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公开(公告)号:CN1247387C
公开(公告)日:2006-03-29
申请号:CN02808317.2
申请日:2002-02-18
申请人: 杰桑企业
CPC分类号: B44C1/22 , B23K26/034 , B44B3/065 , B44B5/022 , C04B41/009 , C04B41/53 , C04B41/5346 , C04B41/91 , C04B35/52
摘要: 为了在钻石(7)的顶切面(7a)上形成微小的标记,保持器或宝石夹(11)与钻石(7)一起旋转,光致抗蚀剂施加在该顶切面(7a)上,该抗蚀剂通过加热该宝石夹(11)的基部从而进行烘焙,并且宝石夹(11)转移到设备的工作台(30)以便使抗蚀剂暴光。抗蚀剂通过暴光辐射被暴光成具有图案,该图案是掩膜(35)经物镜(38)形成的缩小图象。暴光辐射通过辐射源(31)进行投射,并且在350-450nm之间。为了定位、定向和聚焦该图象,辐射源(31)配置成投射500-550nm的光,其不影响抗蚀剂并在顶切面(7a)上形成构图图象。该构图图象经物镜(38)和光束分离器(36)在观察面(44)处观察。在暴光之后,抗蚀剂显影并且该顶切面(7a)的暴光区域随后通过等离子进行磨铣。
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公开(公告)号:CN1716522A
公开(公告)日:2006-01-04
申请号:CN200410083276.7
申请日:2004-07-08
申请人: 齐卡博制陶业有限公司
发明人: M·G·范穆斯特尔
IPC分类号: H01L21/00
CPC分类号: C04B41/009 , C04B41/5346 , C04B41/91 , H01L21/673 , C04B35/565
摘要: 金属碳化物衬底的表面的处理方法,所述的金属碳化物衬底用于半导体制造工艺。本发明也涉及用根据本发明的方法处理的用于半导体制造工艺的金属碳化物衬底。根据本发明,所述的方法包括使用反应性气体混合物选择性蚀刻所述金属碳化物衬底表面的步骤,由此在所述的金属碳化物衬底上形成碳表面层,并除去在所述金属碳化物衬底上生成的所述碳表面层。因而,用根据本发明的方法步骤,能够获得具有表面结构的金属碳化物衬底,该表面结构遵从关于如半导体制造工艺中所需的尺寸和纯度的高标准。尤其是,根据本发明步骤处理的金属碳化物衬底非常适合作为用于搬运及容纳半导体晶片的晶片舟,在该半导体晶片上,在精确、优良控制工作条件(温度、压力和真空)下,完成半导体制造过程的后续处理工艺(例如半导体层淀积或温度退火)。
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公开(公告)号:CN1211312C
公开(公告)日:2005-07-20
申请号:CN97101200.8
申请日:1997-06-28
申请人: 宇部兴产株式会社
IPC分类号: C04B35/10 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/622
CPC分类号: C30B29/22 , C04B35/117 , C04B38/04 , C04B41/009 , C04B41/5353 , C04B41/91 , C04B2111/00793 , C04B2111/0081 , C30B11/00 , C04B38/0058
摘要: 一种由两种或多种晶相的不同组份组成的陶瓷复合材料,每种晶相具有不规则的形状,所说的晶相具有相互交织的三维连续结构,至少一种晶相是单晶。而且,从此陶瓷复合材料中除去至少一种晶相,提供一种由至少一种晶相和气孔组成的多孔陶瓷材料,所说的晶相和气孔具有不规则的形状和三维连续以及相互交织的结构。
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公开(公告)号:CN1206188C
公开(公告)日:2005-06-15
申请号:CN01819177.0
申请日:2001-06-25
申请人: 坎姆科国际(英国)有限公司
