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公开(公告)号：CN109868387A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910216395.1
申请日：2019-03-21
申请人： 孟静
摘要： 本发明公开了一种铝合金制备装置。所述装置在使用时首先将TiH2粉、铝粉及硼氢化钛粉混合均匀并压制成第二合金预制块；将硼粉、钛粉及铝粉压制成第一合金预制块，并将两种块体放置或者压制在一起，引燃第一合金预制块后，第二合金预制块受热TiH2粉及硼氢化钛粉分解并进一步发生自蔓延反应，最终第二合金预制块内通过自蔓延反应形成细小TiB2颗粒、含氢钛铝熔体及氢气，氢气的形成瞬间产生高压，将TiB2颗粒及含氢钛铝熔体液滴喷射至预先熔炼好的纯铝熔体中，经过除气处理，除渣后，形成Al-5%Ti-xB中间合金。所述装置可以减小TiB2颗粒尺寸，提高其在中间合金中的弥散效果，同时减少细化剂制备的环境污染，进而提高了制备的铝合金的力学性能。
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公开(公告)号：CN109453529A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201910051753.8
申请日：2019-01-21
申请人： 孟静
摘要： 本发明公开了一种便于组装的玩具机器人，涉及玩具技术领域。所述机器人包括头部，所述头部的底端连接有箱体，所述箱体的顶部后侧开设有齿条口，齿条口内插设有竖直设置的齿条，齿条的上端从所述齿条口内伸出，与所述齿条位置相对的箱体的底部设置有复位弹簧安装槽，位于上侧的所述外侧连接杆的另一端分别连接有一个臂部，位于下侧的所述外侧连接杆的另一端分别连接有一个腿部，所述齿轮结构与所述外侧连接杆之间的内侧连接杆上沿其径向方向固定有锁定柱，当所述机器人组装完成时，所述齿条卡接到高挡板与低挡板之间，将所述齿条锁闭。所述机器人的臂部和腿部能迅速的组装和拆卸，不仅能够培养孩子的动手能力，且当零部件损坏时方便更换。
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公开(公告)号：CN109112622A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810991776.2
申请日：2018-08-29
申请人： 孟静
发明人： 孟静
CPC分类号： C30B28/08 , B28D5/00 , B28D5/0058 , C30B29/06 , C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池用多晶硅片的制备系统。所述制备系统的多晶硅锭制备及提纯装置首先通过冶金法熔炼硅合金熔体，并通过降温使硅从硅合金熔体中长出，完成多晶硅锭的第一次提纯；在提拉出的多晶硅锭周围设置对称偶数个电磁约束熔炼器，在多晶硅凝固的过程中，多晶硅内的杂质要进行分凝，凝固的部分将杂质排到未凝固的熔体中，实现已凝固材料的提纯，因为设置有多个电磁约束熔炼器，每个电磁约束熔炼器都会产生相应的区域熔炼熔池，区域熔炼熔池分别对多晶硅锭进行提纯，因而，进一步的提高了制备的多晶硅锭的纯度，从而使得制备的多晶硅片的纯度较高，进而提高了太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN109097828A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810844087.9
申请日：2018-07-27
申请人： 孟静
CPC分类号： C30B29/06 , B28D5/00 , C30B11/003 , C30B11/02
摘要： 本发明公开了一种单晶硅片的制备系统，涉及晶体的生长方法技术领域。所述制备系统包括单晶硅棒生长装置、单晶硅棒切割装置、硅片裁切装置、硅片清洗装置以及硅片烘干装置。所述单晶硅棒生长装置用于生长单晶硅棒；所述切割装置用于对所述单晶硅棒进行切割，制备成厚度符合要求的单晶硅片；所述裁切装置用于对所述硅片进行裁切处理，加工出需要的形状；所述清洗装置用于对裁切后的硅片进行清洗，去除硅片表面的杂质；所述硅片烘干装置用于将清洗后的硅片进行烘干处理。所述制备系统能够顺利完成单晶硅片的制备，且系统结构较为简单，制备方便。
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公开(公告)号：CN109053163A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811233358.3
申请日：2018-10-23
申请人： 孟静
CPC分类号： C04B35/10 , B28B1/001 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B33Y70/00 , C04B35/58071 , C04B35/622 , C04B2235/6026
摘要： 本发明公开了一种原位陶瓷复合材料的3D打印装置，涉及3D打印装置技术领域。所述装置在使用时首先将铝粉与TiO2粉按着摩尔比混合均匀，在高温下压制成复合棒材。将复合棒材与氧化硼加热至熔融态，并使之在基体处相遇，在旋转搅拌器的作用下在界面处混合均匀，由于高温作用触发氧化硼、铝与TiO2反应并生成TiB2/Al2O3陶瓷复合材料。同时运动小车系统在控制系统控制下带动承载台不断移动，TiB2/Al2O3陶瓷复合材料层不断按着程序的设定铺展，最终获得所需的TiB2/Al2O3陶瓷复合材料的3D形状。所述装置在使用时采用3D打印结合自蔓延法制备陶瓷材料技术进行精密成型，具有方法简单，效率高，制备零件的精度高等特点。
