-
公开(公告)号：CN100427430C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510032658.1
申请日：2005-01-04
Applicant: 华南理工大学
Inventor： 卢振亚
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种低电压非线性片式电容器用介质陶瓷材料的制备方法，包括：(1)制备作为第三副成分的玻璃态物料，其化学成分为SrO，CaO，BaO，B2O3，SiO2之摩尔比＝0.5∶0.5∶0.2～0.5∶1.0～2.0∶0.5～1.0；(2)制备主成分，其化学表达式为：(Ca1-x-ySrxBay)(Ti1-zZrz)O3，其中，x＝0.15～0.19，y＝0.14～0.18，z＝0～0.04；(3)将主成分、第一副成分(MgO：0.8～1.5mol%，MnO2：0.1～0.2mol%)、第二副成分(稀土氧化物Re2O3：0.4～1.5mol%)以及第三副成分混合均匀即得到本发明介质陶瓷材料。采用该介质陶瓷材料制造镍内电极片式陶瓷电容器具有很低的电容量电压非线性。
-
公开(公告)号：CN100412029C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610123901.5
申请日：2006-11-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/453 , H01C7/108 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌基高电位梯度压敏陶瓷材料及其制备方法与应用。该压敏陶瓷材料的组成为：100mol份ZnO为主成分，第一副成分为Bi2O3、Co2O3、MnO2、Cr2O3、Ni2O3，各0.5～1.2mol份，第二副成分为Sb2O3，0.8～1.5mol份；第三副成分为Ho2O3和/或Er2O3，0.2～1.2mol份；第四副成分为Al2O3，0.002～0.005mol份。制备时先将各成分混合制成喷雾料浆；再喷雾干燥造粒；干压成型后烧结。制备的压敏陶瓷材料电位梯度为300～500V/mm，非线性系数大于50，脉冲冲击耐受能力强，可用于电力避雷器或其他电力电子线路的防雷过压保护。
-
公开(公告)号：CN1654420A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510032658.1
申请日：2005-01-04
Applicant: 华南理工大学
Inventor： 卢振亚
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种低电压非线性片式电容器用介质陶瓷材料的制备方法，包括：(1)制备作为第三副成分的玻璃态物料，其化学成分为：SrO，CaO，BaO，B2O3，SiO2之摩尔比＝0.5∶0.5∶0.2～0.5∶1.0～2.0∶0.5～1.0；(2)制备主成分，其化学表达式为：(Ca1－x－ySrxBay)(Ti1－zZrz)O3，其中，x＝0.15～0.19，y＝0.14～0.18，z＝0～0.04；(3)将主成分、第一副成分(MgO：0.8～1.5mol％，MnO2：0.1～0.2mol％)、第二副成分(稀土氧化物Re2O3：0.4～1.5mol％)以及第三副成分混合均匀即得到本发明介质陶瓷材料。采用该介质陶瓷材料制造镍内电极片式陶瓷电容器具有很低的电容量电压非线性。
-
公开(公告)号：CN118290144A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410414007.1
申请日：2024-04-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种低温烧结SnO2基压敏陶瓷材料及其制备方法。该材料由SnO2，Zn2SnO4和B4C粉料组成，所述SnO2粉料和Zn2SnO4粉料的摩尔比为1:(0.2～0.5)，B4C粉料的摩尔添加量为SnO2粉料和Zn2SnO4粉料之和的0.05～0.3％。通过传统陶瓷制备工艺，即可获得一种低温烧结SnO2基压敏陶瓷材料。本发明制备的低温烧结的SnO2基压敏陶瓷材料，与现有SnO2基压敏陶瓷相比，所需要的烧结温度更低，电性能更优异，工艺简单。
-
公开(公告)号：CN114883434B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210364667.4
申请日：2022-04-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，为自供电MSM型ZnO基紫外光电探测器及制备方法，该探测器包括衬底、n型缓冲层、p型有源层、n型有源层以及两个电极；n型缓冲层沉积在衬底上；p型有源层只覆盖在部分n型缓冲层上，形成n型缓冲层过渡到p型有源层的台阶；n型有源层作为连续的顶层，一部分覆盖在p型有源层上，另一部分覆盖在n型缓冲层上，使两部分n型有源层产生不相等的电子浓度，在台阶处产生分离光生载流子的空间电荷区；两个电极分别分布在台阶两边，两个电极之间的肖特基接触势垒形成的空间电荷区进一步分离光生电子‑空穴对。与现有技术相比，所述器件具有器件结构简单、背入射带通响应、光响应度高、响应速度快以及无需外加偏压的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117294269B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311587411.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: H03H1/00
