-
公开(公告)号：CN109494274B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201811528490.7
申请日：2018-12-13
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池及其制备方法，其中，该晶硅电池包括p型硅基体、位于p型硅基体背面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层背面的n型多晶硅层，隧穿氧化层与n型多晶硅层构成浮动结，浮动结的预设位置处设置有开孔，还包括：位于n型多晶硅层背面且通过开孔与裸露出来的p型硅基体相接触的金属电极；设置在n型多晶硅层与金属电极之间、及开孔内的第一介质层。本申请公开的上述技术方案，由于隧穿氧化层和n型多晶硅均可承受制备金属电极时的高温而不发生变化，且不会因高温而遭到破坏，因此，则可以减少高温烧结过程对浮动结所带来的影响，从而可以提高浮动结对晶硅电池的钝化效果。
-
公开(公告)号：CN111710756A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010620151.2
申请日：2020-07-01
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216
摘要： 本申请公开了新型PERC电池制作方法，包括获得正面具有N型掺杂层的硅衬底；在硅衬底的正面形成氧化硅层；在氧化硅层背离硅衬底的表面形成非晶硅层；对非晶硅层进行扩散和晶化处理得到重掺杂的多晶硅层：将硅衬底置于扩散设备中，首先通入扩散源对非晶硅层进行掺杂，然后通入保护性气体对掺杂进行推进，再次通入扩散源对非晶硅层进行掺杂；在多晶硅层背离氧化硅层的表面形成图形为正面金属化图案的掩膜，并对多晶硅层和氧化硅层进行回刻处理；在硅衬底的背面形成第一钝化膜，并在硅衬底的正面形成第二钝化膜；对第一钝化膜进行开槽处理，并分别制作正面电极和背面电极，得到新型PERC电池，提升电池效率。本申请还提供具有上述优点的电池。
-
公开(公告)号：CN109461783A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811604862.X
申请日：2018-12-26
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/047 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种双面晶硅太阳能电池，所述双面晶硅太阳能电池由第一迎光面至第二迎光面依次包括第一电极、P型半导体层、N型基体、介质层及第二电极；所述介质层为带高固定负电荷的介质层；所述介质层在所述N型基体与所述介质层接触的表面感应形成P型反型层；所述介质层具有与所述第二电极相配合的图案，使所述第二电极可直接与所述N型基体接触。本发明会在N型基体的第二迎光面表面附近形成浮动结，抑制了第二迎光面的表面复合，增大了双面晶硅太阳能电池的光电转换效率，同时，上述介质层可由简单的沉积工艺设置，相较于现有技术，成本低廉，工艺简单。本发明还同时提供了一种具有上述有益效果的双面晶硅太阳能电池的制作方法。
-
公开(公告)号：CN109494264A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811604843.7
申请日：2018-12-26
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种晶硅太阳能电池，包括P型基体；所述P型基体的迎光面向外依次包括N型半导体层及正面电极；所述P型基体的背光面向外依次包括介质层及背面电极；所述介质层为带高固定正电荷的介质层；所述介质层在所述P型基体与所述介质层接触的表面感应形成N型反型层；所述介质层具有与所述背面电极相配合的图案，使所述背面电极可直接与所述P型基体接触。本发明在P型基体的背光面表面附近形成浮动结，抑制了背光面的表面复合，增大了晶硅太阳能电池的光电转换效率，同时，上述介质层可由简单的沉积工艺设置，相较于现有技术中的氧化铝，成本低廉，工艺简单。本发明还同时提供了一种具有上述有益效果的晶硅太阳能电池的制作方法。
-
公开(公告)号：CN109494274A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811528490.7
申请日：2018-12-13
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池及其制备方法，其中，该晶硅电池包括p型硅基体、位于p型硅基体背面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层背面的n型多晶硅层，隧穿氧化层与n型多晶硅层构成浮动结，浮动结的预设位置处设置有开孔，还包括：位于n型多晶硅层背面且通过开孔与裸露出来的p型硅基体相接触的金属电极；设置在n型多晶硅层与金属电极之间、及开孔内的第一介质层。本申请公开的上述技术方案，由于隧穿氧化层和n型多晶硅均可承受制备金属电极时的高温而不发生变化，且不会因高温而遭到破坏，因此，则可以减少高温烧结过程对浮动结所带来的影响，从而可以提高浮动结对晶硅电池的钝化效果。
-
公开(公告)号：CN106282925B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610855569.5
