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公开(公告)号：CN101847772A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010187933.8
申请日：2010-05-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P7/10
Abstract: 双频微波谐振器，涉及电磁波技术。本发明包括基板和基板上的金属SRR结构，所述金属SRR结构由electric-SRR结构和electric-SRR结构两侧的两个矩形金属环组成；矩形金属环和electric-SRR结构具有共同的金属壁，矩形金属环在共用金属壁的相对边设置有开口缝隙。本发明的有益效果是，整体尺寸小，有利于小型化，共振频率比较高，两共振峰的位置离得比较开，有利于降低相互耦合。
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公开(公告)号：CN101723657A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910263434.X
申请日：2009-12-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种NiCuZn微波铁氧体材料的制备方法，属于功能材料技术领域，涉及磁性材料。首先采用分析纯的Fe2O3、NiO、ZnO和CuO为原料，以Ni∶Cu∶Zn∶Fe＝(1-x)∶y∶(x-y)∶2的摩尔比进行称料和混料；然后球磨、烘干、在900℃预烧2～4小时；再研磨、掺入1～5％的低温助烧剂Bi2O3后，二次球磨、烘干、在900℃下烧结4～6小时、研磨后得到目标产物。本发明采用固相法工艺，通过优化材料配方并选用Bi2O3为助烧剂，得到具有尖晶石结构、并适应LTCC工艺的NiCuZn微波铁氧体材料。所制备的NiCuZn微波铁氧体材料具有较低的铁磁共振线宽和微波介电损耗，较高的饱和磁化强度和居里温度，在加工性能上能够满足LTCC工艺要求，可用于制备片式小型化微波铁氧体器件与微波无源集成功能基板，实现微波铁氧体器件的小型化、平面化、集成化。
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公开(公告)号：CN101702067A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910216064.4
申请日：2009-10-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种太赫兹波平面吸收材料，属于电磁功能材料技术领域，涉及电磁波吸收材料。包括衬底、金属反射层、介质层和人工电磁媒质层；其中，所述金属反射层为连续金属薄膜，且位于衬底表面；所述介质层位于金属反射层和人工电磁媒质层之间；所述人工电磁媒质层由周期性排列的人工电磁媒质单元构成；每个单元为一个线宽为t的金属薄膜线条形成的中心对称图形，包括中间由两个单开口金属环相向连接的电开口环共振器；还包括两个与电开口环共振器两侧长边背向连接的单开口金属环。本发明所提出的太赫兹波平面吸收材料具有两个强吸收频段，可以提供不同频段的选择性吸收和探测。同时可以吸收更大频谱范围的太赫兹辐射，提高了太赫兹波平面吸收材料的性能和效率。
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公开(公告)号：CN100427530C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610020873.4
申请日：2006-05-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种光敏聚酰亚胺及其制备方法，属于感光耐热高分子功能材料。所述PSPI的主要成份的重复结构单元结构式为：其中，聚合度n＝1-200；Ar1为芳香酮化合物；Ar2为苯环或萘环；R为邻位上含烷基、烷氧基或甲硫基的苯环；R′为α、β不饱和酮基或取代α、β不饱和酮基。以苯环邻位上含烷基、烷氧基或甲硫基的光敏性二胺和含丙烯酰基的光敏性二胺为原料，将四羧酸二酐有机溶液缓慢滴入光敏性二胺混合溶液进行聚合，再通过化学亚胺化得到所述PSPI。该类聚合物是一种结构型与自增感型结合的PSPI，分子结构中含有两种能够发生光交联反应的光敏活性基团，具有更高的光敏性和分辨率，优异的热稳定性和溶解性，光刻成形后膜的收缩率极小，在光刻工艺中有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116014453A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211326169.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明属于电磁功能材料技术领域，具体提供一种基于MXene与笼状结构三维泡沫的超疏水太赫兹吸波器，以满足多孔吸收器需要保持干燥及自清洁能力的应用需求。本发明采用疏水处理的技术路线，首先创新的设计一种正十二面体为基本单元、周期性互连排列形成类富勒烯的笼状结构三维泡沫，其孔径形状规则、孔径尺寸均匀，使得Ti3C2Tx纳米片在包覆三维泡沫的骨架的同时、于骨架之间快速自组装为Ti3C2Tx微米薄片；然后将Ti3C2Tx微米薄片作为疏水纳米颗粒的承载平台，在三维泡沫的骨架与Ti3C2Tx微米薄片表面形成疏水涂层；最终，使得太赫兹吸波器具有超疏水表面，不仅具有极高的吸收性能，而且还具有高效的拒液、自清洁性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115416167A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210792208.6
