仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法

    公开(公告)号:CN108846171A

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201810523411.7

    申请日:2018-05-28

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明公开了一种仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法,包括以下步骤:分别在常温、第一温度、第二温度下对MOSFET进行电学特性测试并记录实际的电学特性曲线,其中第一温度是-40度以下,第二温度是125度以上;根据常温下的电学特性测试结果提取BSIM模型;在所述BSIM模型基础上定义等效温变电阻以及温度补偿因子得到一个初步的子电路模型;根据在常温、所述第一温度、所述第二温度下的电学特性测试结果,调整等效温变电阻以及温度补偿因子的值使得最终的子电路模型仿真的电学特性曲线能够精确地拟合所述实际的电学特性曲线。所述仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法可以实现在更宽的温度区间子电路模型仿真的电学特性曲线更加拟合实际情况。

    针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法

    公开(公告)号:CN108365847A

    公开(公告)日:2018-08-03

    申请号:CN201711483390.2

    申请日:2017-12-29

    IPC分类号: H03M1/14

    摘要: 本发明公开了一种针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法,所述电荷型SAR-ADC包括LSB电容阵列,将LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连,第一补偿电路的另一端接任意恒定电位,第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cd'l并联组成,通过调节第一补偿电路来调节SAR-ADC的非线性误差。LSB电容阵列中单位电容值为Cu,共L位,从低位到高位分别以2倍的关系递增,最高位电容值为2L-1Cu。当LSB电容阵列的总电容值为CLt时,则如下关系式成立:CLt=(2L-1)·Cu+Cdl+Cd'l。所述针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法能达到很高的线性和增益的调节精度,特别适合高精度ADC的设计。

    内置随机数发生器的安全微处理器及安全芯片

    公开(公告)号:CN111767584B

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202010517006.1

    申请日:2020-06-09

    IPC分类号: G06F21/71 G06F7/58

    摘要: 本发明提供一种内置随机数发生器的安全微处理器,属于芯片设计领域。本发明的微处理器应用于安全芯片中,所述安全芯片中配置有用于产生随机数种子的真随机数发生器,所述微处理器包括:安全控制模块,用于对所述微处理器的侧信道攻击进行防护;伪随机数发生器,用于根据所述真随机数发生器产生的随机数种子生成所述安全控制模块所需的随机控制信号。本发明内置伪随机数发生器和安全控制模块,微处理器自身具有对抗侧信道攻击的能力。在进行安全芯片设计时,直接调用微处理器就可以实现微处理器和安全芯片的对抗侧信道攻击功能,降低安全芯片设计的难度,为芯片安全功能的成功率提供保障。