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公开(公告)号：CN109056063A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810991756.5
申请日：2018-08-29
申请人： 孟静
发明人： 孟静
CPC分类号： C30B29/06 , C30B28/08 , C30B33/10 , H01L21/02008
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池用多晶硅片的制备方法。所述制备方法在进行多晶硅锭制备及提纯的过程中首先通过冶金法熔炼硅合金熔体，并通过降温使硅从硅合金熔体中长出，完成多晶硅锭的第一次提纯；在提拉出的多晶硅锭周围设置对称偶数个电磁约束熔炼器，在多晶硅凝固的过程中，多晶硅内的杂质要进行分凝，凝固的部分将杂质排到未凝固的熔体中，实现已凝固材料的提纯，因为设置有多个电磁约束熔炼器，每个电磁约束熔炼器都会产生相应的区域熔炼熔池，区域熔炼熔池分别对多晶硅锭进行提纯，因而，进一步的提高了制备的多晶硅锭的纯度，从而使得制备的多晶硅片的纯度较高，进而提高了太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108588830A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810831924.4
申请日：2018-07-26
申请人： 孟静
IPC分类号： C30B29/06 , C30B28/08 , C30B30/04 , C01B33/037
CPC分类号： C30B29/06 , C01B33/037 , C30B28/08 , C30B30/04
摘要： 本发明公开了一种提纯太阳能级多晶硅的装置。所述装置主要通过对工业硅进行冶金法熔炼后，经过对提拉定向生长多晶硅进行多级电磁约束区域提纯的方法来获得太阳能级多晶硅。首先通过冶金法熔炼硅合金熔体，然后经过提拉定向生长多晶硅来初步提纯多晶硅后，在提拉出的多晶硅锭周围设置对称偶数个电磁约束熔炼器，实现多级电磁约束区域提纯，并进一步实现高纯度提纯多晶硅。
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公开(公告)号：CN102918186A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201080067192.8
申请日：2010-12-30
申请人： 纽约市哥伦比亚大学理事会
IPC分类号： C30B13/00
CPC分类号： C30B28/08 , B23K26/067 , B23K26/354 , C30B1/08 , C30B13/24
摘要： 本发明涉及用于使用叠加扫描元件进行单次扫描线扫描结晶的方法和系统。一方面，所述方法包括由脉冲激光源产生多个激光束脉冲，其中各激光束脉冲具有经过选择以熔融薄膜并在冷却时使得在所述薄膜中结晶的通量；使用第一光路将第一激光束脉冲引导至薄膜上；使所述薄膜以恒定的第一扫描速度沿第一方向行进；和使用光学扫描元件使第二激光束脉冲从所述第一光路偏转至第二光路，使得所述偏转引起所述膜经历所述激光束脉冲相对于所述薄膜的第二扫描速度，其中所述第二扫描速度小于所述第一扫描速度。
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公开(公告)号：CN109112622A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810991776.2
申请日：2018-08-29
申请人： 孟静
发明人： 孟静
CPC分类号： C30B28/08 , B28D5/00 , B28D5/0058 , C30B29/06 , C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池用多晶硅片的制备系统。所述制备系统的多晶硅锭制备及提纯装置首先通过冶金法熔炼硅合金熔体，并通过降温使硅从硅合金熔体中长出，完成多晶硅锭的第一次提纯；在提拉出的多晶硅锭周围设置对称偶数个电磁约束熔炼器，在多晶硅凝固的过程中，多晶硅内的杂质要进行分凝，凝固的部分将杂质排到未凝固的熔体中，实现已凝固材料的提纯，因为设置有多个电磁约束熔炼器，每个电磁约束熔炼器都会产生相应的区域熔炼熔池，区域熔炼熔池分别对多晶硅锭进行提纯，因而，进一步的提高了制备的多晶硅锭的纯度，从而使得制备的多晶硅片的纯度较高，进而提高了太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108691011A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810598312.5
申请日：2018-06-12
申请人： 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
摘要： 一种生产高效多晶籽晶的铺底方法，该铺底方法为，首先采用单晶籽晶在石英坩埚内进行铺底，每块单晶籽晶之间留2‑10cm的缝隙，再用原生纯料或碎硅片填充单晶籽晶之间的缝隙，通过单晶籽晶和原生纯料或碎硅片进行共同引晶生长，可制得高效多晶硅锭。本发明所述的铺底方法制得的高效多晶硅片电池转换效率比传统高效多晶硅片高0.05%以上，提高了高效多晶硅片电性能。
