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公开(公告)号：CN112710405B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011461453.6
申请日：2020-12-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01K7/16
摘要： 本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
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公开(公告)号：CN114333943A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111370794.7
申请日：2021-11-18
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 复旦大学
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 本发明实施例提供一种阻变存储器的写操作方法及系统，属于存储技术领域。所述方法包括：获取待写入数据，并基于预设基准时间将所述待写入数据写入到存储器阵列各目标单元中；获取各目标单元的需求写入时间，将需求写入时间大于所述预设基准时间的目标单元确定为检测单元，并执行以下步骤：1)分别进行各检测单元自读取；2)根据自读取的结果确定各检测单元中是否存在存储错误的检测单元，并获取存储错误的检测单元的错误比特位；3)根据所述错误比特位对存储错误的检测单元进行数据重新写入；重复执行步骤1)‑3)，直至确定不存在存储错误的检测单元。本发明方案缩短了整个阻变存储器系统的写入时间，提高了写入效率。
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公开(公告)号：CN108345752B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201810157646.9
申请日：2018-02-24
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/14
摘要： 本发明公开了一种晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法。该方法是在被测试晶圆上选取一个或多个测试单元，所述测试单元包含多个非易失性存储器，将测试机的探针卡接入所述测试单元进行非易失性存储器的寿命特性评估。所述寿命特性评估包括数据保持能力评估和擦写能力评估。所述晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法的测试时间短，效率高，而且可实现大量同测，便于数据收集统计分析。
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公开(公告)号：CN112834890B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
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公开(公告)号：CN113505016A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110771728.4
申请日：2021-07-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江西省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及芯片技术领域，提供一种总线传输故障检测方法、总线系统及芯片。所述总线传输故障检测方法包括：对接收到的地址信号和数据信号中的校验值进行验证；根据校验值验证结果确定地址信号和数据信号的传输故障，所述地址信号和所述数据信号通过基于AHB‑Lite协议的总线传输；对AHB‑Lite协议定义的控制信号进行传输校验，根据传输校验结果确定控制信号的传输故障。本发明的方案能够保证AHB‑Lite总线传输的正确性。
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公开(公告)号：CN113176983B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110720483.2
申请日：2021-06-28
摘要： 本发明涉及CPU技术领域，提供一种程序流监控方法及程序流监控系统、CPU、芯片。所述程序流监控方法包括：通过在程序中设置的监控点对所述程序的程序流的执行信息进行记录，确定所述程序流的执行轨迹；根据记录的所述程序流的执行信息确定所述程序流的预期执行时间；统计所述程序流的实际执行时间；根据所述程序流的实际执行时间与所述程序流的预期执行时间的对比结果确定所述程序流是否按照预期执行。本发明从时间和空间相结合的维度来判断程序流是否按照预期执行，提高程序流监控的准确性，可同时实现对程序流的执行时间和执行轨迹进行监控，增强程序流执行的可靠性。
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公开(公告)号：CN113254083A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110717773.1
申请日：2021-06-28
IPC分类号： G06F9/38
摘要： 本发明涉及处理器领域，提供一种指令处理方法、指令处理系统及处理器、芯片。所述指令处理方法包括：取指级取回指令并缓存；译码级读取取指级缓存的指令并对读取的指令进行译码处理，判断译码后的指令中是否存在IT指令，在确定存在IT指令时对所述IT指令的后续相关联的IT区块指令进行处理；执行级执行译码后的指令，将当前执行结果状态信息反馈到所述译码级。本发明在一时钟周期可以读取多条指令，至少节约一个时钟周期，提高流水线执行效率，从而提高处理器的效率。
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公开(公告)号：CN112649699B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202011455709.2
申请日：2020-12-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01R31/08
摘要： 本发明涉及芯片测试领域，提供一种确定器件故障点的测试方法及装置。所述确定器件故障点的测试方法包括：按时间顺序对器件的介质层施加恒定电压和脉冲电压；监测所述脉冲电压的变化情况，根据所述脉冲电压的变化情况确定所述器件的介质层是否被击穿；在确定所述器件的介质层被击穿这一时刻停止施加所述脉冲电压，根据所述介质层的击穿情况确定所述器件最早发生故障的故障点。本发明在器件介质层被击穿的最早时期，能够立即感知到电压的变化，并立即停止施加电压。此时器件介质层击穿损坏不严重，可根据损坏情况精确定位器件最早发生故障的故障点的位置，从而分析出导致失效的具体原因，促进设计改进和制造工艺改进。
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公开(公告)号：CN109831290B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910069790.1
申请日：2019-01-24
申请人： 上海交通大学 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： H04L9/00
摘要： 一种针对基于CAVE算法认证协议的侧信道分析方法，通过采集cdmaOne的认证协议在移动设备上运行时产生的包含CAVE算法执行信息的功耗曲线，从功耗曲线中解析出CAVE算法执行参数，从而恢复出cdmaOne的认证协议所使用的密钥。本发明利用简单功耗分析和相关性功耗分析作为基础攻击工具，根据CAVE算法结构，构造综合攻击方法，通过该方法恢复cdmaOne认证协议中使用的密钥A‑key。本方法适用于任何使用基于CAVE算法认证协议的密码系统。
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公开(公告)号：CN112834890A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011598468.7
申请日：2020-12-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
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