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公开(公告)号：CN108761236A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810522093.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/003
Abstract: 本发明公开了一种RFID标签在高低温条件下的性能测试系统和测试方法。所述性能测试系统包括：热流罩高低温装置，用于对空气进行加热或制冷；热传导装置，通过第一导管与所述热流罩高低温系统相连接，将所述热流罩高低温系统产生的冷热空气进行传输；以及隔热装置，通过第二导管与所述热传导装置相连接，该隔热装置用于容纳所述RFID标签以对其进行高温或低温性能测试。根据本发明的实施方式的RFID标签在高低温条件下的性能测试系统，可以有效评测高低温环境对RFID标签性能的影响，对生产实践有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN108091561A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711375704.7
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，包括：获取芯片的层厚度信息，层厚度信息包括金属布线层厚度、介质通孔层厚度和阻挡层厚度；根据层厚度信息和刻蚀速率确定第一刻蚀时间，并在预设的刻蚀气体内刻蚀第一阻挡层，第一阻挡层为位于金属布线层外表面侧的阻挡层；利用橡皮磨除金属布线层；在刻蚀气体内刻蚀第二阻挡层，第二阻挡层为位于金属布线层内表面侧的阻挡层。该方法将橡皮作为磨除金属布线层的工具，可以选择性刻蚀铝，避免了过孔现象和边缘效应。
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公开(公告)号：CN107808058A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711089861.1
申请日：2017-11-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种芯片可靠性设计的方法及装置，其中，该方法包括：获取待测器件的电学参数随时间的变化规律，待测器件为待测芯片中的器件；根据变化规律确定相对应的待测器件负荷的边界条件；建立待测器件的状态侦测模型，实时探测待测器件的工作参数；将工作参数与边界条件进行对比，在工作参数超出边界条件相对应的范围时，生成报警信号。该方法可以在芯片设计阶段介入可靠性设计，通过侦测出可靠性薄弱环节，进而改进电路，提高芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN109444547B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201811400959.9
申请日：2018-11-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量方法及装置，RFID芯片阻抗测量方法包括如下步骤：制作二端口微带线电路板，其中，二端口微带线电路板包括直通微带线电路板以及与直通微带线电路板等长度的带被测物的微带线电路板；校准矢量网络分析仪；测试直通微带线电路板的S参数；测试带被测物的微带线电路板的S参数；基于直通微带线电路板的S参数得到针对直通微带线电路板的第一传输矩阵；基于带被测物的微带线电路板的S参数得到针对带被测物的微带线电路板的第二传输矩阵；基于第一传输矩阵以及第二传输矩阵，计算T矩阵；以及基于T矩阵，计算RFID芯片阻抗。本发明的RFID芯片阻抗测量方法的测量结果更精准，且算法相对简单。
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公开(公告)号：CN108922861A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810456357.9
申请日：2018-05-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网河北省电力有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法。该集成电路修补装置包括红外成像定位单元和集成电路修补单元。红外成像定位单元用于对被测的集成电路进行失效点定位。集成电路修补单元用于对所述失效点进行电路修补。所述基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法能够对集成电路无损伤地进行失效点的快速精准定位且能够观察到集成电路的内部结构，提高失效定位成功率以及修补效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113725186B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111288715.8
申请日：2021-11-02
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种芯片焊盘结构、芯片、晶圆及芯片焊盘结构制作方法，属于芯片领域。芯片焊盘结构包括：第一绝缘层，包括沟槽；第一金属层，填充在沟槽中，第一金属层与芯片的内部电路相连接，形成导电通道；第二金属层，形成在第一金属层上，包括芯片与外部器件连接的焊盘区域；第二绝缘层，至少覆盖第二金属层在所述焊盘区域之外的部分以及第一金属层；焊盘区域包括测试焊盘区域和金凸块焊盘区域；金凸块焊盘区域包括多个子焊盘区域。在金凸块焊盘区域上电镀形成的金凸块表面不存在凹坑，同时能够保障金凸块与金凸块焊盘之间的有效接触，降低芯片封装后因为虚焊而导致功能失效的风险。
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公开(公告)号：CN113725186A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111288715.8
申请日：2021-11-02
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种芯片焊盘结构、芯片、晶圆及芯片焊盘结构制作方法，属于芯片领域。芯片焊盘结构包括：第一绝缘层，包括沟槽；第一金属层，填充在沟槽中，第一金属层与芯片的内部电路相连接，形成导电通道；第二金属层，形成在第一金属层上，包括芯片与外部器件连接的焊盘区域；第二绝缘层，至少覆盖第二金属层在所述焊盘区域之外的部分以及第一金属层；焊盘区域包括测试焊盘区域和金凸块焊盘区域；金凸块焊盘区域包括多个子焊盘区域。在金凸块焊盘区域上电镀形成的金凸块表面不存在凹坑，同时能够保障金凸块与金凸块焊盘之间的有效接触，降低芯片封装后因为虚焊而导致功能失效的风险。
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公开(公告)号：CN113363240A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110458966.X
申请日：2021-04-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种芯片金属线及其制作方法、晶圆，属于芯片领域。所述芯片金属线包括第一金属线，所述第一金属线垂直横跨相邻两块芯片之间的划片槽，且所述第一金属线的两个连接端位于同一块芯片内，所述连接端用于连接芯片内的测试电路模块。本申请提供的芯片金属线垂直横跨相邻两块芯片之间的划片槽，保持划片槽内材质组成均匀，使得锯片两面在划片槽内所受的压力一致，不会出现锯片切割歪斜，影响切割质量，同时保证第一金属线被锯片切割开。
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公开(公告)号：CN107564829B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710734193.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN108846171B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810523411.7
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法，包括以下步骤：分别在常温、第一温度、第二温度下对MOSFET进行电学特性测试并记录实际的电学特性曲线，其中第一温度是‑40度以下，第二温度是125度以上；根据常温下的电学特性测试结果提取BSIM模型；在所述BSIM模型基础上定义等效温变电阻以及温度补偿因子得到一个初步的子电路模型；根据在常温、所述第一温度、所述第二温度下的电学特性测试结果，调整等效温变电阻以及温度补偿因子的值使得最终的子电路模型仿真的电学特性曲线能够精确地拟合所述实际的电学特性曲线。所述仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法可以实现在更宽的温度区间子电路模型仿真的电学特性曲线更加拟合实际情况。
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