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公开(公告)号：CN118646416A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411091479.4
申请日：2024-08-09
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
摘要： 本申请提供一种电信号采样装置，装置包括，分压电阻和第一有源器件；分压电阻的第一端和被测信号源连接；分压电阻的第二端和第一有源器件连接，并通过第一有源器件接地；分压电阻的第二端作为被测信号源的信号采样点。本方案通过在分压电阻和地之间设置有源器件，一方面可以利用有源器件产生的功率提高在信号采样点上采样得到的信号的功率，另一方面可以通过有源器件进一步降低被测信号源和地之间的等效电阻，从而提高信号采样点上采样得到的信号的信噪比。
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公开(公告)号：CN118137804B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410558226.7
申请日：2024-05-08
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种有源驱动电路以及可靠性试验装置。其中，有源驱动电路包括：正电压源单元、负电压源单元、第一开关、第二开关、第一脉冲开关、第二脉冲开关、第一反偏单元以及第二反偏单元。通过控制第一开关、第二开关、第一脉冲开关以及第二脉冲开关，对正电压源单元和负电压源单元提供的驱动电压进行调整，从而在待测器件门极形成持续时间极短的正高电压脉冲或负高电压脉冲，有效地增大了开通、关断过程中的瞬态驱动电流，同时实现了对电流的快速控制，以满足门极可靠性试验中的门极电压变化速率要求。
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公开(公告)号：CN110190736B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910614967.1
申请日：2019-07-09
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种具有高可靠性的多信号磁隔离传输电路及其应用，该多信号磁隔离传输电路中的PWM信号转换模块以及电平转换电路分别连接于信号变压器的原边，整流电路以及电平识别模块连接于信号变压器的副边；电平转换电路调节信号变压器的原边电压，多路PWM信号输入PWM信号转换模块且被转换为对应的高频PWM信号，高频PWM信号作为原边信号被信号变压器传输到副边，得到副边交流信号，副边产生副边电压，整流电路恢复副边交流信号，电平识别模块输入对应的恢复电压，且电压识别模块比对副边电压和恢复电压，识别与恢复电压对应的交流信号，具有高可靠性，不易受到强磁场的干扰。
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公开(公告)号：CN117686868A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311690251.2
申请日：2023-12-11
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/00 , H03K17/567 , H03K17/16
摘要： 本申请公开了一种IGBT驱动器的故障记录方法及IGBT驱动器，IGBT门极采样单元的输入端和故障信号检测模块的输出端与IGBT的栅极连接；IGBT门极采样单元的输出端与数据处理单元的第一输入端连接；数据处理单元的第二输入端与故障信号检测模块的另一输出端连接；数据处理单元的第三输入端与信号采样模块的输出端连接；信号采样模块的另一输出端与故障信号检测模块的输入端连接；数据处理单元的第四输入端/输出端与外部存储器的输入端/输出端连接；数据处理单元的另一输出端通过故障输出单元与主控模块的输入端连接。无论故障发生与否都会采集数据，实现了对故障前后的数据的存储，以便根据这些数据进行故障定位分析。
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公开(公告)号：CN117169676A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311130704.6
申请日：2023-09-04
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体器件的导通阈值电压测试电路及方法，该电路中的恒流源单元和偏置充放电单元的公共端通过开关单元连接半导体器件；恒流源单元用于为半导体器件提供恒流电源；开关单元用于通过自身中开关状态控制恒流源单元和偏置充放电单元的的公共端与半导体器件联通通路的通断；偏置充放电单元用于根据开关单元中开关状态对半导体器件进行充放电以及为恒流源单元提供偏置电流；测试单元用于在恒流源单元和偏置充放电单元的公共端与半导体器件联通通路联通的情况下对半导体器件的导通阈值电压进行测量，得到恒流电源下半导体器件的导通阈值，也即本申请通过预置电流源，无需进行步进电压扫描，使得测试精度不受步进电压大小的影响。
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公开(公告)号：CN116008769B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310298765.7
申请日：2023-03-24
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请公开了自驱式功率半导体导通压降检测电路，可应用于电力电子技术领域。第一二极管负极与待测功率半导体模块连接，正极与第一电阻第一端和第一MOS管门极连接；第一电阻第二端与第一电压源和第一MOS管源极连接；第二电阻第一端与第一MOS管漏极连接，第二端接地；第三电阻第二端与第一MOS管漏极连接，第一端与第二MOS管门极和第四电阻第一端连接；第二MOS管漏极与待测功率半导体模块连接，源极与采样模块连接；第二二极管负极与第四电阻第二端连接，正极与第二电压源连接。可见，检测电路利用MOS低导通内阻，关断高压钳位作用提高功率半导体导通压降的采样精度，同时不需要引入外部驱动回路，保证外部驱动可靠运行。
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公开(公告)号：CN116183049A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310416799.1
申请日：2023-04-14
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： G01K7/24
摘要： 本申请提出一种温度检测电路及方法，涉及温度检测技术领域，每个测量待测元器件温度的负温度系数NTC热敏电阻的第一端接地，每个NTC热敏电阻的第二端与分压电阻第一端连接，分压电阻的第二端连接电源；每个NTC热敏电阻的第二端与MCU芯片的各个输入端连接；MCU芯片的第一输出端通过隔离模块与控制模块输入端连接；MCU芯片获取NTC热敏电阻的电压信号，从各个NTC热敏电阻的电压信号中选择电压值最小的电压信号作为目标电压信号，并将目标电压信号转换为第一温度信号，通过隔离模块向控制模块发送第一温度信号；控制模块根据第一温度信号确定待测元器件的温度变化情况。如此能够减少主控芯片处理多通道温度采样数据的压力。
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公开(公告)号：CN116008768A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310298760.4
申请日：2023-03-24
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种导通压降测试电路与结温测试仪，涉及电子电路技术与功率半导体可靠性领域。检测电路的第一端为导通压降测试电路的输入端，检测电路的第二端用于连接第一电压跟随电路的第一端，检测电路的第三端用于连接第二电压跟随电路的第一端，检测电路的第四端为导通压降测试电路的第一输出端；第一电压跟随电路的第二端为导通压降测试电路的第二输出端；第二电压跟随电路的第二端为导通压降测试电路的第三输出端。采用二极管作为高压阻断器件，在电路中加入了高压阻断二极管自身导通压降的测量电路，可对输出信号中包含的二极管导通压降实施精确补偿，提高待测器件导通压降的测量精度。
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公开(公告)号：CN115580375A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211576039.9
申请日：2022-12-09
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： H04K3/00
摘要： 本申请公开了一种信号传输电路以及控制方法，该电路包括：第一比较器、第二比较器以及逻辑门；第一比较器的正输入端与电源连接，负输入端与变压器的负输出端连接，第一比较器的输出端与逻辑门的使能端连接；第二比较器的正输入端与变压器的正输出端连接，负输入端与电源连接，第二比较器的输出端与逻辑门的输入端连接；第一比较器，用于比较变压器负输出端提供的第一电压信号与电源提供的参考电压信号之间的大小，输出第一电平信号；第二比较器，用于比较变压器正输出端提供的第二电压信号与电源提供的参考电压信号之间的大小，输出第二电平信号；逻辑门，用于根据第一电平信号与第二电平信号对信号进行传输。通过信号选通的方式屏蔽干扰信号。
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