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公开(公告)号：CN108707865A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810560536.7
申请日：2018-06-04
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要： 本发明公开一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底,去除衬底表面的油污和杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与线性离子源沉积设备，离子束沉积设备采用钨靶为掺杂源，线性离子源沉积设备采用甲烷为碳源；将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室中，开启离子束沉积设备，使氩离子轰击钨靶，同时开启线性离子源沉积设备，进行碳源的注入，钨与碳相反应得到钨掺杂类金刚石薄膜；整个过程中离子束沉积设备与线性离子源沉积设备都是单独工作，不相互干扰，工艺参数各自设定；整个过程碳与钨简单的进行反应，无其它离子存在，工艺简单，可控性较强。
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公开(公告)号：CN107502868A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710795449.5
申请日：2017-09-06
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要： 本发明公开了一种高透、高阻W掺杂CN薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）选用超白高透玻璃作为衬底材料，并进行超声波清洗，达到去除衬底表面油污和灰尘的目的；2）清洗后的衬底材料置于样品架上，送入溅射腔室，通入Ar气，使C靶起辉，进行预溅射以去除表面的氧化物和杂质，预溅射完毕，通入N2气，通过与C靶的反应在衬底材料上制备出第一层CN薄膜，断开N2气，样品架转向W靶，W靶起辉溅射、镀膜，在第一层CN薄膜上制备出一层金属W膜，而后重复上述第一层CN薄膜的工艺进行第二次CN薄膜的制备，镀膜完成后得到高透、高阻W掺杂CN薄膜。本发明工艺参数简单，可变参数较少，重复性好，W的掺入进一步提高了CN薄膜的润滑性，使CN薄膜的应用领域进一步扩大。
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公开(公告)号：CN107425124A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710796096.0
申请日：2017-09-06
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院
摘要： 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜，包括由下至上依次设置在柔性基底的下SiO2膜层、Ag膜层与上SiO2膜层，所述上、下SiO2膜层的厚度均为15～60nm，所述Ag膜层的厚度为6～20nm；所述柔性基底为聚乙烯醇薄膜、聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜；Ag薄膜在可见光区具有优异的反射性能，利用诱导透射原理，通过合理的SiO2匹配可以在一定的光谱范围内实现很好的增透效果，成为SiO2/Ag/SiO2透明导电复合薄膜，且成本低廉，适于柔性基底使用。
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公开(公告)号：CN105369206A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510876661.5
申请日：2015-12-03
申请人： 凯盛光伏材料有限公司 , 中国建筑材料科学研究总院 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开一种制备柔性衬底薄膜的磁控溅射装置，包括基片与靶材，所述靶材包括上靶材与下靶材，两个靶材上下相对设置；上靶材的上部与下靶材的下部设有在两个靶材之间形成磁场的磁体，磁场方向与靶材垂直；所述基片垂直设置于两个靶材的外侧；溅射过程中，二次电子飞出靶面后，被靶材阴极的电场加速，电子受磁场束缚向阳极运动，并被有效的封闭在两个靶极之间作洛仑兹运动，形成柱状等离子体，电子能量耗尽后，最终沉积在基片上；由于该电子的能量很低，基片温升较低并且使得薄膜有效避免了离子损伤，同时，薄膜是由靶材离子散射和热分解沉积得到，因此薄膜在室温中沉积，避免柔性衬底在传统磁控溅射过程中烧糊，变形等损坏，保证薄膜质量。
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公开(公告)号：CN114050223A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111408541.4
申请日：2021-11-24
摘要： 本发明提供一种透明导电结构的制备方法，包括：步骤S1，提供一柔性基底；步骤S2，于柔性基底的上表面沉积得到一第一金属氧化物层；步骤S3，于第一金属氧化物层的上表面沉积得到一合金层；步骤S4，于合金层的上表面沉积得到一金属层；步骤S5，于金属层的上表面沉积得到一第二金属氧化物层。有益效果是通过本方法制备得到的透明导电结构的总厚度不大于110nm，镀膜时间短，可以有效提高光的取出效率并减少光损失，并且在室温下即可达到比ITO薄膜更佳的光电性能。