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公开(公告)号：CN108908764A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810844060.X
申请日：2018-07-27
申请人： 孟静
CPC分类号： B28D5/00 , B28D5/0058 , B28D5/0076 , C30B11/003 , C30B29/06
摘要： 本发明公开了一种单晶硅片的制备方法，涉及晶体的生长方法技术领域。所述制备方法通过所述单晶硅棒生长装置生长单晶硅棒；通过所述切割装置对所述单晶硅棒进行切割，制备成厚度符合要求的单晶硅片；通过所述裁切装置对所述硅片进行裁切处理，加工出需要的形状；通过所述清洗装置对裁切后的硅片进行清洗，去除硅片表面的杂质；通过所述硅片烘干装置将清洗后的硅片进行烘干处理。所述制备方法能够顺利完成单晶硅片的制备，且系统结构较为简单，制备方便。
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公开(公告)号：CN108878063A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810709171.X
申请日：2018-07-02
申请人： 孟静
CPC分类号： H01B13/00 , H01B1/02 , H01B13/0016
摘要： 本发明公开了一种铜包铝线缆的制备方法，涉及金属材料的制备方法技术领域。所述方法首先使用铜包铝棒材制备炉制备铜包铝棒材；然后制备好的铜包铝棒材输送至拉拔机进行拉拔处理，通过拉拔机对所述铜包铝棒材进行若干次拉拔形成铜包铝线材，使其铜包铝线材的直径满足要求；最后将制备好的铜包铝线材输送至退火炉中处理，使包裹在铝芯外侧的铜层与铝芯之间紧密贴合到一起，形成铜包铝线缆。所述方法利用铜的离心铸造及铜和铝定向凝固结合来制备铜包铝复合棒材，由于采用了铜层级铝芯的定向凝固技术，因而具有铝和铜界面结合良好且铝和铜强度高的优点。
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公开(公告)号：CN108866346A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810851635.0
申请日：2018-07-30
申请人： 孟静
发明人： 孟静
CPC分类号： C22B9/20 , B22D13/08 , C22C1/023 , C22C19/055 , C22F1/10
摘要： 本发明公开了一种汽车发动机零部件制备方法，涉及汽车零部件技术领域。所述制备方法使用高温合金熔炼与成型装置、第一传送装置与回火炉，所述熔炼与成型装置用于对汽车发动机零部件制备用高温复合金属材料进行熔炼并将熔化后的复合材料通过其上的铸造模具铸造发动机零部件，第一传送装置用于将冷却的发动机零部件传送给所述回火炉进行处理，所述回火炉用于对第一传送装置传送来的发动机零部件进行回火处理；所述高温合金熔炼与成型装置通过多工位等离子电弧熔炼，结合洛伦兹力和离心力，完成高温合金的熔炼与快速成型过程，具有熔炼温度高，熔炼效率高，精密度高，温合金铸件质量优异等特点。
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公开(公告)号：CN108796611A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810733580.3
申请日：2018-07-06
申请人： 孟静
发明人： 孟静
CPC分类号： C30B29/406 , C30B9/06
摘要： 本发明公开了一种氮化镓单晶生长方法，涉及半导体材料的制备方法技术领域。所述方法主要利用氮等离子挥发回流方法在晶体生长界面形成过饱和熔体的方法来制备氮化镓晶体的方法及装置。利用氮等离子体挥发助熔镓‑钠‑氮熔体，镓和钠元素在高温下挥发并在冷凝器上冷却为镓‑钠熔体，镓‑钠熔体回流至回流系统中，在回流系统中不断放入氮化钠，氮化钠受热分解使得熔体处于氮饱和状态，饱和熔体回流至高温固液界面处形成过饱和熔体进行晶体生长。
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公开(公告)号：CN108796606A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810740370.7
申请日：2018-07-07
申请人： 孟静
摘要： 本发明公开了一种太阳能级多晶硅制备装置，涉及多晶硅的制备装置技术领域。所述装置首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素，然后进一步铝‑硅合金合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除钛、铁等元素，然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯，通过上述三步能够去除多晶硅中的多种杂质，提高制备的太阳能级多晶硅纯度。
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