大,大小均匀,所得的硫化铟粉体为立方结构。它作为可见光光催化剂,对有机染料(如甲基橙)有良好的降解效果。

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