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公开(公告)号：CN116217573A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310160890.1
申请日：2023-02-24
申请人： 南开大学
摘要： 本申请提供了一种垂直单分子膜场效应控制开关及其制备方法，所述垂直单分子膜场效应控制开关采用在室温下具有双稳态的[2]轮烷分子，在不同偏压作用下，双稳态的[2]轮烷分子可以在低电导态和高电导态之间切换，使器件在开关状态之间灵敏快速切换；进一步地，所述垂直单分子膜场效应控制开关包括半导体基底层、导电金属源端电极、绝缘支撑层、自组装单分子膜、单层石墨烯漏端电极、导电金属漏端电极、导电金属栅电极和离子栅极，所述自组装单分子膜由所述[2]轮烷分子构成；本申请提供的垂直单分子膜场效应控制开关具有较强的栅电场调控能力和较好的稳定性。
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公开(公告)号：CN116199707A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310209593.1
申请日：2023-03-07
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。
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公开(公告)号：CN112266387B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202011178673.8
申请日：2020-10-29
申请人： 北京八亿时空液晶科技股份有限公司
IPC分类号： C07D493/04 , C07D495/04 , C07D487/04 , C07C211/61 , C07D493/16 , C07D495/16 , C07D491/16 , C07D311/94 , C07D251/24 , C07D493/06 , C07D495/06 , C07D487/06 , C09K11/06 , H10K50/10 , H10K85/00 , H10K30/50 , H10K10/46
摘要： 本发明涉及一种苯并菲衍生物及其应用，所述的苯并菲衍生物的结构式如式(I)所示。本发明所述的苯并菲衍生物具有吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩并苯并菲的稠环结构的新型有机电致发光化合物，是在苯并菲的基础上增大分子内的电子密度，同时调整取代基团增大分子位阻、减弱分子间的π‑π相互作用，提高分子的内量子效率，并且具有与现有的化合物相比更短的发光波长。同时，所述的苯并菲衍生物阻碍有机分子间激‑激复合物的生成、增加内部电子密度和稳定性，因此，利用本发明所述的苯并菲衍生物制备有机电致发光器件的效果和寿命明显提高。
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公开(公告)号：CN116156902A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211198838.7
申请日：2022-09-29
申请人： 三星显示有限公司
摘要： 本发明提供了显示装置和用于制造显示装置的方法。该显示装置包括基板和薄膜晶体管。薄膜晶体管包括设置在基板上的半导体层并且包括与半导体层重叠并与半导体层绝缘的栅电极。半导体层包括多晶硅层和有机层。多晶硅层具有第一表面并且具有与第一表面重叠的凹凸表面。有机层设置在多晶硅层的凹凸表面上并且包括有机半导体材料。
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公开(公告)号：CN116113291A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310275738.8
申请日：2023-03-21
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明涉及微电子材料与器件技术领域，涉及一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法；N型聚合物场效应晶体管为顶栅底接触结构；首先在衬底上通过掩膜版使用真空蒸镀的方式制备铋金属膜作为源、漏电极，随后在其表面旋涂有机半导体作为有源层，待其退火结束后在其表面旋涂绝缘体作为介电层，最后通过掩模膜版在介电层上方蒸镀铝金属膜作为栅电极；该方法制备的接触电极相较于传统的金接触电极，其N型电接触性能获得了明显改善，器件性能明显提升，同时制备成本得到显著下降。
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公开(公告)号：CN113193115B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202110548713.1
申请日：2021-05-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种悬空碳纳米管场效应晶体管及其制备方法。本发明目的在于解决碳纳米管场效应管由于喷印碳纳米管墨水作为一种非接触式的直接印制方式，涂覆的沟道材料与两电极的接触电阻较大的问题。该器件自下而上包括背栅电极，高κ栅介质层，漏电极，源电极以及有源沟道层。主要方案包括在洁净的基板正面制备漏电极、源电极以及反面的背栅电极，并通过电子束蒸镀法制备纳米银导电薄膜，并喷印一层半导体性碳纳米管形成晶体管的有源沟道层，最后通过高温退火处理烧结纳米银薄膜使沟道层的纳米银薄膜坍缩，形成悬空的碳纳米管场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN116096101A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310244089.5
申请日：2023-03-15
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H10K10/46 , H10K71/00 , H10K77/10 , H03K19/0944 , H03K19/20
摘要： 本发明属于有机半导体电子器件技术领域，公开了一种柔性阈值可调的负电容晶体管及制备方法、小型逻辑电路，柔性阈值可调的负电容晶体管包括柔性衬底、有机半导体层、有机介质层，源漏电极以及两个栅极，制备方法为：在柔性衬底表面制备底栅电极且旋涂有机铁电性薄膜，在有机介质层表面旋涂有机聚合物薄膜作为半导体沟道层，制备源/漏金属电极，最后旋涂有机铁电薄膜并制备顶栅电极。本发明利用有机铁电晶体管的负电容原理降低了工作电压及功耗，制作双栅极结构使晶体管的阈值电压可调，在以单极性器件为基础元件的柔性逻辑电路中具有重大的作用。
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公开(公告)号：CN111599920B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010433545.7
申请日：2020-05-21
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明公开了一种柔性温度传感器，其包括：柔性衬底；设置在柔性衬底上的有源层；源极；漏极；覆盖有源层上的介电层；以及设置在介电层上的栅极；所述有源层的材料为复合丝基碳纳米纤维；所述复合丝基碳纳米纤维包括丝基碳纳米纤维、以及分布在丝基碳纳米纤维表面的Ag纳米颗粒。上述柔性温度传感器，采用纳米结构的OFET进行传感，尺寸微小，有利于细胞微环境的温度传感；其生物相容性好，不对细胞产生毒性从而影响细胞的存活率；其灵敏度高，更适合对细胞级操作；其采用柔性材料，既保证了在一定应变下温度的传感稳定性和准确性，又避免了在移动中碰撞损坏细胞。本发明还提供了柔性温度传感器的制备方法及其应用。
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公开(公告)号：CN115448958B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211398553.8
申请日：2022-11-09
申请人： 吉林奥来德光电材料股份有限公司
摘要： 本发明属于有机光电材料领域，公开了一种有机金属化合物及包含其的有机电致发光器件与应用。所述有机金属化合物的结构式为Ir(L1)m(L2)n；其中，m为2，n为1，L1和L2均为配体，分别为：。本发明提供一种有机金属化合物，旨在解决现有的发光器件效率降低，稳定性差，寿命短等问题，适于推广与应用。
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公开(公告)号：CN113299832B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110549606.0
申请日：2021-05-20
摘要： 本公开提供了一种基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管的CMOS电路，包括：衬底，所述衬底由环境可降解材料形成；沟道区，所述沟道区的沟道材料为碳纳米管；栅介质层，所述栅介质层的材料为金属氧化物；栅电极，所述栅电极的材料为铝；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极由叠层金属形成。本公开还提供了一种基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管的CMOS电路的制备方法。
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