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公开(公告)号：CN111999279B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010707325.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种基于小球阵列的柔性SERS基底及其制备方法，所述制备方法包括将形成在硬质基底表面的小球阵列完全埋入进柔性基底中，经软硬分离得到带有小球阵列的柔性基底，再通过去除部分所述柔性基底使得小球阵列从所述柔性基底表面暴露出来，在暴露出来的小球阵列的顶部区域沉积SERS活性层。本发明的方法制备工艺简单、快速、可控性与重复性好，无需传统光刻、电子束光刻、纳米压印等昂贵的微纳加工技术，无需对小球排布的层数进行控制，制备出的柔性SERS基底面积大(可达晶圆级)、成本低、均匀性好、抗弯折性能优，在高灵敏度柔性表面增强拉散射检测领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN113285349A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110566858.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微环激光器阵列及其制作方法，所述微环激光器阵列包括：绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括：相对设置的第一层硅材料和第二层硅材料，以及位于两层硅材料之间的第一二氧化硅层；设置在所述绝缘体上硅上的多个激光输出单元；所述激光输出单元包括：微环腔激光器以及波导；所述微环腔激光器具有用于出射激光的有源区；所述微环腔激光器的尺寸不同，以出射不同波长的激光；所述绝缘体上硅具有多个露出第一表面的器件区；所述器件区不交叠，用于设置所述微环腔激光器，所述微环腔激光器与所述器件区一一对应；所述第二层硅材料包括多个相互独立的所述波导。本方案通过径向耦合锥形硅波导结构，可以实现激光的定向输出。
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公开(公告)号：CN112531068A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011410152.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232
Abstract: 本发明涉及一种集成微透镜结构的雪崩光电二极管，包括：集成微透镜结构的衬底层和多台面的雪崩光电二极管；所述衬底层的第一表面刻蚀为微透镜结构，所述衬底层的第二表面刻蚀有P型接触层，所述P型接触层表面设有P型电极；所述多台面的雪崩光电二极管位于所述衬底层上方，从下至上依次分布吸收层、P型场控制层、倍增层、N型场控制层、边缘场缓冲层、N型接触层和N型电极。该雪崩光电二极管具有光利用率高，带宽高，灵敏度高、传输距离长的优点。
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公开(公告)号：CN107992659B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201711189391.6
申请日：2017-11-24
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F30/367 , H01L33/00 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供一种超辐射发光二极管的优化方法，包括：S1，基于分数维度电子态系理论，根据超辐射发光二极管有源区厚度、导带准费米能级和价带准费米能级，获取其有源区载流子联系分谱密度CSD曲线、载流子联系浓度和载流子联系谱效因子；载流子联系谱效因子为CSD曲线峰值平方与载流子联系浓度之比；S2，调节有源区厚度、导带准费米能级和价带准费米能级，获取有源区优化厚度，即CSD曲线呈单峰状时载流子联系谱效因子和CSD曲线的‑3dB带宽的乘积的最大值对应的有源区厚度；S3，基于有源区优化厚度设计超辐射发光二极管。本发明提供的方法，通过优化有源区厚度增大了功率带宽乘积，有效地提高了超辐射发光二极管的综合性能。
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公开(公告)号：CN109873296A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910234625.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜，并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数，第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜，可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率，同时可以减少相应的材料应力和串联电阻，在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106480498B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610888922.X
申请日：2016-10-12
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。本发明在单晶硅衬底上制作种子层、位错阻挡层和激光器材料。所述的种子层包括GaAs低温成核层和GaAs高温缓冲层；位错阻挡层包括纳米尺寸图形掩膜和GaAs侧向外延层；激光器材料包括n型欧姆接触层、n型限制层、下波导层、量子点有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。本发明通过图形衬底对穿透位错的阻挡作用，能有效地降低GaAs外延层的位错密度，提高GaAs外延层的晶体质量，进而提高量子点激光器性能和质量。本发明能够大面积、高重复性、均匀地完成材料生长和制备，更加符合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN105088181B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201410221660.2
申请日：2014-05-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温缓冲层上制作应变超晶格结构；在所述应变超晶格结构上制作n型欧姆接触层；在所述n型欧姆接触层上制作n型限制层；在所述n型限制层上制作下波导层；在所述下波导层上制作多层量子点有源区；在所述多层量子点有源区上制作上波导层；在所述上波导层上制作p型限制层；在所述p型限制层上制作p型欧姆接触层。本发明能够大面积、均匀快速、高重复性地完成材料生长和制备，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN105589130A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410641817.7
申请日：2014-11-13
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种功分器、波分器和偏振分束器及其设计方法，该方法包括：获取二维光栅块的周期和占空比；通过调整所述二维光栅块的周期和占空比，对入射波进行不同形式的分配。该方法通过光波偏转原理、一维条形光栅汇聚原理及二维阵列光栅块汇聚原理，实现了对入射波的功率进行任意比分配、对不同波长的入射波按照波长的不同进行空间上的分离、或，对TE和TM混合入射波进行空间上偏振态的分离，该方法计算简单，实现方便，成本较低。
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公开(公告)号：CN105185862A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510319023.3
申请日：2015-06-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/105 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种具有汇聚增强功能的蘑菇型高速光探测器及其制备方法，涉及光电子技术领域。所述蘑菇型高速光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、非周期亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及n型接触电极和p型接触电极。所述制备方法包括刻蚀形成非周期亚波长光栅；外延生长Ⅲ-Ⅴ族PIN光探测器外延片；采用键合工艺混合集成光探测器外延片和非周期亚波长光栅；最后通过选择性刻蚀工艺实现蘑菇型台面结构。本发明能够广泛用于光通信及光信号处理等领域，具有易于集成、高量子效率、高频率响应带宽等特点；同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
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公开(公告)号：CN105088181A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410221660.2
申请日：2014-05-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温缓冲层上制作应变超晶格结构；在所述应变超晶格结构上制作n型欧姆接触层；在所述n型欧姆接触层上制作n型限制层；在所述n型限制层上制作下波导层；在所述下波导层上制作多层量子点有源区；在所述多层量子点有源区上制作上波导层；在所述上波导层上制作p型限制层；在所述p型限制层上制作p型欧姆接触层。本发明能够大面积、均匀快速、高重复性地完成材料生长和制备，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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