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公开(公告)号：CN114499518A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111617753.3
申请日：2021-12-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请公开一种校正方法、模数转换器和电路结构。校正方法包括：利用第一模数转换器转换模拟输入信号以得到第一M位码值；在第一M位码值中加入扰动以得到第二M位码值；分别将第一M位码值和第二M位码值加载至第二模数转换器并分别转换模拟输入信号以得到第一N位码值和第二N位码值；根据电容权重关系分别处理第一N位码值和第二N位码值以得到第一输出码值和第二输出码值；在第一输出码值和第二输出码值的输出差值大于预设误差时，校正电容权重关系以得到更新权重。本申请在第一M位码值中加入扰动，使第二模数转换器对同一模拟输入信号产生两组输出码值，根据两组输出码值可以对电容权重关系进行校正，从而减小系统误差，保证系统的线性度。
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公开(公告)号：CN112329025B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202011296994.8
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种电力终端旁路安全分析方法及系统，属于电力终端安全技术领域。所述方法包括：S1)选择攻击算法中间值集中的某一个中间值，并根据所选择的中间值测量攻击对象进行解密和/或加密不同数据时的能量消耗曲线，获得不同数据被加密和/或解密时对应的能量消耗曲线矩阵；S2)计算不同数据和不同假设密钥的假设中间值，获得假设中间值矩阵；S3)将假设中间值矩阵映射为不同假设密钥的假设能量消耗值矩阵；S4)通过对比每一假设密钥的假设能量消耗值矩阵和能量消耗曲线矩阵，获得最优密钥；S5)恢复所述最优密钥并判断所述最优密钥是否为正确密钥。本方法能够提高电力终端旁路攻击方法的泄漏密钥的发现效率以及发现准确率。
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公开(公告)号：CN113986348A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111080668.8
申请日：2021-09-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心) , 国家电网有限公司
IPC: G06F9/30
Abstract: 本发明公开了一种数据压栈方法、装置、芯片及存储介质。其中，数据压栈方法包括：在压栈动作发生时，若存在未完成更新的上下文数据，则跳过未完成更新的上下文数据，并在其它上下文数据全部或部分压栈完成后再压栈未完成更新的上下文数据；若未存在未完成更新的上下文数据，则按序压栈所有上下文数据。由此，在存在未完成更新的上下文数据时，能够使得数据压栈和数据更新并行，减小或消除等待数据更新的时间，从而提高中断响应的实时性。
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公开(公告)号：CN112486242B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202011230892.6
申请日：2020-11-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种基于基准源的电流温度系数控制电路，包括：零温度系数电压生成模块，用于生成零温度系数电压；可调温度系数电流生成模块，包括第三电阻R3、第七PMOS管MP7以及第六PMOS管MP6，用于在所述零温度系数电压稳定的情况下，通过所述第七PMOS管MP7的正温度系数电流与所述第六PMOS管MP6的负温度系数电流之和，得到可调温度系数的参考电流，所述参考电流的可调温度系数通过调节施加有负温度系数电流的所述第三电阻R3的阻值得到。本发明实施例在保证基准源中零温度系数电压特性稳定的前提下，实现基准源中电流温度系数的调节。
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公开(公告)号：CN113505016A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110771728.4
申请日：2021-07-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江西省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，提供一种总线传输故障检测方法、总线系统及芯片。所述总线传输故障检测方法包括：对接收到的地址信号和数据信号中的校验值进行验证；根据校验值验证结果确定地址信号和数据信号的传输故障，所述地址信号和所述数据信号通过基于AHB‑Lite协议的总线传输；对AHB‑Lite协议定义的控制信号进行传输校验，根据传输校验结果确定控制信号的传输故障。本发明的方案能够保证AHB‑Lite总线传输的正确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113176983B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110720483.2
申请日：2021-06-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心) , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及CPU技术领域，提供一种程序流监控方法及程序流监控系统、CPU、芯片。所述程序流监控方法包括：通过在程序中设置的监控点对所述程序的程序流的执行信息进行记录，确定所述程序流的执行轨迹；根据记录的所述程序流的执行信息确定所述程序流的预期执行时间；统计所述程序流的实际执行时间；根据所述程序流的实际执行时间与所述程序流的预期执行时间的对比结果确定所述程序流是否按照预期执行。本发明从时间和空间相结合的维度来判断程序流是否按照预期执行，提高程序流监控的准确性，可同时实现对程序流的执行时间和执行轨迹进行监控，增强程序流执行的可靠性。
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公开(公告)号：CN113254083A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110717773.1
申请日：2021-06-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心) , 国家电网有限公司
IPC: G06F9/38
Abstract: 本发明涉及处理器领域，提供一种指令处理方法、指令处理系统及处理器、芯片。所述指令处理方法包括：取指级取回指令并缓存；译码级读取取指级缓存的指令并对读取的指令进行译码处理，判断译码后的指令中是否存在IT指令，在确定存在IT指令时对所述IT指令的后续相关联的IT区块指令进行处理；执行级执行译码后的指令，将当前执行结果状态信息反馈到所述译码级。本发明在一时钟周期可以读取多条指令，至少节约一个时钟周期，提高流水线执行效率，从而提高处理器的效率。
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公开(公告)号：CN112289852B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011471670.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
Inventor： 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
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公开(公告)号：CN112329025A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011296994.8
申请日：2020-11-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种电力终端旁路安全分析方法及系统，属于电力终端安全技术领域。所述方法包括：S1)选择攻击算法中间值集中的某一个中间值，并根据所选择的中间值测量攻击对象进行解密和/或加密不同数据时的能量消耗曲线，获得不同数据被加密和/或解密时对应的能量消耗曲线矩阵；S2)计算不同数据和不同假设密钥的假设中间值，获得假设中间值矩阵；S3)将假设中间值矩阵映射为不同假设密钥的假设能量消耗值矩阵；S4)通过对比每一假设密钥的假设能量消耗值矩阵和能量消耗曲线矩阵，获得最优密钥；S5)恢复所述最优密钥并判断所述最优密钥是否为正确密钥。本方法能够提高电力终端旁路攻击方法的泄漏密钥的发现效率以及发现准确率。
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公开(公告)号：CN112289852A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011471670.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
Inventor： 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
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