申请日：2022-07-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法，属于光通讯器件技术领域。包括以下步骤：1)采用液相外延法在SGGG基片上制备Bi取代稀土类铁石榴石单晶膜，得到带单晶膜的SGGG基片；2)通过在蓝膜上黏贴软弹性垫后再将带单晶膜的SGGG基片固定于软弹性垫上，或者通过PDMS封装的方式，将带单晶膜的SGGG基片固定于蓝膜上；3)采用划片机将带单晶膜的SGGG基片切割为11毫米×11毫米的小片。本发明提出的一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法，采用具有弹性的软体保护晶片，使晶片完美贴合软体，抑制晶片在切割过程中的振动和位移；同时通过软体缓冲晶片切割过程中产生的应力释放，有效防止了划切过程中的崩裂。
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公开(公告)号：CN114686983A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111481399.6
申请日：2021-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域，具体是一种石榴石相掺杂的磁光与非线性光学材料的制备方法，光与物质的相互作用受到介质磁性状态和材料的电子结构的影响，电磁辐射和磁极化材料之间的这种相互作用导致了“磁光”效应，磁光效应在电磁学的早期历史中发挥了重要作用，为光的电磁理论，以及电子自旋运动和自旋轨道耦合等物质的经典和量子理论提供了实验支持，本发明以钇铁石榴石作为典型的磁性材料，在微波段具有良好的透过性，但是磁光效应并不明显，使用掺杂的手段对钇铁石榴石晶体进行改性。
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公开(公告)号：CN114657631A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210310658.7
申请日：2022-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性石榴石单晶膜制备领域，具体提供一种铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法，用于解决液相外延生长的铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜容易产生晶体缺陷、开裂、剥落等难题，进而提高制备良品率。本发明采用液相外延法在SGGG基片上生长单晶石榴石厚膜，生长过程中，基片的旋转速度采用N阶变化：基片的第一阶旋转速度至第N阶旋转速度依次设置为R1至RN、且RN>RN‑1>…>R1，并以第一阶旋转速度开始在单个阶段变换周期内均匀升高至下一阶旋转速度、直至第N阶旋转速度，再依次均匀降低至第一阶旋转速度，如此交替变化直至生长结束；最终能够制备得到不易产生结晶缺陷、翘曲、裂纹、剥离的高品质(TmLuBi)3Fe5O12单晶石榴石厚膜。
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公开(公告)号：CN110661501B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910808133.4
申请日：2019-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于射频功率放大器静态点设置的自动锁定电路，属于微波、射频领域。所述自动锁定电路包括射频功率放大器、电流采样电阻、比较电路模块、放大器电路模块、斜坡发生电路模块、比例运算电路模块、采样保持电路模块。其中，所述的射频功率放大器静态工作电流经过放大器模块和比较电路模块，控制采样保持电路模块使所述射频功率放大器的栅极电压处于稳定值，从而可以保持射频功率放大器处于合适静态工作点。本发明自动锁定电路，不受射频功率放大器栅极电压与静态工作电流关系变化的影响，无论实验环境如何变化，本发明均能设置合适的射频功率放大器栅极电压使其静态工作电流固定在一个特定值上，而且整个过程不需要人为调节。
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公开(公告)号：CN110635204B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910800734.0
申请日：2019-08-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种宽阻带高抑制带通腔体滤波器，属于微波器件领域。所述腔体滤波器为一个带通梳状滤波器，由谐振腔、谐振柱、调谐螺钉、输入输出结构以及两侧盖板组成，其特征在于，所述带通梳状滤波器的每根谐振柱上均设置哑铃型横杆，且所有横杆位于同一高度上，通过横杆间的间隙电容完成谐振单元间的耦合；两侧盖板上设置多个尺寸相同的、与谐振柱开路端的顶部齐平的矩形金属块，每根谐振柱的两侧的矩形金属块呈对称分布，哑铃型横杆对矩形金属块呈半包围结构。本发明通过哑铃型横杆之间进行耦合，可以对滤波器的寄生通带产生抑制能力，使得滤波器到五次谐波均能产生良好抑制，从而实现了宽阻带高抑制带通腔体滤波器。
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