Abstract: 本发明涉及无源滤波器技术领域，更具体地，本发明涉及一种集成电容式带通滤波器，其输入电极和输出电极之间连接有多个串联的电容器和多个并联的电容器，多个并联的电容器为对地电容器；每个电容器包括共用底电极的两个串联电容，两个串联电容的顶电极分别作为电容器的两端电极，多个串联的电容器两端的电感呈之字形交替分布在多个串联电容器的两侧；正面膜层结构包括上电极层、绝缘薄膜和下电极层，输入电极、输出电极和电容器的两端电极位于上电极层，所述共用底电极位于下电极层，背面膜层结构包括位于绝缘支撑片下侧的背面金属层。根据本发明的方案，解决了目前的微带滤波器体积较大且配置不灵活的问题。
-
公开(公告)号：CN113241256B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110356882.5
申请日：2021-04-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于BPO电极的PZT基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，通过磁控溅射法在衬底上制备BPO薄膜电极，采用溶胶凝胶法在BPO上制备多层异质薄膜，热处理过后，再在表面通过磁控溅射制备Au电极。所述多层异质薄膜由PZT和BTO薄膜交替堆叠构成。本发明利用异质薄膜间的静电耦合效应极大的提高了薄膜的介电性能，并且通过氧化物电极BPO改善了电畴的扎钉效应，使得PZT/BTO薄膜的抗疲劳特性大幅地提升。
-
公开(公告)号：CN113209998B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110386015.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于光催化材料的技术领域，公开了一种石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法。方法：1)将g‑C3N4纳米片、有机溶剂和酸混合，获得混合物A；酸为醋酸或乳酸中一种以上；有机溶剂为乙醇或甲醇；2)将钛酸丁酯与混合物A混匀，获得混合物B；3)将氨水与混合物B中混匀，干燥，煅烧，获得复合光催化剂。本发明的方法简单，通过原位生长的方法在g‑C3N4纳米片上生长N‑TiO2，N‑TiO2纳米颗粒分散均匀，且与g‑C3N4纳米片具有充分的界面接触，两者结合更紧密，能够有效地提高光生电子和空穴的分离速度，从而提高量子效率，达到提高其催化效率的效果。本发明的催化剂在光催化制氢中具有较好的催化活性。
-
公开(公告)号：CN114883434A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210364667.4
申请日：2022-04-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，为自供电MSM型ZnO基紫外光电探测器及制备方法，该探测器包括衬底、n型缓冲层、p型有源层、n型有源层以及两个电极；n型缓冲层沉积在衬底上；p型有源层只覆盖在部分n型缓冲层上，形成n型缓冲层过渡到p型有源层的台阶；n型有源层作为连续的顶层，一部分覆盖在p型有源层上，另一部分覆盖在n型缓冲层上，使两部分n型有源层产生不相等的电子浓度，在台阶处产生分离光生载流子的空间电荷区；两个电极分别分布在台阶两边，两个电极之间的肖特基接触势垒形成的空间电荷区进一步分离光生电子‑空穴对。与现有技术相比，所述器件具有器件结构简单、背入射带通响应、光响应度高、响应速度快以及无需外加偏压的优点。
-
公开(公告)号：CN114716243A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210379506.2
申请日：2022-04-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/475
Abstract: 本发明属于电容材料的技术领域，公开了一种高温稳定型钛酸铋钠‑钛酸锶基介电储能陶瓷材料及其制备与应用。所述介电储能陶瓷材料，化学组成为Na0.35Bi0.35Sr0.3Ti(1‑x)(Al0.5Nb0.5)xO3，0＜x≤0.05。本发明还公开了介电储能陶瓷材料的制备方法。本发明的介电储能陶瓷材料具有良好的储能性能和高温稳定性，如：在室温、60kV/cm外加电场下的储能密度Wrec为0.62J/cm3，储能效率为73.89％；具有高介电常数且其高温稳定性，在室温到270℃介电常数保持3311±15％以及tanδ＜0.02的低介电损耗。本发明的介电储能陶瓷材料用于介电储能电容器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
122
records
(took 0.02 seconds)
