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公开(公告)号：CN108333696A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810328630.X
申请日：2018-04-13
Applicant: 南京大学
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种超导单光子探测器套管辅助光对准封装装置，包括底座，底座中部设置有套筒支撑柱，底座一端设置有同轴电缆连接头，套筒支撑柱外部设置有高精度套管，高精度套管顶部开口与光钎套筒连接，高精度套管内设置有探测器芯片，探测器芯片底部与套筒支撑柱顶部连接，光钎套筒顶部设置有光钎固定环，光钎套筒内设置有光钎，光钎套筒与探测器芯片之间设置有光学折射率匹配液，光钎底部与芯片光敏区接触，所述探测器芯片另一端通过点焊线与同轴电缆连接头连接。本发明借助高精度套管辅助定位，实现了超导探测器芯片与耦合光纤的精确对准，超导探测器芯片和光纤之间通过光学折射率匹配液减少了插入损耗。
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公开(公告)号：CN107036718A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710474543.0
申请日：2017-06-21
Applicant: 南京大学
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于零偏微波反射和超导氮化铌测辐射热计的检测器，包括低温杜瓦、超导氮化铌测辐射热计芯片、聚焦透镜、环形器、微波源和信号放大器。低温杜瓦设有透明窗。超导氮化铌测辐射热计芯片设置于低温杜瓦内。聚焦透镜用于将进入低温杜瓦内的太赫兹波聚焦于超导氮化铌测辐射热计芯片上。环形器的三个端口分别连接微波源、超导氮化铌测辐射热计芯片和信号放大器的输入端口。信号放大器的输出端口连接信号检测接口。超导氮化铌测辐射热计芯片不连接偏置源。
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公开(公告)号：CN102867907B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210384063.2
申请日：2012-10-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备柔性超导薄膜的方法，包括如下步骤：清洗基片，去除基片表面的有机污染物；在所述基片上涂覆聚酰亚胺膜并进行固化；在涂覆聚酰亚胺膜的基片上直流溅射氮化铌超导薄膜；去除基片：将基片和聚酰亚胺膜剥离。本发明可以制备出厚度(微米量级)可控的柔性超导薄膜，扩大超导薄膜及器件的应用场合和范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105154840A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510628815.9
申请日：2015-09-28
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：靶材选取，选取高纯硅和钨作为靶材，将靶材放入磁控共溅射室；衬底处理，对衬底依次用超声波和氩离子清洗，将处理后的衬底送入磁控共溅射室，置于样品台上；制备钨硅薄膜，磁控共溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。本发明制备出了符合预期，较为稳定的WSi超导薄膜，并优化获得了最佳制备条件，为制备高灵敏的超导单光子探测器（SNSPD）奠定了基础。
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公开(公告)号：CN102916083A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210406138.2
申请日：2012-10-23
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C23C14/021 , C23C14/185
Abstract: 本发明公开了一种基于特殊掺杂的超导铌薄膜材料的纳米线单光子探测器的制备方法，包括如下步骤：将基片超声清洗并吹干；进行Ar离子洗；通过直流磁控溅射的方式生长特殊掺杂的超导Nb薄膜；旋涂电子束抗蚀剂，然后对电子束抗蚀剂进行电子束光刻，在电子束抗蚀剂上绘制出宽度小于或等于100nm的线条图形；用反应离子刻蚀的方式进行刻蚀，将线条图形转移到Nb薄膜上，形成Nb纳米线条；清洗残留的电子束抗蚀剂，并在样品的表面旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式在光刻胶上形成电极图形；生长电极。本发明克服了现有的Nb材料制备的SNSPD超导转变温度低，临界电流密度低，光响应波长短的难题。
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公开(公告)号：CN204632809U
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201520353739.0
申请日：2015-05-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底；介质半反镜，结合于所述衬底表面；下光学腔体，结合于所述介质半反镜表面；介质包裹层，结合于所述下光学腔体表面；NbN纳米线，结合于所述介质包裹层内部；上光学腔体，结合于所述介质包裹层表面；介质纳米线，结合于所述介质包裹层与上光学腔体之间；全反镜，结合于所述上光学腔体表面。本实用新型解决现有技术中超导纳米线单光子探测器对光偏振方向敏感的问题。
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公开(公告)号：CN208459643U
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201820521658.0
申请日：2018-04-13
Applicant: 南京大学
IPC: G02B6/42
Abstract: 本实用新型公开了一种超导单光子探测器套管辅助光对准封装装置，包括底座，底座中部设置有套筒支撑柱，底座一端设置有同轴电缆连接头，套筒支撑柱外部设置有高精度套管，高精度套管顶部开口与光钎套筒连接，高精度套管内设置有探测器芯片，探测器芯片底部与套筒支撑柱顶部连接，光钎套筒顶部设置有光钎固定环，光钎套筒内设置有光钎，光钎套筒与探测器芯片之间设置有光学折射率匹配液，光钎底部与芯片光敏区接触，所述探测器芯片另一端通过点焊线与同轴电缆连接头连接。本实用新型借助高精度套管辅助定位，实现了超导探测器芯片与耦合光纤的精确对准，超导探测器芯片和光纤之间通过光学折射率匹配液减少了插入损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206709976U
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201720392352.5
申请日：2017-04-14
Applicant: 南京大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本实用新型提供一种抗背散射超导单光子探测器，包括时钟信号生成模块、激光器、门控源表及纳米线芯片，所述门控源表包括数模转换芯片和负载电阻，数模转换芯片的输出端通过负载电阻连接纳米线芯片；所述时钟信号生成模块用于为激光器和数模转换芯片提供PWM波信号；所述激光器用于发射光子，所述纳米线芯片用于接收光子；所述门控源表用于控制纳米线芯片工作。本实用新型可以在探测过程中，屏蔽近距离内的反射光子，使得光子接收不受近距离反射光子的影响，有效解决了超导纳米线单光子探测器背光致盲问题；可以将超导纳米线单光子探测器的应用扩展到浓雾等强背散射环境下激光测距和激光雷达应用，提高了探测器在大气层内使用的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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