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公开(公告)号：CN109852799A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910288599.6
申请日：2019-04-11
申请人： 昆明理工大学
发明人： 陈秀敏 , 胥有利 , 韩晨琛 , 周志强 , 杨斌 , 徐宝强 , 蒋文龙 , 郁青春 , 刘大春 , 马文会 , 戴永年 , 邓勇 , 熊恒 , 吴鉴 , 王飞 , 田阳 , 杨佳 , 曲涛
摘要： 本发明提供了一种铝土矿制备金属铝及SiC的方法，属于真空冶炼领域。本发明的有益效果：与铝土矿先制备成氧化铝，再采用电解法电解氧化铝制备金属铝的工艺相比，本发明易分离铝土矿中的SiO2、铁氧化物等，解决了铝土矿先制备成氧化铝，再采用电解法电解氧化铝炼铝工艺中存在的电能消耗大，能量利用效率低，工序繁多，环境污染大，会产生全氟碳化物(PFCs)及赤泥等问题，得到的金属铝纯度较高，产生的铝的副产物少，生产成本降低。实施例的数据表明，本发明提供的制备方法得到的金属铝的纯度在95％以上，收率在94％以上。
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公开(公告)号：CN106119951B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610705887.3
申请日：2016-08-23
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂，属于晶体生长技术领域。本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨（Pr）、铈（Ce）、镧（La）、镝（Dy）和铽（Tb），SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。首先，将上述任意一种助溶剂与高纯硅（≥99.9999%）一起加热熔融，然后，将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处，旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长；晶体生长结束后将籽晶杆从熔体中移出；最后，用HNO3+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶。
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公开(公告)号：CN107473264B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710728901.6
申请日：2017-08-23
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了高温等离子体制备纳米亚氧化钛的方法：首先用载气将纳米级的偏钛酸粉体输送至等离子体反应装置内，其中等离子体反应装置包括高温等离子发生系统和粉体冷凝收集系统，偏钛酸粉体在1秒内通过高温等离子发生系统的高温等离子火焰区域，然后进入粉体冷凝收集系统，经过冷凝沉降，最终获得颗粒尺寸为纳米的亚氧化钛粉体；该方法制备过程简单易行，耗时少，效率高，具有较广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106115717B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610706125.5
申请日：2016-08-23
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明涉及一种去除冶金级硅中杂质的方法，属于硅提纯技术领域。首先将少量的添加剂（锆、铪、含锆合金或含铪合金）和工业硅同时进行熔炼，待物料完全熔化后冷却至室温，并研磨成小于186μm的硅粉，先后用王水、HF＋HCl混酸进行酸洗得到高纯硅。本发明不仅能有效去除硅提纯领域中最难去除的硼杂质，对其他杂质的去除也有明显的效果。
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公开(公告)号：CN109457114A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811323583.6
申请日：2018-11-08
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种利用含钛渣制备钛、硅和钛硅合金的方法，属于二次金属资源再利用技术领域。本发明将含钛渣、硅物料和添加剂混合均匀得到熔炼物料并进行熔炼；熔炼物料在温度1673 K以上的条件下完全熔化后并恒温熔炼15min以上进行渣金分离得到Ti-Si合金；将Ti-Si合金进行分离和提纯，可以同时得到高纯硅、高纯钛和Ti5Si3、Ti5Si4、TiSi、TiSi2、共晶Ti-Si合金等高纯Ti-Si合金，实现了复杂含钛渣资源的清洁再利用。
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公开(公告)号：CN106185974B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610527623.3
申请日：2016-07-07
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B39/08
