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公开(公告)号：CN107002286B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201580065227.7
申请日：2015-11-19
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在结晶层3的与主面3a、3b垂直的截面处，存在载流子浓度为1×1018/cm3以上的高载流子浓度区域10和载流子浓度为9×1017/cm3以下的低载流子浓度区域9，低载流子浓度区域9为细长的形状，低载流子浓度区域9具有缔合部11，低载流子浓度区域9在一对主面3a、3b之间连续。
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公开(公告)号：CN105793476B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201480064895.3
申请日：2014-12-04
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L33/02 , H01L33/20
Abstract: 在氮化镓基板的表面3a对与氮化镓基板的带隙相对应的波长的阴极发光峰强度进行测定时，0.1mm×0.1mm的测定视野中的阴极发光峰强度的最大值为阴极发光峰强度的平均值的140％以上。
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公开(公告)号：CN105229778A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480025003.9
申请日：2014-05-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L29/1029 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种13族氮化物复合基板以及使用它制作的半导体元件，上述13族氮化物复合基板能够实现即使使用导电性的GaN基板、也适合高频用途的半导体元件。13族氮化物复合基板包括：基材，由GaN形成、呈n型导电性，基底层，形成在基材上、是电阻率为1×106Ωcm以上的13族氮化物层，沟道层，形成在基底层上、是杂质浓度的总和为1×1017/cm3以下的GaN层，势垒层，形成在沟道层上、由组成为AlxInyGa1－x－yN(0≤x≤1、0≤y≤1)的13族氮化物形成。
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公开(公告)号：CN105102695A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480019026.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , C30B25/20 , H01L21/208 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , C30B19/02 , C30B25/20 , C30B29/38 , H01L21/0242 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/20
Abstract: 当在具备蓝宝石基板、以及在蓝宝石基板上通过结晶生长的氮化镓结晶层的复合基板中，在其上形成由13族元素的氮化物形成的功能层时，抑制功能层的偏差。复合基板(4)具备蓝宝石基板(1A)、以及在蓝宝石基板(1A)上设置的氮化镓结晶层(3)。复合基板(4)的翘曲度为，每5.08cm，+40μm以上、+80μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102803583B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080026135.5
申请日：2010-06-10
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B35/002
Abstract: 通过将III族金属氮化物单晶的原料以及助熔剂原料收容于坩埚内，再将该坩埚收容于反应容器(1)内，将反应容器(1)收容于外侧容器内，再将外侧容器收容于耐压容器内，向外侧容器内供给含氮氛围气体的同时，于坩埚内生成熔液来进行III族金属氮化物单晶的培养。反应容器(1)具备收容坩埚的本体(3)和放置于本体(3)上的盖(2)。本体(3)具备侧壁(3b)和底壁(3a)，该侧壁(3b)具有啮合面(3d)和开口于啮合面(3d)上的槽(3c)。盖(2)具备相对本体(3)的啮合面有接触面(2d)的上板部(2a)，以及从上板部(2a)延伸出来，包围侧壁(3b)的外侧的凸缘部(2b)。
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公开(公告)号：CN101558187B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200780046465.9
申请日：2007-12-10
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B29/38 , H01L21/208 , C30B9/10
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02625
Abstract: 在3.7MPa和870℃的氮气(N2)气氛中，使用在约870℃下的包含Ga、Na和Li的熔剂混合物，通过熔剂法在籽晶(GaN层13)的晶体生长表面上生长GaN单晶20。因为模板10的背面是蓝宝石衬底11的R晶面，所以模板10可以容易地从其背面侵蚀或溶解于熔剂混合物中。因此，模板10从其背面逐步侵蚀或溶解，导致从半导体分离或溶解于熔剂中。当GaN单晶20成长至例如约500μm或更大的足够厚度时，保持坩锅的温度为850℃至880℃，由此整个蓝宝石衬底11溶解于熔剂混合物中。
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公开(公告)号：CN101395305B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780007680.8
申请日：2007-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/063
Abstract: 单晶的生长方法是，在含氮非氧化性气氛下，通过使原料在容器1内熔融而生长单晶时，在使搅拌介质12与混合熔液10接触的状态下，一边摇动容器1，一边生长单晶，其中所述搅拌介质12由和该混合熔液10为非反应性的材质所形成的固形物形成。
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公开(公告)号：CN100582324C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200580027729.7
申请日：2005-09-05
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B29/403
Abstract: 通过在含氮的气氛中对至少含有镓、铝和钠的熔液进行加压，培养AlN单晶。优选的是，在氮分压为50个大气压以下培养AlN单晶，此外，在850℃～1200℃的温度下培养AlN单晶。
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公开(公告)号：CN101415868A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780012537.8
申请日：2007-04-05
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , H01L33/0075 , Y10T428/265 , Y10T428/266
Abstract: 提供一种适于制造电子器件或光学器件的高质量的半导体衬底。本发明提供一种用于制造用于电子器件或光学器件的半导体衬底的方法，该方法包括在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合助熔剂混合物和III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长III族氮化物基化合物半导体晶体的基底衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在半导体晶体的生长期间或在半导体晶体的生长完成之后，在接近III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度的温度下，使助熔剂可溶材料溶于助熔剂混合物中。
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