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公开(公告)号：CN102392296B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201110193647.7
申请日：2011-07-06
申请人： 应达公司
发明人： 奥列格·S·菲什曼
IPC分类号： C30B28/06
CPC分类号： C01B33/021 , C01B33/02 , C01B33/023 , C01B33/039 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B28/06 , C30B28/08 , C30B28/10 , C30B29/06
摘要： 固态或半固态原料在开底电感应冷坩埚炉中被熔化。定向凝固的多晶固体提纯物质连续地离开该炉的底，而且在重力送料入输送铸模之前，可选地穿过热调节室。在输送铸模填满多晶物质以及从物质的连续供应中被切割后，提纯多晶固体物质锭被传输到远程保存区。该锭的冷却在远离该冷坩埚炉的开底处完成。
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公开(公告)号：CN109402724A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710703145.1
申请日：2017-08-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明提供一种非掺杂和Eu2+掺杂碘化锶晶体的定向区熔生长装置和方法，该装置包括：可升降支架，由所述可升降支架支撑的滚轴丝杆平台，由步进电机控制以相对于所述滚轴丝杆平台移动的移动温场，通过固定支架固定于所述滚轴丝杆平台并横穿所述移动温场的石英玻璃炉管，置于所述石英玻璃炉管内部的生长容器。本发明有利于实现晶体生长的动态或实时观察，且可以采用籽晶接种工艺，获取特定方向的晶体，同时，生长出的晶体顶部处于非受限状态，给晶体的膨胀预留了空间，有利于晶体内部应力的及时释放，减少晶体的开裂，本方法生长速度快，晶体生长的成功率高，制得的单晶体质量优异，因此大大降低了晶体的生产成本。
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公开(公告)号：CN109161963A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811268276.2
申请日：2018-10-29
申请人： 大连颐和顺新材料科技有限公司
摘要： 本发明涉及多晶硅回收技术，提出了一种高效回收金刚线切割硅粉制备太阳能级多晶硅的方法。首先，对硅粉废料进行预处理，再采用高能量密度的加热方式对硅粉废料进行造粒，之后对造粒后的硅块进行真空定向凝固，最后对硅锭进行电子束熔炼。本发明采用激光或电弧加热方式，由于具有能量密度高的特点，可以使一定区域内的超细硅粉在未来得及发生严重氧化的前提下，瞬间熔化并快速凝结成具有一定体积的硅块。高能量密度造粒过程，硅的出成率>95%，显著提高了后续熔炼过程的填充效率，降低成本。同时，本发明进一步结合真空定向凝固杂质的分凝作用和电子束熔炼去除P、O等易挥发性杂质，可以更加有效地提高杂质的去除率，最终得到太阳能级多晶硅。
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公开(公告)号：CN107858750A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711073572.2
申请日：2017-11-05
申请人： 西北工业大学
CPC分类号： C30B28/08 , C09K11/7774 , C30B29/28
摘要： 一种Al2O3-YAG:Ce3+共晶荧光陶瓷的制备方法，采用高温度梯度激光悬浮区熔定向凝固制备Al2O3-YAG:Ce3+共晶荧光陶瓷。通过控制设备的激光功率和抽拉速率使熔体的表面张力和自身重力保持平衡，使熔区保持稳定，并同时向下抽拉试样，从而获得表面无裂纹的Al2O3-YAG:Ce3+共晶荧光陶瓷。本发明通过等质量的激光直接对预制体进行双侧加热，避免了石墨等加热体的碳挥发等带来的污染问题，并且具有良好的发光性能，可用于LED照明、显示屏和背光源器件。
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公开(公告)号：CN107338475A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710627178.2
申请日：2017-07-28
申请人： 晶科能源有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
摘要： 本发明提供了一种坩埚护板，包括板体和分别设于板体两端的第一固定柱和第二固定柱，板体采用中空结构且板体的侧边底部和内部分别设有气压孔和保温组件，保温组件与第一固定柱之间设有支撑板，保温组件包括多个保温板，每个保温板均包括第一挡板、第二挡板、第三挡板和第四挡板，保温组件中顶端的第一挡板与支撑板连接，第二挡板和第三挡板上均设有多个导气孔，第一固定柱上设有多个输气孔，第一固定柱上设有多个疏导孔，本发明通过将氩气输送至板体内，有效的降低板体的导热性，从而对坩埚起到了保温作用，在坩埚的铸造过程中阻挡了边部的热量传递到籽晶，提高了坩埚的多晶晶体的铸造效率。
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