公开(公告)号：CN204029811U

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201420409094.3

申请日：2014-07-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 胡海帆 ,  王颖 ,  刁鸣

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/552

Abstract: 本实用新型涉及一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构，包括电极场板，P阱，P+区域，绝缘介质材料，N型体硅，N型MOSFET，P型MOSFET，背部电极，场板金属电极，P+引出电极，连接场板沟槽。根据本实用新型的带有气隙及沟槽场板的辐射探测器像素结构，在顶层硅MOSFET与中间电极场板间存在气隙隔离结构，该结构可以有效阻止底部电势向顶层硅MOSFET体区扩展，屏蔽辐射电离后在绝缘介质中产生TID效应；电路中MOSFET被与场板电极连接的沟槽硅包围，该结构可以进一步降低电路与传感器间寄生电容，有效屏蔽两部分信号间串扰。

公开(公告)号：CN201877432U

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201020619724.1

申请日：2010-11-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  焦文利 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/812

Abstract: 本实用新型提供的是一种自对准内嵌肖特基结的功率半导体场效应晶体管。包括漏区、漂移区、栅氧化层、栅电极、场氧化层、沟道区、侧壁氧化层、阳极和源电极；在漏区之上形成位于基底上的漂移区掺杂层；在所述掺杂层上形成栅极区，栅极区包括栅氧化层、栅电极与场氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的侧壁氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的源极区，源极区包括沟道区、阳极与源电极；阳极与漂移区形成肖特基接触，其中阳极与源电极短接。本实用新型与常规功率MOSFET晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN203038923U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201220514766.8

申请日：2012-10-09

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  杨晓亮 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L27/12

Abstract: 本实用新型涉及集成电路领域，具体涉及一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构。本实用新型在多晶硅衬底上覆盖有多晶硅氧化层（201），氧化层上覆盖有半绝缘多晶硅膜（301），半绝缘多晶硅层上覆盖有二氧化硅层（401），二氧化硅层上覆盖有多晶硅层（601）。在多晶硅衬底和该结构最上方的多晶硅层之间有通孔（501）。本实用新型提出了特别设计在双层SiO2层中加入具有平衡电荷作用的半绝缘性多晶硅膜（SIPOS）而形成的结构作为SOI结构的隐埋绝缘层，并在该隐埋绝缘层上设计出通孔结构，将其作为利用选择外延生长形成顶层SOI层的窗口，并兼有导热和传导电荷作用，改善了SOI器件导热、散热能力和抗总剂量辐射性能，达到了提高SOI器件的热稳定性和抗辐射加固目的。

公开(公告)号：CN202816955U

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201220467212.7

申请日：2012-09-14

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  胡海帆 ,  焦文利

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型涉及MOS器件版图边缘设计领域，具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。本实用新型的分裂栅型沟槽功率MOS器件，有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的长条结构，半圆形的直径同台面宽度相同。本实用新型中分裂栅沟槽功率MOS器件为沟槽包围台面结构，这样可以保证器件的有源区台面结构一致，优化器件内台面结构中的电场分布，从而整体上提高分裂栅型沟槽功率MOS器件的击穿电压。