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公开(公告)号：CN114649451B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210541767.X
申请日：2022-05-19
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明提供了一种红光Micro‑LED及其制备方法，所述红光Micro‑LED以LED外延片为载体，包括自下而上依次连接设置的衬底层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层、AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，所述n型GaN层、所述InGaN/GaN超晶格层、所述InGaN/GaN多量子阱层、所述AlGaN电子阻挡层和所述p型GaN层形成所述红光Micro‑LED的p‑n结。本发明能够提高红光Micro‑LED的发光效率和偏振度，在高分辨率显示、增强现实/虚拟现实和军事航天等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114354557A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210004721.4
申请日：2022-01-04
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： G01N21/64
摘要： 本发明涉及一种基于光电子集成芯片的荧光成像装置及其制备方法。所述基于光电子集成芯片的荧光成像装置包括：样品台；氮化镓光电子集成芯片，位于所述样品台上方，包括透明衬底、位于所述透明衬底朝向所述样品台一侧的透明LED器件、以及位于所述透明衬底背离所述样品台一侧的滤光器件，所述透明LED器件用于向所述样品台方向发射具有第一波长的发射光信号，所述滤光器件用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号，所述第二波长大于所述第一波长；透镜，位于所述氮化镓光电子集成芯片上方；相机，位于所述透镜上方。本发明简化了荧光成像过程中的光路结构，缩小荧光成像装置的体积，简化荧光成像装置的制作流程。
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公开(公告)号：CN108333679B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810144374.9
申请日：2018-02-11
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明公开了一种面向蓝光可见光通信的硅基GaN系光子芯片及制备方法，实现载体为带有低折射率包层的硅衬底氮化物晶片，硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于硅衬底层上方的带有低折射率包层的顶层氮化物，顶层氮化物上设置有纳米光波导、分路器、谐振环、耦合光栅和用于通电的镍/金电极。本发明体积小，具有高度的集成性，可应用于光子计算及可见光通信等领域，提升蓝光波段可见光通信技术在信息传输速率、信息处理速度和终端器件集成度等多方面的性能指标。
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公开(公告)号：CN110518977A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910858166.X
申请日：2019-09-11
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H04B10/116 , H04B13/02
摘要： 本发明涉及可见光通信技术领域，尤其涉及一种水下可见光通信方法及水下可见光通信装置。所述水下可见光通信方法包括如下步骤：接收一待发送的数据包，并将所述待发送的数据包及其包长存储于一FIFO存储器中；根据所述待发送的数据包的包长读取所述待发送的数据包中的发送数据；将读取的所述发送数据进行RS编码；调制RS编码后的所述发送数据至光源的驱动信号，使得所述光源向外发射第一光信号。本发明一方面能够提高数据匹配的效率，有效改善水下可见光通信的效率以及数据传输的准确性；另一方面，能够有效纠正数据信息传递过程中的错误，提高数据传输的准确度。
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公开(公告)号：CN110364599A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910692269.3
申请日：2019-07-30
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种面向多传输的背发光二极管阵列，从下往上的结构依次为硅衬底层、外延缓冲层、n-GaN层、量子阱层和p-GaN层，所述n-GaN层的上表面形成下台面，所述p-GaN层的上表面形成上台面，所述n-GaN层和p-GaN层通过量子阱层相连，所述下台面上设置有用于所有单元并联共用的n-电极，所述上台面上设置有p-电极，所述上下台面、n-电极、p-电极和量子阱层构成p-n结量子阱器件。本发明利用GaN的材料、下台特性，通过专业工艺实现多模块控制，采用回流焊技术与衬底结合实现多模块传输信息，该器件可用于通信、显示以及传感等领域。
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公开(公告)号：CN109830579A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201811624899.9
申请日：2018-12-28
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种悬空绿光LED单片集成装置及其制备方法。所述悬空绿光LED单片集成装置包括衬底、位于所述衬底表面的AlN缓冲层、以及位于所述AlN缓冲层表面的至少一器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的AlN缓冲层、N型GaN层、InGaN/GaN超晶格准备层、多量子阱层、P型AlGaN层、第一P型GaN层、P型AlGaN/InGaN超晶格层、第二P型GaN层；所述衬底中具有一贯穿所述衬底的空腔，所述器件结构悬于所述空腔上方。本发明提高的发光二极管的出光效率，在照明、显示和光通信领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107195733B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710311776.9
申请日：2017-05-05
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。
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公开(公告)号：CN109524516A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811155821.7
申请日：2018-09-29
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种基于机械剥离的可转移逻辑芯片及其制备方法，该逻辑芯片包括多对p-n结量子阱，以及连接p-n结量子阱之间的悬空GaN波导。该多对p-n结量子阱之间能实现逻辑与运算和逻辑或运算。该p-n结量子阱既可以对外发送光信号，也可探测空间中的光信号，并且可即在发光的同时也能探测空间中的光信号，实现全双工通信。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了可转移的逻辑薄膜芯片，该器件剥离后，转移到柔性载体上，可用于通信、照明、智能显示、逻辑运算以及传感等领域。
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公开(公告)号：CN107768976A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710998802.X
申请日：2017-10-23
申请人： 南京邮电大学
CPC分类号： H01S5/041 , H01S5/34333
摘要： 本发明提供了一种集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN基波导激光器及其制作方法，属于信息材料与器件领域。通过曝光技术和氮化物刻蚀工艺，在顶层氮化物器件层形成波导和量子阱二极管的集成。利用聚焦离子束刻蚀技术，在波导上加工谐振光栅微腔，形成微腔结构，获得集成谐振光栅微腔的硅衬底GaN基波导激光器，可以改变谐振光栅微腔的结构参数或集成不同谐振光栅微腔，调控微腔结构，实现波长可调的硅衬底GaN基波导激光器。本发明提出的激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。
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公开(公告)号：CN107356820A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710421326.5
申请日：2017-06-07
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种基于脉冲光探测磁共振的电磁场近场成像系统和方法，该系统由激光泵浦光路、微波源、金刚石NV色心探头、CCD相机单元、同步系统、位移扫描平台、控制软件及数据分析成像系统所构成。该系统采用含有NV色心的金刚石大块单晶做探测单元，并采用静磁场将金刚石NV色心的磁共振峰劈开成8个峰，8个共振峰对应于金刚石晶格结构四个晶轴方向 , , 和 ，通过测量每个共振峰的拉比频率，获得垂直于该晶轴方向的圆偏振微波场强度，通过对四个方向的微波场强度进行综合计算，再构出微波矢量的强度和方向。通过对被测量微波芯片的局部区域微波近场高分辨成像，可以为芯片失效分析提供定量的数据。
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