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公开(公告)号：CN112899631A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110109552.6
申请日：2021-01-27
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要： 本发明公开一种高透、高阻、高硬度共掺杂DLC薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面污垢：S2、采用磁控三靶共溅射系统，将W靶与C靶分别放置于磁控三靶共溅射系统的两个靶位，W靶与C靶均采用直流电源，然后对磁控三靶共溅射系统抽真空、通入氩气、起辉，活化和清理靶材；S3、将衬底置于磁控三靶共溅射系统内，直流电源对磁控三靶共溅射系统抽真空，在真空度抽至6.0*10‑5Pa时，通入溅射气体氩气，起辉，进行预溅射；S4、在衬底表面溅射镀膜，得到所述共掺杂DLC薄膜；该方法既可以提高DLC薄膜的硬度，又可以达到高透过率，还能够改变薄膜的电阻，以达到高电阻的特性，满足器件更高的使用要求。
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公开(公告)号：CN112661412A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011426893.8
申请日：2020-12-09
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号： C03C17/00
摘要： 本发明公开一种辊涂装置及其光伏玻璃镀膜方法，包括有机架，所述机架上设置有左右对称的两个横向滑轨以及第一升降杆、第二升降杆，在所述横向滑轨上架设有挡液槽，所述第一升降杆上设置有第一辊涂机，第二升降杆上设置有第二辊涂机；在所述机架的尾端设置有干燥机，由所述机架上的传送带将玻璃导入干燥机中进行烘干，所述传送带位于挡液槽的下方；可缩短产品生产周期，提高设备利用率，改善产品质量。
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公开(公告)号：CN112626470A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011427678.X
申请日：2020-12-09
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要： 本发明公开一种碳自掺杂且浓度呈梯度分布的CN薄膜的制备方法，包括以下步骤：a、清洗衬底，去除衬底表面污垢；b、将衬底置于离子溅射腔室内，以纯度为99.99％的石墨作为靶材，以N2作为为离子束的N+离子源，氩气作为轰击气体；利用离子溅射镀膜工艺，在衬底表面沉积CN薄膜；c、在步骤b沉积过程中，按照梯度变化供应N2，得到C含量为梯度浓度的CN薄膜；该方法制备得到CN薄膜的碳自掺杂浓度呈梯度分布，改变CN薄膜的电学性能，并且制备过程可控性强，易于重复。
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公开(公告)号：CN112599614A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011560994.4
申请日：2020-12-25
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/054 , H01L31/055
摘要： 本发明公开一种反射光谱可调的CdTe薄膜太阳能电池，包括玻璃基底（1），玻璃基底顶面由下至上依次层叠有前电极（2）、缓冲层（3）、CdTe薄膜吸收层（4）、背接触层（5）与保护层（6）；所述前电极（2）作为彩色功能层是由TCO透明导电膜层（21）/界面膜层（22）/金属透明导电膜层（23）/界面膜层（24）/TCO透明导电膜层（25）叠加构成的复合膜层。该电池结构本身即可实现携带颜色，并且颜色易于调节，同时保障薄膜太阳能电池的整体结构及性能。
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公开(公告)号：CN109448922B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201811441772.3
申请日：2018-11-29
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要： 本发明公开一种柔性可弯曲电子信息玻璃的制备方法，包括以下步骤：S1、采用经过羟基化处理的柔性基底，在柔性基底表面制备预制导电层；S2、采用磁控溅射或原子层沉积工艺在预制导电层表面制备第一透明导电膜层；S3、在第一透明导电膜层表面制备高透减反层；S4、在高透减反层表面制备超导层；S5、采用磁控溅射或原子层沉积工艺在超导层表面制备第二透明导电膜层，得到所述柔性可弯曲电子信息玻璃；本发明方法能够制备出的柔性可弯曲电子信息玻璃具有附着力强、成本低、透过率高、电阻低且性能稳定的优点。
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