公开(公告)号：CN109427517A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710782382.1

申请日：2017-09-02

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  冯琤 ,  张翔 ,  张景智 ,  钱芸生 ,  张俊举 ,  戴庆鑫

IPC: H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极光谱响应和稳定性的单色光照射条件激活方法，即在超高真空激活系统中，采用在红光波段的单色光光照下进行激活。包括如下步骤：1、对GaAs光电阴极进行脱脂清洗；2、对GaAs光电阴极进行化学刻蚀；3、在超高真空系统中对GaAs光电阴极进行高温净化；4、对净化后的GaAs光电阴极在红光波段的单色光光照下进行(Cs，O)激活。通过上述方式，本发明可以得到光谱响应更高、稳定性更好的GaAs光电阴极。

公开(公告)号：CN109405965A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810955363.9

申请日：2018-08-21

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 富容国 ,  杨恒睿 ,  李培源 ,  杨子昊 ,  钱芸生 ,  刘磊 ,  邱亚峰 ,  张益军 ,  张俊举

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明提供了一种大靶面远场激光探测阵列，包括框架、靶板、若干探测器、若干信号峰值保持电路；靶板两端可转动的设置于框架上，靶面从中心向外围设置第一区域、第二区域、第三区域三个区域，每个区域上探测器均匀布设且探测器间的间距不同，不同区域探测器间的间距满足D1＜D2＜D3，其中下标1、2、3分别为区域的索引，每一区域的探测器由一个信号峰值保持电路进行控制，不同区域的探测器的信号峰值保持电路不同。

公开(公告)号：CN105470103B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201410456627.8

申请日：2014-09-09

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  郝广辉 ,  张益军 ,  金睦淳 ,  冯琤 ,  陈鑫龙 ,  杨明珠

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法。所述方法包括将AlGaN光电阴极分别经有机溶剂、去离子水超声波清洗，然后经氢氧化钾溶液刻蚀清洗，硫酸混合溶液刻蚀清洗，最后经去离子水冲洗刻蚀，并在超声清洗仪中超声清洗。经本发明清洗方法制备的AlGaN光电阴极的量子效率比经传统的清洗方法制备的AlGaN光电阴极量子效率提高了35.48％。

公开(公告)号：CN107123582A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710324608.3

申请日：2017-05-10

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  冯琤 ,  张翔 ,  张景智 ,  钱芸生 ,  张俊举

IPC: H01J9/12 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01J9/12 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12

Abstract: 本发明公开一种GaAs光电阴极的化学清洗方法，包括如下步骤：(10)脱脂清洗：将GaAs光电阴极置入有机溶剂，进行超声波脱脂清洗；(20)刻蚀清洗：将经过脱脂清洗的GaAs光电阴极置入刻蚀液，进行刻蚀清洗；(30)去离子水冲洗：将经过刻蚀清洗的GaAs光电阴极用离子水进行冲洗，得到清洁的GaAs光电阴极。本发明的GaAs光电阴极的化学清洗方法，净化效果好，光谱响应高。

公开(公告)号：CN105428183B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201510791534.5

申请日：2015-11-17

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 刘磊 ,  夏斯浩 ,  孔熠柯 ,  常本康 ,  张益军

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提出一种反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法，所述反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极是在Si或者SiC衬底的表面生长p型GaN纳米线，并对生长的纳米线阵列进行Cs/O激活得到，其包括衬底层、位于衬底层表面的纳米线阵列发射层；纳米线阵列发射层由若干p型GaN纳米线组成，p型GaN纳米线表面均吸附有Cs/O激活层；所述衬底层为Si或者SiC。本发明能够在降低材料发射率的同时，减少光电子的输运距离，控制纳米线的直径充分吸收光子，提高了GaN光电阴极量子效率。

公开(公告)号：CN103295855A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310211048.2

申请日：2013-05-29

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  常本康 ,  赵静 ,  陈鑫龙 ,  钱芸生 ,  任玲 ,  徐源 ,  郝广辉 ,  金睦淳 ,  鱼晓华

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明提供一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上由高质量的n型GaAs衬底、p型GaAs过渡层、p型Ga1-xAlxAs缓冲层、p型指数掺杂的GaAs发射层以及Cs/O激活层组成；其中，p型Ga1-xAlxAs缓冲层中x取值范围为0.5～0.8，厚度在500～1000nm，采用均匀掺杂方式；p型指数掺杂GaAs发射层为3个以上单元分层结构，掺杂浓度按内建电场减小型指数掺杂分布，从后界面处单元分层的1.0×1019cm-3下降到发射表面处单元分层的1.0×1018cm-3，总厚度为1000～3000nm。本发明中充当后界面电子壁垒的p型Ga1-xAlxAs缓冲层以及具有减小型内建电场的p型指数掺杂GaAs发射层，提高了在后界面处吸收近红外光产生电子的发射效率，使反射式GaAs光电阴极具有更高的近红外响应和积分灵敏度。

公开(公告)号：CN203039705U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201220690260.2

申请日：2012-12-13

Applicant: 南京理工大学连云港研究院

Inventor： 李千目 ,  戚湧 ,  王鹏飞 ,  涂庆华 ,  张益军 ,  侯君 ,  张功萱

IPC: H04L12/24 ,  H04L29/08

Abstract: 一种泛在网络路由器的监控系统，它包括泛在网络路由器上设置的传感终端节点和设置在远程监控中心的服务器，所述的传感终端节点包括若干个用于监测该路由器环境参数和自身状态的传感器以及处理器和通信模块，各传感器的信号输出端与处理器的信号输入端相连，所述的处理器的通信信号端通过通信模块与设置在远程监控中心的服务器相连，发送监控数据。本实用新型通过在泛在网络的路由器上增加用于监控节点环境和自身状态的传感终端节点，能够实时监控各路由器的状态，降低了安全风险监控的困难程度。