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公开(公告)号：CN110364598B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910536344.7
申请日：2019-06-20
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型层、电子调整层、多量子阱层和P型层，所述电子调整层由依次层叠的多个复合结构组成，每个所述复合结构由依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层组成；所述第一子层和所述第四子层均为BAlN层，同一个所述复合结构中，所述第一子层中B组分的含量大于所述第四子层中B组分的含量；所述第二子层为未掺杂的GaN层，所述第三子层为未掺杂的InGaN层。本发明通过在N型层和多量子阱层之间增设BAlN/GaN/InGaN/BAlN的超晶格结构，可以将更多地电子输送到量子阱内复合发光。
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公开(公告)号：CN109980056B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910152555.0
申请日：2019-02-28
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，应力释放层包括多个交替生长的第一超晶格结构和第二超晶格结构，第一超晶格结构为低温InGaN/GaN超晶格结构，第二超晶格结构为高温InGaN/GaN超晶格结构。本发明提供的发光二极管外延片可以优化V型坑的开口大小，提高LED的内量子发光效率，同时提高外延层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN109638114B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811205142.6
申请日：2018-10-16
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。N型GaN层与有源层之间依次设置低温N型GaN层与超晶格结构，低温N型GaN层的设置可使得超晶格结构与N型GaN层之间能够良好过渡，保证在N型GaN层上生长的超晶格结构的质量，避免超晶格结构中出现过多缺陷进而影响后续生长的有源层，而超晶格结构中交替层叠的铝镓氮子层、铟镓氮子层及GaN子层可起到释放外延层中的应力的作用，提高外延层整体的晶体质量，并且由于铝镓氮子层、铟镓氮子层及GaN子层三者之间的晶格常数差异较大，因此三者之间的界面可对位错进行阻挡，避免位错移动至超晶格结构之后的有源层中，保证了有源层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN110246933B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201910326884.2
申请日：2019-04-23
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了微型发光二极管的制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底上生长的n型层的生长转速为200～480rpm时，反应腔内的气流的转速与石墨盘的转速的同步度较高，气流可以较为均匀地沉积在衬底上得到n型层。进一步降低生长转速进行InGaN/GaN多量子阱层的生长，可保证InGaN/GaN多量子阱层以相较n型层更低的生长速率进行生长，In原子分布可以更均匀，InGaN/GaN多量子阱层中的In原子也有足够的时间渗入InGaN/GaN多量子阱层中，提高InGaN/GaN多量子阱层捕捉载流子的能力与微型发光二极管的发光均匀度。使p型层的生长转速高于n型层的生长转速，且p型层的生长转速高于n型层的生长转速，可提高p型层生长转速，避免镁原子扩散至InGaN/GaN多量子阱层中，保证InGaN/GaN多量子阱层的质量。
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公开(公告)号：CN109301041B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201811093278.2
申请日：2018-09-19
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。制造方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、多量子阱层和电子阻挡层；在电子阻挡层上生长高温P型层，高温P型层包括依次生长的第一子层和第二子层，第一子层和第二子层中均掺有Mg，且第一子层中掺有In，在低温低压的条件下生长第一子层，在高温高压的生长条件下，在第一子层上生长第二子层。该制造方法可以减少高温P型层对多量子阱的破坏，同时又可以提供足够的空穴，保证LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN109860353B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811288830.3
申请日：2018-10-31
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。所述外延片包括：蓝宝石衬底、顺次在所述蓝宝石衬底上沉积的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、有源层和P型层，所述有源层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括量子阱层和量子垒层，靠近所述N型层的阱垒层中的量子阱层与所述N型层接触，靠近所述P型层的阱垒层中的量子垒层与所述P型层接触，所述量子阱层为InGaN量子阱层，所述量子垒层为BGaN层和InGaN层交替生长的周期性结构。
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公开(公告)号：CN108550668B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810167278.6
申请日：2018-02-28
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、多量子阱层、低温P型半导体层、电子阻挡层、高温P型半导体层、接触层，所述低温P型半导体层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠设置，每个所述第一子层为P型掺杂的铝镓氮层，每个所述第二子层为P型掺杂的氮化镓层。本发明通过铝镓氮层的势能较高，防止电子溢流，同时铝镓氮层和氮化镓层之间有利于形成二维电子气，可以促进空穴的扩展，提高空穴的注入效率，最终提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN111088483A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911049606.3
申请日：2019-10-31
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C30B25/12
摘要： 本公开公开了一种外延石墨基座，属于外延生长设备领域。平边衬底放置在圆形凹槽内，圆形凹槽的侧壁上有阻挡层，阻挡层包括与圆形凹槽的侧壁相接触连接面，平边衬底的平边区域在圆形凹槽的底面上的投影为线段，连接面在底面上的投影为弧线。弧线两端之间距离大于线段长度，且线段两个端点与弧线两个端点通过两个直线段构成的封闭图形位于阻挡层在底面的投影内时，位于衬底与圆形凹槽的底面之间的阻挡层可以封闭平边衬底的平边区域与侧壁间的间隙，阻止了气流与热度从平边衬底的平边区域与圆形凹槽的侧壁之间的间隙中流失，减小可能出现的平边衬底整体受热不均及外延层在生长时的温度不达标的情况，平边衬底上生长的外延层的质量得到提高。
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公开(公告)号：CN109449261B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811050948.2
申请日：2018-09-10
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：提供一衬底；采用MOCVD技术在所述衬底上生长第一N型半导体层；采用HVPE技术在所述第一N型半导体层上生长第二N型半导体层；采用MOCVD技术在所述第二N型半导体层上生长有源层；采用MOCVD技术在所述有源层上生长P型半导体层。本发明通过在采用MOCVD技术生长的第一N型半导体层和有源层之间插入采用HVPE技术生长的第二N型半导体层，不会掺杂在生成的N型半导体层中形成杂质，因此第二N型半导体层中N型掺杂剂的分布比较均匀，有利于电子均匀注入有源层，改善整个外延片光学和电学性质的均匀性和一致性。
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公开(公告)号：CN107369749B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201710471164.6
申请日：2017-06-20
申请人： 华灿光电(苏州)有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管的外延结构，属于半导体器件外延技术领域。方法包括：N型层、发光层及P型层；发光层位于N型层与P型层之间，发光层覆盖N型层，P型层覆盖发光层；发光层至P型层的方向为P型层的势垒的生长方向，P型层的势垒沿生长方向逐渐递减。通过让P型层的势垒沿外延生长方向逐渐递减，使得P型层至发光层方向上的势垒逐渐增加，从而有利于更多的空穴进入到发光层，降低了对空穴的阻挡作用，进而能够有效提高发光层中空穴的浓度。另外，通过让P型层的势垒沿外延生长方向逐渐递减，使得靠近发光层的势垒最高，从而能有效阻挡电子溢流，进而可提高发光二极管的内量子效率。
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