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公开(公告)号：CN105448945B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201511010038.8
申请日：2015-12-29
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 公开了一种同面电极光电二极管阵列及其制作方法。在低电阻率衬底，高电阻率外延类型的外延硅片的顶侧，形成第一导电类型重掺杂区域和第二导电类型掺杂区域，分别为光电二极管的阴极和阳极。该结构包括在阳极和阴极之间形成的沟槽结构，该沟槽结构可由空隙、绝缘材料、传导结构、反射材料和离子注入构成；也可以包括在阳极和阴极下方形成第一导电类型重掺杂区域、绝缘隔离层或带绝缘层的传导结构等。
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公开(公告)号：CN106784071B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201611121395.6
申请日：2016-12-07
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 公开了光电二极管器件、光电二极管探测器及其制造方法。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：在衬底的第一表面上生长外延层，其中，该外延层被第一类型轻掺杂，且在衬底中形成与该第一类型轻掺杂的外延层相接触的第一类型重掺杂区；从衬底的与第一表面相对的第二表面一侧，减薄衬底，并露出第一类型重掺杂区；从衬底的第二表面一侧，对第一类型重掺杂区进行构图，以在其中形成沟槽，该沟槽穿透第一类型重掺杂区而进入外延层中，其中，构图后的第一类型重掺杂区充当光电二极管器件的第一电极区域；以及在沟槽底部形成第二类型重掺杂的区域，该区域充当光电二极管器件的第二电极区域。
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公开(公告)号：CN106324648A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610797744.X
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/00
CPC分类号： G01T1/247 , G01T1/241 , G01T1/2928 , H01L31/0296 , H01L31/085 , H01L31/1832
摘要： 本发明提出了一种半导体探测器及其封装方法。所述半导体探测器包括：阳极电路板，包括读出芯片；阴极电路板，所述阴极电路板包括阴极电路板高压端顶层、阴极电路板底部连接层和填充在阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层之间的电介质，所述阴极电路板高压端顶层和阴极电路板底部连接层通过过孔连接；探测器晶体，包括晶体主体、阳极和阴极，所述阳极与所述阳极电路板上的读出芯片相连，其中所述阴极电路板高压端顶层用于连接半导体探测器的输入，所述阴极电路板底部连接层与所述探测器晶体的阴极直接接触而连接所述阴极和所述阴极电路板。
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公开(公告)号：CN106249270A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610798761.5
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/00
CPC分类号： G01T1/24 , G01T1/241 , H01L31/022408 , H01L31/0324
摘要： 公开了一种半导体探测器。根据实施例，该半导体探测器可以包括：半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面；设置于第一侧面上的阴极；以及设置于第二侧面上的阳极，其中，阳极包括限定半导体探测器的探测像素的像素阳极阵列以及设置于相邻的像素阳极之间的中间阳极。根据本公开的实施例，可以实现信号修正，提高探测器的能量分辨率和信噪比。
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公开(公告)号：CN106124539A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610797192.2
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01N23/04
CPC分类号： G01T1/241 , G06T7/11 , G06T7/70 , G06T2207/10116
摘要： 本发明提供一种探测器以及用于智能划分能区的探测系统和方法，其中所述探测方法可以包括：由探测器采集从探测对象透射的射线，产生探测信号，所述探测器的每一像素列包括一个A类电极和多个B类电极，且沿探测对象的移动方向依次布置所述A类电极和所述B类电极，使得从探测对象透射的射线先进入A类电极，随后进入B类电极；基于与A类电极对应的探测信号，得到探测对象的图像数据，并基于图像数据估计探测对象的物质成分；根据所估计的物质成分，调整用于能区划分的一个或多个阈值；以及根据所调整后的阈值来确定与B类电极对应的探测信号的能区，并计算在每个能区中的信号数目，得到探测器对象的图像数据，从而得到探测对象的准确成分。
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公开(公告)号：CN105759303A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610188180.X
申请日：2013-04-26
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/36
CPC分类号： G01T1/366
摘要： 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。
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公开(公告)号：CN105242300B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201510417228.5
申请日：2015-07-15
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/24
摘要： 本发明提供半导体探测器的信号处理方法和装置，包括：获取所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系；根据所述半导体探测器阳极信号和阴极信号时间差与阳极信号幅度之间的关系得到最佳数据筛选区间，所述最佳数据筛选区间为阳极信号和阴极信号时间差大于50ns的区间；在半导体探测器数据采集时，根据所述最佳数据筛选区间对所采集数据进行筛选和处理。本发明更好地克服了探测器晶体的固有缺陷，降低了本底噪声的影响，进一步地提高了碲锌镉探测器在室温下的能量分辨率，改善了峰康比。
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公开(公告)号：CN107797133A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610798762.X
申请日：2016-08-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司
IPC分类号： G01T1/16
摘要： 本发明提供了一种多能区信号处理装置及多能区辐射探测系统和方法。所述多能区信号处理装置可以包括：第一处理模块，配置为接收来自探测器的信号，并对接收到的信号进行处理以产生门控信号，其中门控信号的开启时段表示接收到的信号的幅度；以及第二处理模块，配置为从第一处理模块接收门控信号，根据门控信号的开启时段确定所述信号所属的能区，以针对多个能区中的每一个计算该能区中的信号数目。
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公开(公告)号：CN103913763B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310004796.3
申请日：2013-01-07
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G01T1/36
摘要： 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。
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公开(公告)号：CN105510952A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510983070.8
申请日：2015-12-24
申请人： 同方威视技术股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种飞行模式CdZnTe巡检系统和巡检方法，涉及辐射探测领域。其中，巡检系统包括CdZnTe谱仪和飞行器，飞行器携带CdZnTe谱仪飞行，以实现飞行巡检功能，提高核辐射监测的工作效率。并且，CdZnTe谱仪能量分辨率高、体积小、重量轻、便携性好，与飞行器结合后，测量精度高、续航时间长，可以飞临核事故现场进行作业，巡检事故现场，降低人员进入事故现场接受的辐射剂量，为救援提供支持。
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