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公开(公告)号：CN116364661A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310645836.6
申请日：2023-06-02
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/04 , H01L23/367
Abstract: 本申请提供一种压接型半导体器件，可用于电力半导体器件技术领域。所述压接型半导体器件包括：芯片、设置在所述芯片的阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片的阴极侧的阴极金属管壳；所述芯片的阳极侧和所述阳极金属管壳之间还设置有阳极金属垫片，所述阳极金属垫片和所述阳极金属管壳之间通过第一低热阻结合层连接；和/或所述芯片的阴极侧和所述阴极金属管壳之间还设置有阴极金属垫片，所述阴极金属垫片和所述阴极金属管壳之间通过第二低热阻结合层连接。本申请实施例提供的压接型半导体器件，能够将金属垫片与金属管壳之间的压力接触面替换为低热阻结合层，大幅降低了封装结构的接触热阻，从而降低器件整体的结壳热阻。
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公开(公告)号：CN115621233B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211523235.X
申请日：2022-12-01
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种用于全控型电力电子器件的管壳，所述管壳包括壳体、引出结构以及连接结构，其中，所述引出结构设在壳体上，用于引出壳体内的阴极电极和门极电极，引出结构为双层或多层的层状结构，其中，所述引出结构包括至少两个金属层，金属层的宽度大于壳体直径，或与壳体直径相同，所述引出结构延伸至壳体的一侧并靠近连接结构；所述连接结构布置于壳体的一侧，与引出结构连接，用于与驱动全控型电力电子器件的驱动单元之间可拆卸式低感连接，其中，可拆卸式的方式包括插接式以及压接式的非旋转连接方式，能在壳体受压情况下将驱动单元与连接结构分离；所述引出结构和连接结构均具备纳亨以下的杂散电感。本发明管壳便于拆装。
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公开(公告)号：CN112910229B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202110253220.5
申请日：2021-03-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种IGCT换流器模块的高位自取能电源设计方法，该方法包括：确定模块内供电形式；确定电源隔离电压；确定电源输出功率；根据确定的所述模块内供电形式、电源隔离电压、电源输出功率，设计控制侧供电电源。通过该方法，一方面，当直流电容施加电压UDC，弱电侧与模块任一部位电压差值均不大于UDC/2，有利于避免局部放电，减小绝缘间隔，促进模块紧凑化；另一方面，减少了供电电源的隔离输出路数，有助于供电电源低成本、高可靠性、小型化的设计。
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公开(公告)号：CN115065260A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210506233.3
申请日：2022-05-11
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
Abstract: 本发明提供了一种功率器件高位取能模块及方法，所述模块包括：缓冲电路，用于限制功率器件向低位输出电流的大小；储能电路，用于储存经缓冲电路输出的电能；整流电路，用于控制输入到储能电路的电流方向；稳压电路，用于限制经储能电路输出电压的最大值。本发明电路简单，取能功率大，在实现高位取能的同时实现功率器件的关断缓冲吸收及动态均压。
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公开(公告)号：CN114825270A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210506234.8
申请日：2022-05-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种可关断晶闸管的过压保护电路及控制方法，属于电子电路技术领域，其中保护电路包括：关断电路、第一开通电路、第二开通电路和电压采样模块。本发明的保护电路在驱动带电/失电的全过程中实现可关断晶闸管器件阳阴极两端电压接近或超过耐压阈值时，触发可关断晶闸管器件开通，从而避免可关断晶闸管过压击穿；本发明的保护电路不改变现有可关断晶闸管驱动电路的结构，仅新增了若干新的电路模块，并对原有关断电路的失电时的通断特性进行优化，极大降低了电路改造的成本，同时提升了动作的可靠性；本发明的保护电路驱动控制方法，可以有效避免保护电路误动和拒动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114597931A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210117437.8
申请日：2022-02-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种换流器换相失败抑制方法、耦合电压电路和换流器，其中，换流器换相失败抑制方法，包括：在换流器换相过程中出现交流电压跌落时，通过在换流器的桥臂上施加感应电压，对交流电压进行弥补，促使换相完成。本发明的换流器换相失败抑制方法、耦合电压电路和换流器，能够抑制高压直流换相失败。针对现有的高压直流输电换流器存在的换相失败的问题，采用本发明的换流器，可以提高换流器的抵御换相失败能力，从而减少换相失败故障发生次数，提高电网运行的安全性和稳定性。
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公开(公告)号：CN112599587B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202011443412.4
申请日：2020-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体器件测试领域，特别涉及一种具有缓冲层结构的半导体器件，包括依次设置的第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域、第三掺杂剂区域，还包括择一或多个组合设置的上掺杂剂区域、下掺杂剂区域、中部掺杂剂区域；所述上掺杂剂区域位于第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域之间；所述下掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域之间；所述中部掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域中间，本发明的优点在于，能够实现较小的漏电流，从而提高器件的耐压能力，以及可运行的最高结温，增大器件的通流能力。
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公开(公告)号：CN110112721B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910435398.4
申请日：2019-05-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种直流配电网系统内部过电压防护方法及依照该防护方法搭建的直流配电网系统内部过电压防护系统。该方法对直流配电网系统内部的避雷器按照如下原则进行配置：1)交流侧过电压由交流侧避雷器限制；2)直流侧过电压由直流侧避雷器限制；3)系统关键设备由紧靠它的避雷器直接保护。依照该防护方法搭建的直流配电网系统内部过电压防护系统包括配置有避雷器的多端口电力电子变压器的中压交流端口、多端口电力电子变压器的中压直流端口、多端口电力电子变压器的低压交流端口、多端口电力电子变压器的低压直流端口、电压源换流器、直流断路器。
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公开(公告)号：CN111509757B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010263067.X
申请日：2020-04-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于直流输电领域，公开了一种用于全控开关器件的隔离供能装置及方法，应用于高压直流输电设备中，高压直流输电设备包括正极阀塔及负极阀塔，隔离供能装置电性连接于正极阀塔、负极阀塔以及电源，隔离供能装置包括多个隔离供能单元，通过多个隔离供能单元对正极阀塔及负极阀塔进行分级隔离供能。本发明应用于新型高压直流输电混合换流器，可以有效的为混合换流器中的可关断管阀串的全控开关器件驱动电路及控制保护装置等供能，易于工程实现。
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公开(公告)号：CN113098457A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110252175.1
申请日：2021-03-08
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC: H03K17/16
Abstract: 本发明提供一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，所述采用带磁芯的饱和电抗器构造半导体器件功率模块，所述带磁芯的饱和电抗器通过如下步骤获得：A、对于所述半导体器件功率模块，以空芯可调电抗作为换流电抗器，调节所述空芯可调电抗的电抗值为在发生一开关行为时不使所述半导体器件功率模块换流时损坏的第一预期值；B、反复增大所述空芯可调电抗的感值，直到任何电流下开关行为都不会导致低电流振荡，确认此时所述空芯可调电抗的感值L；C、基于所述步骤B中得到的感值L，确定所述带磁芯的饱和电抗器不饱和时的感值，以设计所述带磁芯的饱和电抗器。本发明所实现的IGCT模块体积小，振荡抑制效果好，效率高。
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