光波导基板的制造方法
    81.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101535888B

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN200780041660.2

    申请日:2007-11-09

    Inventor: 吉野隆史

    CPC classification number: G02F1/3558 G02F1/3775

    Abstract: 通过在单畴化的铁电体单晶基板(8)的一个主面(8a)上所设置的梳形电极上施加电压,从而形成周期极化反转构造(29),去除梳形电极,对基板(8)的一个主面(8a)进行机械加工去除表面区域(25)而形成加工面。接着在基板(8)上形成光波导。

    波长转换元件
    82.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101952773A

    公开(公告)日:2011-01-19

    申请号:CN200980106068.5

    申请日:2009-02-03

    Inventor: 吉野隆史

    Abstract: 本发明提供一种波长转换元件(1),包括:支持基板(8);波长转换用基板(2),其由强介电性单晶所构成的Z板构成,形成有周期极化反转结构,厚度为10μm以上、100μm以下;设置在所述波长转换用基板的底面(2b)的缓冲层(6);和将所述支持基板(8)和所述缓冲层(6)粘结,厚度为0.6μm以上、2.0μm以下的有机树脂粘结剂层(7)。

    复合基板以及功能元件
    84.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203174224U

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201320072836.3

    申请日:2013-02-08

    Abstract: 一种复合基板(7),具有蓝宝石基板(1)、晶种膜(2)以及氮化镓膜(3),所述晶种膜(2)由通过荧光显微镜观察看到黄色发光效果的氮化镓构成,所述氮化镓膜(3)在所述晶种膜(2)上通过助熔剂法在含氮气氛下由熔液育成,没有看到黄色发光效果。所述复合基板(7)包括被设置于自氮化镓膜(3)的晶种膜侧的界面起50μm以下的区域的、分布有源自所述熔液的成分的夹杂物的夹杂物分布层(3a)和被设置于夹杂物分布层上的缺乏夹杂物的夹杂物缺乏层(3b)。

    复合晶片以及功能元件
    85.
    实用新型

    公开(公告)号:CN204067415U

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:CN201420231586.8

    申请日:2014-05-07

    Abstract: 本实用新型提供一种包括蓝宝石基板以及设置在所述蓝宝石基板上的氮化镓晶体层的复合晶片。复合晶片为4英寸或6英寸晶片,复合晶片为4英寸晶片时,在25℃下的翘曲为+20~+150μm,在1000℃下的翘曲为-80~+50μm;复合晶片为6英寸晶片时,在25℃下的翘曲为+20~+200μm,在1000℃下的翘曲为-100~+80μm。

    复合基板以及功能元件
    86.
    实用新型

    公开(公告)号:CN203174223U

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201320072801.X

    申请日:2013-02-08

    Abstract: 一种复合基板(7),具有晶种基板(1)以及氮化镓膜(3),所述晶种基板(1)由通过荧光显微镜观察看到黄色发光效果的氮化镓构成,所述氮化镓膜(3)在所述晶种基板(1)上通过助熔剂法在含氮气氛下由熔液育成,没有看到黄色发光效果。所述复合基板(7)包括被设置于自氮化镓膜(3)的晶种基板(1)侧的界面起50μm以下的区域的分布有源自所述熔液的成分的夹杂物的夹杂物分布层(3a)和被设置于夹杂物分布层上的缺乏夹杂物的夹杂物缺乏层(3b)。

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