一种波导集成胶体量子点红外探测器

    公开(公告)号:CN118921999A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411079117.3

    申请日:2024-08-07

    发明人: 郑玉琳

    摘要: 本发明涉及一种波导集成胶体量子点红外探测器,包括:光波导,所述光波导上沉积有二氧化硅薄膜,所述二氧化硅薄膜上成型有光波导,所述二氧化硅薄膜上设有底电极,所述底电极覆盖在光波导上,所述底电极上位于光波导的正上方覆盖有胶体量子点薄膜,所述胶体量子点薄膜上覆盖有顶电极,所述顶电极另一端延伸至二氧化硅薄膜上。通过顶电极、胶体量子点薄膜以及底电极实现红外光的吸收和产生电子空穴对,产生对外的光电流。

    一种面向光通信的双波段发射装置

    公开(公告)号:CN118890098A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202411027546.6

    申请日:2024-07-30

    发明人: 刘田军 张凯鑫

    摘要: 本发明涉及一种面向光通信的双波段发射装置,包括:多个光栅耦合器,多个光栅耦合器包括输入光栅耦合器以及输出光栅耦合器,输入光栅耦合器以及输出光栅耦合器均由两种不同波段完全垂直的双向光栅耦合器正交组成,输入光栅耦合器带动两种不同波段的光信号依次通过输入双波段光交叉器件、输入多模干涉耦合器、微环调制器、角度多模干涉耦合器、输出双波段光交叉器件以及输出多模干涉耦合器,最后通过输出光栅耦合器带动两种不同波段的光信号输出。采用的双波段完全垂直光栅耦合器不仅仅可以对O波段和C波段两种光信号进行耦合,而且两种波段光栅结构相互正交垂直形成相应的亚波长结构,大大提高了与光纤的耦合效率。

    一种分辨率可调的光谱检测芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN117705281A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311534717.X

    申请日:2023-11-17

    发明人: 张赞

    IPC分类号: G01J3/28

    摘要: 本发明公开了一种分辨率可调的光谱检测芯片及制备方法,包括:光学输入接口,硅光滤波器以及光电探测器,所述硅光滤波器由若干组高阶微环谐振腔组成,任一组高阶微环谐振腔包含多个串联的微环,每个微环都可通过改变相移器的状态来控制器光波的相位变化,进而改变滤波器的光响应;通过设置每次采样中发生变化的相移器的数量,来调整光谱芯片的分辨率,只需要一个滤波器就可以完成对待测光谱的多次不同的采样,极大的减小了芯片的面积,在成本、集成度方面有优势;此外,本发明提出的光谱检测芯片其分辨率是可灵活调整的。

    基于电光调制器及驱动电路的三维集成器件及方法

    公开(公告)号:CN113777809A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111070544.1

    申请日:2021-09-13

    摘要: 本发明揭示了一种基于电光调制器及驱动电路的三维集成器件及方法,所述器件包括驱动电路结构、及集成于驱动电路结构上的电光调制器,所述电光调制器包括层叠设置于驱动电路结构上的隔离层、倒脊型波导结构、包层、及行波电极,所述倒脊型波导结构包括氮化硅层及位于氮化硅层上方的铌酸锂单晶薄膜,氮化硅层中形成有若干刻蚀区域,所述行波电极与驱动电路结构电气连接。本发明中驱动电路与电光调制器通过垂直三维集成和通孔的方式进行电气连接,可将驱动电路中的高频电信号传输到电光调制器的行波电极中,通过电光效应将高频信号加载到氮化硅/铌酸锂光波导的光波中,从而实现电信号到光信号的转换。

    偏振无关型可调光衰减器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113759460A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202111075019.9

    申请日:2021-09-14

    IPC分类号: G02B6/12

    摘要: 本发明揭示了一种偏振无关型可调光衰减器,所述可调光衰减器包括:第一二维光栅耦合器及第二二维光栅耦合器、若干第一模斑转换器及若干第二模斑转换器、若干第一硅基单模光波导及若干第二硅基单模光波导、PIN电学结构。本发明的可调光衰减器使用平面光波导,具有速度快、体积小、成本低、易于集成等优点;采用二维光栅耦合器,具有偏振无关性,无论输入的是何种偏振光,都可以进行传递。

    气压传感器及制备方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113701937A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202110989154.8

    申请日:2021-08-26

    发明人: 田野 程传同

    IPC分类号: G01L9/12 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了气压传感器及制备方法,其中气压传感器包括高阻衬底;形成于高阻衬底上的源极电极、漏极电极和栅极电极,源极电极以及漏极电极限定于高阻衬底同一侧,栅极电极限定于高阻衬底上与源极电极同一侧或栅极电极限定于高阻衬底上相对于源极电极的另一侧;设置到源极电极和漏极电极的石墨烯薄层结构;高阻衬底与石墨烯薄层结构之间形成有腔室。本发明的气压传感器充分利用石墨烯谐振器的优良特性,实现气压的高精度测量。

    一种光数据隔离芯片
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118210113A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202410334399.0

    申请日:2024-03-22

    发明人: 刘田军 张凯鑫

    摘要: 本发明涉及一种光数据隔离芯片,包括:基底,基底上表面连接有垂直腔面发射激光器阵列以及光电探测器阵列,所述基底上表面设有一个包裹垂直腔面发射激光器阵列以及光电探测器阵列的多通道光学透镜,所述光学透镜设有准直透镜阵列,所述准直透镜阵列用于连接垂直腔面发射激光器阵列以及光电探测器阵列的光信号空间传输,所述准直透镜阵列的两端均设有用于聚焦反射的45°倾角,所述垂直腔面发射激光器阵列以及光电探测器阵列均连接有多个延伸至光学透镜外的金属电极。通过垂直腔面发射激光器阵列和光电探测器阵列可以实现高速率的数据传输并且使得整个芯片具有相对较小的尺寸和高集成度,节省空间。

    气压传感器及制备方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113701937B

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202110989154.8

    申请日:2021-08-26

    发明人: 田野 程传同

    IPC分类号: G01L9/12 B81C1/00

    摘要: 本发明公开了气压传感器及制备方法,其中气压传感器包括高阻衬底;形成于高阻衬底上的源极电极、漏极电极和栅极电极,源极电极以及漏极电极限定于高阻衬底同一侧,栅极电极限定于高阻衬底上与源极电极同一侧或栅极电极限定于高阻衬底上相对于源极电极的另一侧;设置到源极电极和漏极电极的石墨烯薄层结构;高阻衬底与石墨烯薄层结构之间形成有腔室。本发明的气压传感器充分利用石墨烯谐振器的优良特性,实现气压的高精度测量。