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公开(公告)号：CN116117853A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211650350.3
申请日：2022-12-21
申请人： 芯达半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明涉及绕线装置，特别涉及一种机器人绕线装置。包括固定平台、转轴、外壳、内壳及拖链，其中转轴为中空结构且转动安装在固定平台上，外壳和内壳与转轴同轴设置于固定平台的上方，内壳与转轴连接，外壳与固定平台连接，外壳与内壳之间形成环形腔体，拖链设置于环形腔体内，拖链两端分别为进线口和出线口，进线口与内壳连接，出线口与外壳连接；转轴用于与机器人连接，机器人的线状结构穿过转轴的内腔，且由进线口进入拖链内，再由出线口引出。本发明能够实现机器人转动运动时，机器人上的线缆和管路不随机器人的转动而转动，从而避免出现绕线情况。
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公开(公告)号：CN115808860A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211552326.6
申请日：2022-12-05
申请人： 芯达半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明属于显影液供给技术领域，特别涉及一种显影液供给装置。包括供液机构、供液驱动机构、导向机构及底座，其中供液驱动机构设置于底座上，供液机构设置于供液驱动机构上，且供液机构通过多个导向机构与底座连接，供液机构通过伸缩实现向显影单元内加显影液，供液驱动机构为供液机构的伸缩提供动力。本发明通过承装有显影液的机械结构的压缩作用，实现向显影单元内加显影液，从而避免了显影液因产生气泡影响工艺效果的问题，提高了显影单元的显影工艺效果，且提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN113937038B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202111341579.4
申请日：2021-11-12
申请人： 芯达半导体设备(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了热处理单元排风系统，涉及晶圆芯片技术领域，包括腔体，所述腔体包括若干组加热腔室，所述加热腔室包括独立的热盘体与热盘体支撑热盘，所述热盘体支撑热盘的内底部一体成型有凹陷槽，所述凹陷槽的底部两端开设的进风孔与出风孔，所述热盘体支撑热盘上部一体成型有晶圆放置槽，所述凹陷槽的底部设置有热排风组件。本发明通过热盘加热的热盘体与热盘体支撑热盘、排风管路与热排风组件等结构的设置，同时热盘体上的烧结片可对挥发的有机物进行过滤，从而避免有机物凝结在晶圆上，本热盘加热系统减少了基板造成二次污染，提高产品良率；通过热排风的处理，本申请的排风系统可分别适用于低挥发与高挥发热盘排风。
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公开(公告)号：CN113937038A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111341579.4
申请日：2021-11-12
申请人： 芯达半导体设备(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了热处理单元排风系统，涉及晶圆芯片技术领域，包括腔体，所述腔体包括若干组加热腔室，所述加热腔室包括独立的热盘体与热盘体支撑热盘，所述热盘体支撑热盘的内底部一体成型有凹陷槽，所述凹陷槽的底部两端开设的进风孔与出风孔，所述热盘体支撑热盘上部一体成型有晶圆放置槽，所述凹陷槽的底部设置有热排风组件。本发明通过热盘加热的热盘体与热盘体支撑热盘、排风管路与热排风组件等结构的设置，同时热盘体上的烧结片可对挥发的有机物进行过滤，从而避免有机物凝结在晶圆上，本热盘加热系统减少了基板造成二次污染，提高产品良率；通过热排风的处理，本申请的排风系统可分别适用于低挥发与高挥发热盘排风。
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公开(公告)号：CN117021061A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311182567.0
申请日：2023-09-14
申请人： 芯达半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本申请涉及晶圆传输技术领域，尤其是涉及一种晶圆传递用SCARA机械手，包括支撑主体；伸臂组件包括转动连接的大臂组件和小臂组件；升降组件具有能够沿竖直方向往复运动的第一输出部；旋转组件，第一输出部连接，具有与大臂组件转动连接的第二输出部；大臂组件包括设置在伸臂传动组件和伸臂输入轴之间的承载件；紧固组件包括设置在紧固螺钉和紧固螺纹孔之间的弹性件，用于连接伸臂传动组件的输入端和第二输出部。本申请通过设置承载件来提升大臂组件运动过程中的刚性，保证伸臂组件在运动过程中的水平度，从而提升伸臂组件的运动平稳性和运动精度。此外，还通过增设弹性件来提升紧固组件的预紧力，从而进一步提升机械手整体刚性。