CPC分类号: B22F7/06 , B22F2003/244 , B22F2005/001 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , B23B27/145 , C04B35/52 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B41/009 , C04B41/459 , C04B41/53 , C04B41/81 , C04B41/91 , C04B2235/405 , C04B2235/427 , C04B2235/75 , C04B2237/363 , C04B2237/401 , E21B10/006 , E21B10/43 , E21B10/5673 , E21B10/5676 , E21B10/5735 , E21B10/602 , E21B2010/566 , C04B41/4539 , C04B41/5001 , C04B41/4564 , C04B41/5144 , B22F2207/03 , B22F1/0014 , C22C26/00
摘要: 本发明提供了一种超硬聚晶金刚石或类金刚石元件,它具有极大改善的耐热退化性能,而没有冲击强度损失。这些元件是采用一种粘结剂-催化材料在一高温高压处理中形成的,统称作PCD元件。所述PCD元件具有大量部分粘结的金刚石或类金刚石晶体,其形成至少一种连续的金刚石基质,而且在所述金刚石晶体中间隙形成至少一种连续的含有一种催化材料的间隙基质。所述元件具有一工作表面和一主体,其中,在邻近所述工作表面的主体中的所述间隙基质的部分,是基本不含所述催化材料的,而剩余的间隙基质含有所述催化材料。在切割应用中这转化为具有较高的耐磨性能,在散热片应用中转化为较高的传热性能,并且在包括中空模、压锥、机床心轴和磨损元件的许多其它应用中具有优点。
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公开(公告)号:CN1440322A
公开(公告)日:2003-09-03
申请号:CN01812032.6
申请日:2001-07-23
申请人: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
发明人: A·G·赫尔勒
CPC分类号: C04B41/009 , B08B3/08 , B08B7/00 , B08B7/02 , C04B41/53 , C04B41/91 , C04B35/00 , C04B35/565
摘要: 本发明揭示了一种用于制备半导体的陶瓷工件例如SiC舟的清洁方法。该方法包括用化学去除剂清洗初始的或用过的陶瓷工件,然后在酸洗过的组件上应用二氧化碳粒子清洁方法。发现本发明的方法可获得表面上金属和微粒污染物含量很低的工件。
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公开(公告)号:CN1209651A
公开(公告)日:1999-03-03
申请号:CN98115634.7
申请日:1998-07-02
申请人: 西门子公司
IPC分类号: H01L21/8229
CPC分类号: H01L28/55 , C04B41/5346 , C04B41/91 , C23F4/00 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L21/32135 , H01L21/32139 , H01L28/60
摘要: 本发明涉及一种结构形成方法,至少可制备一种欲成结构的薄层,该方法包括步骤:在衬底上制备欲成结构的薄层,在欲成结构的薄层上制备掩膜,对欲成结构的薄层进行干蚀刻,其中至少配有一种反应性物质。本发明方法的特征在于,当干蚀刻时,反应性物质和掩膜材料和/或衬底材料在掩膜和/或衬底表面上反应形成一种非挥发性化合物。
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公开(公告)号:CN1023657C
公开(公告)日:1994-02-02
申请号:CN88108616
申请日:1988-12-16
申请人: 格拉沃贝尔公司
发明人: 皮尔·罗宾
CPC分类号: C04B41/009 , C03B5/43 , C04B35/66 , C04B41/5025 , C04B41/53 , C04B41/87 , C04B41/91 , C04B2111/00155 , C04B2111/00336 , C04B2111/72 , F27D1/1647 , C04B41/0072 , C04B41/455 , C04B41/5007 , C04B35/00
摘要: 在耐火结构涂装方法中,向待涂装部位喷射带颗粒混合物的可燃气流。颗粒混合物包括一种或多种可氧化形成一种或多种耐火氧化物的元素颗粒(“燃料颗粒”)和耐火氧化物颗粒并让燃料颗粒在喷射过程中燃烧。混合物还包括助熔剂,其助熔作用能在燃料颗粒燃烧释放的热量作用下使耐火结构变软,其软化程度能使该结构在清扫气流的机械作用下通过其材料的清除或替代而达到涂装目的。适宜燃料包括极细铝和/或硅颗粒。适宜助熔剂包括氟化物和其氧化物加入混合物中进行喷射的金属以外的金属化合物如碱金属化合物特别是选自基硼酸盐,硫酸盐,碳酸盐和磷酸盐。
