毫米波/太赫兹波成像设备及人体或物品检测方法

    公开(公告)号:CN109633776B

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN201811654172.5

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: G01V8/22 G01V8/00

    摘要: 本公开提供一种毫米波/太赫兹波成像设备及人体或物品检测方法,包括准光学组件、探测器阵列和反射板调节装置,准光学组件用于将被检对象自发辐射或反射回来的波束反射并汇聚至探测器阵列,并包括多个适于接收并反射来自被检对象的波束的反射板,多个反射板与被检对象所在视场法向之间角度是不同的,且多个反射板与水平面之间角度是不同的;探测器阵列用于接收来自准光学组件的波束;反射板调节装置包括旋转机构,用于驱动多个反射板在水平方向旋转运动,以使得多个反射板依次对被检对象位于视场不同竖直位置部分自发辐射或反射回来的波束进行反射,从而对视场全面反射,采样密集点集中在视场中间,在视场的大部分区域,采样点分布均匀,插值方便。

    太赫兹混频器以及电子组件

    公开(公告)号:CN113131106B

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN201911425352.0

    申请日:2019-12-31

    发明人: 马旭明 胡海帆

    摘要: 本公开提供了一种太赫兹混频器和电子组件,该太赫兹混频器包括:金属腔体,金属腔体形成有射频输入波导和本振输入波导;微带线,微带线容纳在金属腔体内,并分别延伸至射频输入波导和本振输入波导所在的金属腔体内,以分别形成用于接收射频信号和本振信号的天线,微带线远离射频输入波导的第一端设置有金属接地层,其中,金属接地层的至少远离第一端的部分上设置有用于阻挡射频信号向第一端传输的阻挡结构。该太赫兹混频器通过在金属腔体内的金属接地层上设置阻挡结构,以阻断射频信号继续向第一端(即,接地端)传输,从而有效降低导电胶涂抹或其他焊料所引入的不确定因素对太赫兹混频器特性的影响,以提高太赫兹混频器的可靠性以及一致性。

    肖特基二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111864004B

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN202011005172.X

    申请日:2020-09-23

    摘要: 本公开涉及肖特基二极管及其制备方法。一种肖特基二极管包括:衬底层;位于衬底层上的第一结构和第二结构,其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构,第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁,第二结构包括第二主体区;以及肖特基接触结构,该肖特基接触结构包括:台面结构,位于第二主体区上;以及钝化层,位于第二主体区上并且包围台面结构,其中钝化层的厚度与台面结构的厚度相同;以及接触金属层,位于台面结构上并与悬臂梁的端部相接,其中,接触金属层与台面结构相接触并且接触金属层的接触面尺寸大于台面结构的顶面尺寸,并且其中钝化层内部嵌入有重掺杂多晶硅,该重掺杂多晶硅具有导电特性。

    安检设备及其控制方法
    84.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109471197A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201811654207.5

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: G01V8/00 G01V8/20

    摘要: 本公开提供了一种安检设备及其控制方法,所示安检设备包括:设备本体,所述设备本体上设置有检测空间,所述检测空间用于容纳待测物品;二维(2D)多发多收(MIMO)装置,设置在所述检测空间中,用于向待测物品发送检测信号,并接收来自待测物品的回波信号;处理器,与所述2D MIMO装置相连,用于根据接收到的回波信号来重建待测物品的图像。本公开的实施例能够以更高的准确性重建待测物品的图像,从而提高检测准确性和检测效率。

    太赫兹探测器
    85.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108007566B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN201711499067.4

    申请日:2017-12-29

    IPC分类号: G01J1/42 G01J1/44 H01L31/115

    摘要: 本发明公开了一种太赫兹探测器。太赫兹探测器包括由多个像素单元构成的面阵列结构,每个像素单元包括N个子像素,每个子像素包括至少一个信号触发器,配置用于将太赫兹信号转化为电流脉冲信号,并且每个像素单元探测到的信号为N个子像素的电流脉冲信号的总和,N为整数。

    肖特基二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111864004A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202011005172.X

    申请日:2020-09-23

    摘要: 本公开涉及肖特基二极管及其制备方法。一种肖特基二极管包括:衬底层;位于衬底层上的第一结构和第二结构,其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构,第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁,第二结构包括第二主体区;以及肖特基接触结构,该肖特基接触结构包括:台面结构,位于第二主体区上;以及钝化层,位于第二主体区上并且包围台面结构,其中钝化层的厚度与台面结构的厚度相同;以及接触金属层,位于台面结构上并与悬臂梁的端部相接,其中,接触金属层与台面结构相接触并且接触金属层的接触面尺寸大于台面结构的顶面尺寸,并且其中钝化层内部嵌入有重掺杂多晶硅,该重掺杂多晶硅具有导电特性。

    肖特基二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111863973A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202011005049.8

    申请日:2020-09-23

    摘要: 本公开涉及肖特基二极管及其制备方法。一种肖特基二极管包括:衬底层;位于衬底层上的第一结构和第二结构,其中第一结构与第二结构之间为隔离槽结构,第一结构包括第一主体区和从第一主体区延伸的悬臂梁,第二结构包括第二主体区,并且第二主体区包括位于衬底层上的重掺杂层以及位于重掺杂层上的轻掺杂层;以及肖特基接触结构,该肖特基接触结构包括:接触金属层,位于轻掺杂层上并与悬臂梁的端部相接;以及钝化层,位于轻掺杂层上并且包围接触金属层,其中重掺杂层中对应于接触金属层的位置具有一个或多个区域,这一个或多个区域与轻掺杂层相接并且与轻掺杂层的对应区域在接触界面形成耗尽区。

    太赫兹混频器以及电子组件

    公开(公告)号:CN113131106A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN201911425352.0

    申请日:2019-12-31

    发明人: 马旭明 胡海帆

    摘要: 本公开提供了一种太赫兹混频器和电子组件,该太赫兹混频器包括:金属腔体,金属腔体形成有射频输入波导和本振输入波导;微带线,微带线容纳在金属腔体内,并分别延伸至射频输入波导和本振输入波导所在的金属腔体内,以分别形成用于接收射频信号和本振信号的天线,微带线远离射频输入波导的第一端设置有金属接地层,其中,金属接地层的至少远离第一端的部分上设置有用于阻挡射频信号向第一端传输的阻挡结构。该太赫兹混频器通过在金属腔体内的金属接地层上设置阻挡结构,以阻断射频信号继续向第一端(即,接地端)传输,从而有效降低导电胶涂抹或其他焊料所引入的不确定因素对太赫兹混频器特性的影响,以提高太赫兹混频器的可靠性以及一致性。