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公开(公告)号：CN116558270B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310822097.3
申请日：2023-07-06
申请人： 芯达半导体设备(苏州)有限公司
摘要： 本发明涉及烘烤设备领域，且公开了烘烤设备盘盖及其控制方法，有效的解决了目前进入的气体扩散效果较差，使得烘烤效果不佳的问题，包括盖体，所述盖体的顶端安装有上盖板，上盖板的顶端安装有加热器，上盖板上安装有控制器，上盖板上安装有气体流通组件，气体流通组件包括安装于上盖板顶端安装盘盖分配块，盘盖分配块的底端贯穿至上盖板的下方，盘盖分配块的底端安装有下盖板，本发明，通过惰性气体进入储气槽内部后，被加热器进行加热，在圆形挡板与卡杆脱离卡接后，使得圆形挡板在气压作用下向下移动，使得储气槽与烘烤设备内部连通，由于进入烘烤设备内部的惰性气体温度较高，使得气体粒子活跃性较高，从而提高扩散效果。
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公开(公告)号：CN115933318A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211650343.3
申请日：2022-12-21
申请人： 芯达半导体设备(苏州)有限公司
IPC分类号： G03F7/16
摘要： 本发明的实施例提供了一种带直边晶圆的边缘辐照方法、装置和设备。所述方法包括调整光纤传感器使光纤照射位置处于直边晶圆的外圆环与直边中点所在圆环之间；以带直边晶圆的中心为原点建立三维坐标系，使带直边晶圆沿三维坐标系的Z轴旋转；当光纤传感器的光路处于非导通状态时，以当前位置作为初始位置旋转带直边晶圆，获取第一次光纤信号变化和第二次光纤信号变化，根据对应的角度计算带直边晶圆的目标旋转角度；若带直边晶圆在目标旋转角度停止，则对带直边晶圆的边缘进行辐照。以此方式，可以实现不对旋转中的晶圆进行停止，即可使晶圆停止在目标位置，通过紫外光源进行边缘辐照，简化了晶圆边缘辐照的过程，提高了效率。
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公开(公告)号：CN115346882B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211263760.2
申请日：2022-10-17
申请人： 芯达半导体设备(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/67 , H01L21/66 , H01L23/488
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种铟柱起球控制方法、装置和设备。所述方法包括控制旋涂单元的旋转驱动机构动作，带动晶圆跟随所述旋转驱动机构进行旋转；当旋转驱动机构达到预设转速时，将甘油混合溶液喷涂至晶圆上表面的中心位置；若处于晶圆表面的甘油混合溶液覆盖全部晶圆表面，则控制旋涂单元停止甘油混合溶液的喷涂以及停止旋转驱动机构；在旋转驱动机构处于停止状态后，控制机器人手臂将表面覆盖甘油混合溶液的晶圆依次进行送入烘烤单元和清洗单元进行烘烤和清洗。本发明操作过程简单，能够实现铟柱自动起球，反应后只需要对晶圆的一个面进行清洗即可。
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公开(公告)号：CN115793398A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211597095.0
申请日：2022-12-12
申请人： 芯达半导体设备(苏州)有限公司
IPC分类号： G03F7/16
摘要： 本发明的实施例提供了一种涂胶显影用HMDS系统。所述系统包括用于发生AD反应的腔室，还包括真空管路和发泡管路；所述真空管路与所述腔室的出口连通，用于使所述腔室形成真空状态；所述蒸气管路与所述腔室的进口和出口连通，用于向所述腔室通入HMDS蒸气。本发明的实施例结构简单，体积小巧，安装方便，为AD工艺提供HMDS进行反应。
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公开(公告)号：CN115513117A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211466619.2
申请日：2022-11-22
申请人： 芯达半导体设备(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了晶圆背洗吸附装置，包括支撑环和圆环板，在固定槽支撑环中心设置电机防水保护罩；在固定槽支撑环与固定槽电机防水保护罩之间设置多组连接臂；在固定槽支撑环与每个固定槽连接臂的连接处设置一真空嘴，固定槽真空嘴和固定槽连接臂之间连通形成真空通道，且固定槽真空嘴向上凸出于固定槽支撑环，用于对放置于固定槽真空嘴上方的晶圆方片进行吸附。本发明可使晶圆背部中心不被遮挡，进行背洗作业，实现晶圆背部清洗，并且能够对晶圆进行一定范围内移动，从而能够实现对真空嘴的真空吸附点位进行二次背洗，从而真正意义实现晶圆背部无死角清洗。
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