公开(公告)号：CN107404067A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710518114.9

申请日：2017-06-29

申请人： 南京邮电大学

发明人： 施政 ,  沈湘菲 ,  王永进 ,  蒋元 ,  袁佳磊 ,  张锋华 ,  张帅 ,  秦川 ,  蒋燕

IPC分类号： H01S5/20

CPC分类号： H01S5/20

摘要： 本发明属于信息材料与器件领域，提供一种基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器及其制作方法。所述激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p-n结量子阱器件，设置在所述p-n结量子阱器件上的SiO2绝缘层，设置在所述SiO2绝缘层上的p-电极的引线电极区和n-电极的引线电极区及分布式布拉格反射镜。本发明利用FIB技术，在InGaN波导上加工配对的分布式布拉格反射镜结构，形成微腔结构，获得基于分布式布拉格反射镜波导微腔的硅衬底GaN激光器，并结合AlN/AlGaN应力调控缓冲层技术，实现电泵浦硅衬底GaN激光器；可用于可见光通信、显示及传感领域。

公开(公告)号：CN107195733B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201710311776.9

申请日：2017-05-05

申请人： 南京邮电大学

发明人： 施政 ,  王永进 ,  张帅 ,  高绪敏 ,  袁佳磊 ,  蔡玮 ,  沈湘菲 ,  张锋华 ,  秦川

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。

公开(公告)号：CN107195733A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710311776.9

申请日：2017-05-05

申请人： 南京邮电大学

发明人： 施政 ,  王永进 ,  张帅 ,  高绪敏 ,  袁佳磊 ,  蔡玮 ,  沈湘菲 ,  张锋华 ,  秦川

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。