-
公开(公告)号：CN116306433A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310294020.3
申请日：2023-03-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种声学谐振器的拟合方法、拟合装置以及计算机设备，用于解决现有技术中的声学谐振器拟合方法难以考虑到谐振器杂散谐振对应的谐振模态的技术问题。其中的一种声学谐振器的拟合方法，包括：获取所述声学谐振器的实际频域阻抗参数；基于所述实际频域阻抗值，确定出对应主谐振的第一实际频域阻抗值和对应杂散谐振的第二实际频域阻抗值；对所述第一实际频域阻抗值进行拟合，得到第一拟合频域阻抗值；基于所述第一拟合频域阻抗值，对所述第二实际频域阻抗值进行拟合，得到第二拟合频域阻抗值；基于所述第一拟合频域阻抗值和所述第二拟合频域阻抗值得到所述声学谐振器的拟合频域阻抗值。
-
公开(公告)号：CN114695148B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210324288.2
申请日：2022-03-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明属于集成光子学领域，具体涉及一种硅基光电子器件的硅和铌酸锂异质键合方法。本发明通过对BCB进行稀释，搭配相应的旋涂工艺实现BCB键合层的厚度控制，以满足硅基光电子器件对引入的键合层厚度要求，在保证硅和铌酸锂键合强度的基础上，得到了厚度在200nm以下的BCB键合层。并针对键合过程中，出现稀释后BCB旋涂和预键合效果差的问题，采用两次等离子体活化技术对欲键合界面进行处理，以改善了旋涂和预键合效果。对于250℃退火固化温度下，由于热失配导致的铌酸锂裂片现象，通过将退火最高温度控制在200℃，同时延长保温时间，使裂片问题得以解决。本发明的键合技术为制备低成本、高质量的电光调制器等光学器件提供了工艺支撑。
-
公开(公告)号：CN109657787B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201811552899.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种二值忆阻器的神经网络芯片。本发明利用忆阻器具有的开关比，即存在高低两种阻态，与二值化神经网络结合起来以在不同材料的忆阻器上完成存储和运算，并将其与中央处理器结合，以提高神经网络的计算效率和速度。除执行神经网络算法外，本发明还可利用二值化神经网络架构进行类似于FPGA的现场编程；即输入经过特殊编码处理的数据流，对照其应输出结果按照二值化神经网络的方法进行现场学习，当正确率达到100％时即停止学习，该网络即可执行对应功能。
-
公开(公告)号：CN114614792A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210231010.0
申请日：2022-03-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请提供的一种声波谐振器及滤波器，用于提高谐振器及滤波器的品质因数Q值，其中一种声波谐振器，包括：衬底；声反射结构，设置在所述衬底的上表面；压电层，设置在所述声反射结构的上表面；电极结构，设置在所述压电层的上表面；其中，在所述压电层的谐振区域以外设置有沟道，所述沟道的深度小于所述压电层的厚度，所述沟道的宽度大于零且小于或等于从所述谐振区域的边界至所述压电层的边界的垂直距离，所述谐振区为所述压电层上与所述电极结构对应的区域。
-
公开(公告)号：CN114239654A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111548498.1
申请日：2021-12-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及热释电检测的温度识别分类领域，具体为一种基于双波段热释电器件的温度识别分类方法。本发明根据双波段热释电器件输出的双波段特性，利用目标黑体不同温度可映射不同双波段比值的特点，将双波段比值作为该信号的主要特征，再额外加上时域和频域的一部分特征作为该信号的特征集，从而对信号的主要特征提取完毕；并与机器学习相结合，进而达到良好的温度识别分类效果。本发明易于实现且能达到良好的分类效果，有效解决了现有的温度识别分类方法受限于各自类别使得普适性较低的问题，且可以应用于其他领域，为其他领域的发展提供新的思路。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113465635A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110646862.1
申请日：2021-06-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01D5/16
Abstract: 本发明为一种信号转换装置，具体涉及一种传感器与神经网络计算单元信号转换的装置，基于忆阻器可编程负微分电阻效应。本发明中，通过由传感器输出信号引起的忆阻器中导电离子状态变化对忆阻器输出的负微分电阻信号进行编程，进而基于可编程的负微分电阻效应实现对传感信号直接且定量的转换。在纳米尺度上，通过单一器件连接的方式，无源的忆阻器直接将传感器信号转换成模拟状态的电流信号，不再需要进行模拟信号与数字信号之间的转换。一方面，可以提高信号转换接口的集成度；另一方面，能够通过省去模数转换(A/D)和数模转换(D/A)过程降低能量消耗和信号延迟。
-
-
公开(公告)号：CN110010755B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910187199.6
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/312 , H01L41/33 , H01L41/335
Abstract: 本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器；具有缓冲层的单晶薄膜制备方法包括在单晶晶圆表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成劈裂层；在注入有高能量离子的单晶晶圆表面依次制备键合层和缓冲层，或者在单晶晶圆表面依次制备缓冲层和键合层，将涂覆有键合层和缓冲层的单晶晶圆与衬底结合，键合及单晶晶圆劈裂处理，制备得到具有缓冲层的单晶薄膜。本发明提供的具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器，通过缓冲层设计，隔离键合层产生的气泡或使得键合过程中的气泡向衬底方向移动，远离单晶晶圆，制备得到的高质量的单晶薄膜，制备得到的单晶薄膜表面无气泡、无隆起且无裂纹。
-
公开(公告)号：CN109981070B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910187249.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种无需制备牺牲层的空腔型体声波谐振器及其制备方法，包括如下步骤：取经过离子注入并具有底电极的压电单晶晶圆，并在所述压电单晶晶圆的具有底电极的一侧成型空腔，然后取衬底，将所述衬底与所述压电单晶晶圆的具有空腔的一侧键合；将键合后的中间产物进行热处理，使所述压电单晶晶圆的薄膜剥离，再在所述压电单晶晶圆的剥离后的一侧生产顶电极，即得。本发明所述的无需制备牺牲层的空腔型体声波谐振器的制备方法，不需要生长牺牲层，不对薄膜进行刻蚀开孔，其器件机械强度提高，不易对薄膜产生损伤；空腔结构在成膜前形成，成品率较高，且不会有成膜后刻蚀遗留的残渣，不需要考虑释放不完全对器件造成的影响。
-
公开(公告)号：CN110011631A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910187160.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及体声波谐振器制备技术领域，尤其是涉及一种具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器及其制备方法；步骤为：在具有损伤层的压电单晶晶圆上制备下电极和图形化的牺牲层；在图形化的牺牲层上制备应力缓冲层；在应力缓冲层上制备键合层；将衬底叠放于键合层上，进行键合处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，制备上电极；在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器；通过在单晶薄膜层与键合层间设置应力缓冲层的设计以解决现有的在键合过程中，界面应力过大导致的单晶薄膜产生裂纹、翘起、凹陷、甚至脱落等问题，提高空腔型体声波谐振器的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
143
records
(took 0.029 seconds)