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公开(公告)号:CN1034614A
公开(公告)日:1989-08-09
申请号:CN88108616
申请日:1988-12-16
申请人: 格拉沃贝尔公司
发明人: 皮尔·罗宾
CPC分类号: C04B41/009 , C03B5/43 , C04B35/66 , C04B41/5025 , C04B41/53 , C04B41/87 , C04B41/91 , C04B2111/00155 , C04B2111/00336 , C04B2111/72 , F27D1/1647 , C04B41/0072 , C04B41/455 , C04B41/5007 , C04B35/00
摘要: 在耐火结构涂装方法中,向待涂装部位喷射带颗粒混合物的可燃气流。颗粒混合物包括一种或多种可氧化形成一种或多种耐火氧化物的元素颗粒(“燃料颗粒”)和耐火氧化物颗粒并让燃料颗粒在喷射过程中燃烧。混合物还包括助熔剂,其助熔作用能在燃料颗粒燃烧释放的热量作用下使耐火结构变软,其软化程度能使该结构在清扫气流的机械作用下通过其材料的清除或替代而达到涂装目的。适宜燃料包括极细铝和/或硅颗粒。适宜助熔剂包括氟化物和其氧化物加入混合物中进行喷射的金属以外的金属化合物如碱金属化合物特别是选自其硼酸盐,硫酸盐,碳酸盐和磷酸盐。
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公开(公告)号:CN109053228A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201811093456.1
申请日:2018-09-19
申请人: 东莞信柏结构陶瓷股份有限公司
CPC分类号: C04B41/91 , C04B41/50 , C04B41/5072 , C04B41/51 , C04B41/53 , C04B41/85 , C04B41/88 , C04B41/4576
摘要: 本发明公开了氧化锆陶瓷表面处理方法及氧化锆陶瓷制品。上述的氧化锆陶瓷表面处理方法,包括如下步骤:将氧化锆陶瓷制品的表面按照字符或图案的形状进行雕刻,形成深度为0.1mm‑0.2mm的字符或图案;采用PVD真空镀膜的方法在所述字符或图案内镀上金属或者金属化合物,并将所述金属或者金属化合物填满所述字符或图案,以使所述字符或图案显示出相应的颜色;氧化锆陶瓷制品由上述的氧化锆陶瓷表面处理方法制备而成。本发明所述铝合金表面处理方法,可以在陶瓷制品上制备出需要的颜色和字符、图案,使得陶瓷制品的外观更符合个性化的要求。
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公开(公告)号:CN108793979A
公开(公告)日:2018-11-13
申请号:CN201810760701.3
申请日:2018-07-12
申请人: 李磊
发明人: 李磊
IPC分类号: C04B35/117 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B41/85 , C04B41/91
CPC分类号: C04B35/117 , C04B35/622 , C04B35/62605 , C04B35/63452 , C04B41/009 , C04B41/5037 , C04B41/5353 , C04B41/85 , C04B41/91 , C04B2235/3232 , C04B2235/349 , C04B2235/407 , C04B2235/408 , C04B2235/425 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B35/48 , C04B41/5001 , C04B41/46 , C04B41/4838 , C04B41/459
摘要: 本发明涉及一种医疗器械用陶瓷的制备方法,包括以下步骤:(1)、陶瓷使用氧化锆陶瓷作为基体,对氧化锆陶瓷表面进行改性处理;(2)、制备外层陶瓷基体;(3)、外层陶瓷制备,将步骤(2)制备的外层陶瓷基体包覆在步骤(1)处理好的改性氧化锆陶瓷表面,然后放入模具中模压成型,烘干,烧结成型。本发明提供的医疗器械用陶瓷的制备方法以氧化锆陶瓷为基体,通过对氧化锆陶瓷表面进改性处理,使得其表面具有良好的附着性能,然后,在外层涂覆以氧化铝为主要基体的陶瓷材料,在外层陶瓷制备时,加入了本申请中复配制成的抗静电剂,显著提升了陶瓷的抗静电效果,在具有更好的抗静电性能的同时,保持表面陶瓷的强度。
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