摘要： 本发明公开一种钛硅分子筛TS‑1的制备方法，包括以下步骤：将一定摩尔比的固体硅源、碱源、模板剂、矿化剂和钛源进行混合研磨至均匀，然后密封，在120‑180℃进行晶化反应，产物经洗涤、过滤、烘干、焙烧后即得高钛含量的钛硅分子筛；本发明利用工业废弃物微硅粉和工业副产物纳米二氧化硅作为硅源，解决了传统分子筛中硅源价格昂贵的问题；且合成方法简单，反应温度较传统方法低，通过使用氟化铵作为矿化剂，将钛有效地引入到分子筛骨架中，一步合成了高钛含量的钛硅分子筛TS‑1。
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公开(公告)号：CN109087853A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810717904.4
申请日：2018-07-03
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： H01L21/306 , H01L31/18 , H01L31/0236
摘要： 本发明涉及一种铜催化刻蚀制绒硅片表面圆滑处理的方法，属于太阳能电池行业中晶体硅表面制绒技术领域。本发明将金刚石线切割的硅片进行清洗和氧化层去除处理；在室温~95℃条件下，将氧化层去除处理后的硅片置于HF-金属铜盐-H2O2刻蚀液中刻蚀1~600min，再置于硝酸溶液中浸泡1~100min，然后置于HF溶液中浸泡1~100min，采用去离子水清洗即得倒金字塔结构织化硅片；将倒金字塔结构织化硅片进行圆滑处理即得圆滑的倒金字塔结构织化硅片；其中圆滑处理的方法为采用圆滑处理体系法和/或超声处理方法。本发明方法可实现低成本MCCE法制得倒金字塔圆滑化制绒结构。
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公开(公告)号：CN107134504B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201710211206.2
申请日：2017-04-01
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/07 , H01L31/0352
摘要： 本发明公开了一种纳米硅基石墨烯太阳能电池的制备方法，包括硅片预处理、硅纳米线阵列引入、硅纳米线的表面钝化处理、对硅纳米线表面进行量子点修饰、石墨烯或碳纳米管的填充、窗口周围导电层引入、片层石墨烯转移、电极接入等八个步骤。本发明采用石墨烯量子点修饰的纳米硅为基底，目的在于大大增强太阳光利用范围，同时在硅纳米线之间填充高导电的掺杂石墨烯碎片或碳纳米管，有利于提高光生电子‑空穴对的有效分离，实现新型高效纳米硅基石墨烯太阳能电池的制备。
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公开(公告)号：CN108793101A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810622438.1
申请日：2018-06-15
申请人： 昆明理工大学
发明人： 陈秀敏 , 周志强 , 胥有利 , 韩晨琛 , 杨斌 , 徐宝强 , 蒋文龙 , 郁青春 , 刘大春 , 马文会 , 戴永年 , 邓勇 , 熊恒 , 吴鉴 , 王飞 , 田阳 , 杨佳 , 曲涛
IPC分类号： C01B21/072
摘要： 本发明公开了一种真空下氧化铝碳热氮化还原制备氮化铝的方法，涉及真空冶金技术领域。包括以下步骤：(1)将氧化铝、碳粉和水混合均匀制成混合物料，将混合物料以2～5MPa的压力进行压片(2)将步骤(1)压片后的物料放入坩埚中，关闭真空炉，当真空度在1Pa以下时，通入氮气，将真空度控制在10～50Pa内，升温至1550～1650℃保温30～120分钟，得到氮化铝和过量碳的混合物(3)将步骤(2)得到的混合物进行脱碳，脱碳完成后得到氮化铝粉末。本发明方法，制备过程中所需的温度明显低、时间短、氮气需求量少；与两段法制备氮化铝相比，本发明方法缩短了工业流程，降低了基建投资和生产成本，更容易实现工业化。
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公开(公告)号：CN105185981B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201510506385.3
申请日：2015-08-18
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
摘要： 本发明涉及一种LiNixMn2‑xO4正极材料的制备方法，属于锂离子电池正极材料技术领域。首先将锂源、镍源、锰源与辅助剂进行球磨混合0.5~10h，然后在60~160oC条件下干燥制备得到前驱体，其中锂源、镍源、锰源与辅助剂中至少有一种是氯化物；将得到的前驱体，在空气或氧气气氛下按1~20oC/min速率升温到500~800oC恒温加热5~48h，然后冷却至室温，冷却后的产物为LiNixMn2‑xO4正极材料，或者经洗涤、干燥后得到LiNixMn2‑xO4正极材料。该方法提出原料氯化法，通过引入氯离子，促进固相反应过程中LiNixMn2‑xO4（0.4≤x≤0.5）材料在中低温下长大和裸露出{111}晶面，从而可以简单、有效实现高性能LiNixMn2‑xO4（0.4≤x≤0.5）材料的制备。
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