申请日：2016-09-27
申请人： 南京航空航天大学 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
摘要： 本发明公开了种TCO/TiW透明导电薄膜及其制备方法,利用超薄TiW合金薄膜层作为扩散阻挡层改善TCO薄膜(如掺铟氧化锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)或掺氟氧化锡(FTO)等三种薄膜)与p‑Si等衬底的接触性能;并且通过TiW合金薄膜层的引入作为金属层,与TCO薄膜形成TCO/TiW双层薄膜,使薄膜的电学性能得到明显改善;TCO/TiW透明导电薄膜在显示器、太阳电池等半导体器件中具有巨大应用前景。种TCO/TiW透明导电薄膜的制备方法,包括:在衬底的表面上沉积TiW合金,形成TiW合金薄膜层/衬底结构;再在所述TiW合金薄膜层的表面上沉积TCO透明导电氧化物,形成TCO薄膜层/TiW合金薄膜层/衬底结构。
-
公开(公告)号：CN209216991U
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201822099171.0
申请日：2018-12-13
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本实用新型公开了一种基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池，该晶硅电池包括p型硅基体、位于p型硅基体背面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层背面的n型多晶硅层，隧穿氧化层与n型多晶硅层构成浮动结，浮动结的预设位置处设置有开孔，还包括：位于n型多晶硅层背面且通过开孔与裸露出来的p型硅基体相接触的金属电极；设置在n型多晶硅层与金属电极之间、及开孔内的第一介质层。本申请公开的上述技术方案，由于隧穿氧化层和n型多晶硅均可承受制备金属电极时的高温而不发生变化，且不会因高温而遭到破坏，因此，则可以减少高温烧结过程对浮动结所带来的影响，从而可以提高浮动结对晶硅电池的钝化效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN209607748U
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201822206818.5
申请日：2018-12-26
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352
摘要： 本实用新型公开了一种晶硅太阳能电池，包括P型基体；所述P型基体的迎光面向外依次包括N型半导体层及正面电极；所述P型基体的背光面向外依次包括介质层及背面电极；所述介质层为带高固定正电荷的介质层；所述介质层在所述P型基体与所述介质层接触的表面感应形成N型反型层；所述介质层具有与所述背面电极相配合的图案，使所述背面电极可直接与所述P型基体接触。本实用新型提供的晶硅太阳能电池，在P型基体的背光面表面附近形成浮动结，抑制了背光面的表面复合，增大了晶硅太阳能电池的光电转换效率，同时，上述介质层可由简单的沉积工艺设置，相较于现有技术中的氧化铝，成本低廉，工艺简单。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN209571422U
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201822207091.2
申请日：2018-12-26
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/047 , H01L31/18
摘要： 本实用新型公开了一种双面晶硅太阳能电池，所述双面晶硅太阳能电池由第一迎光面至第二迎光面依次包括第一电极、P型半导体层、N型基体、介质层及第二电极；所述介质层为带高固定负电荷的介质层；所述介质层在所述N型基体与所述介质层接触的表面感应形成P型反型层；所述介质层具有与所述第二电极相配合的图案，使所述第二电极可直接与所述N型基体接触。本实用新型提供的双面晶硅太阳能电池，会在N型基体的第二迎光面表面附近形成浮动结，抑制了第二迎光面的表面复合，增大了双面晶硅太阳能电池的光电转换效率，同时，上述介质层可由简单的沉积工艺设置，相较于现有技术，成本低廉，工艺简单。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN114695588B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202011643595.4
申请日：2020-12-30
申请人： 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/20 , H01L21/30
摘要： 本发明涉及了一种高效异质结电池结构及其制备方法，高效异质结电池结构包括：中间电池结构，设有n型单晶硅层；正面电池结构，包括依次堆叠设置的正面本征非晶硅层、p型掺杂氢化氧化硅层以及p型掺杂非晶硅层；以及背面电池结构，包括相反方向依次堆叠设置的背面本征非晶硅层、n型掺杂氢化氧化硅层以及n型掺杂非晶硅层；其中，p型掺杂非晶硅层、n型掺杂非晶硅层两者的厚度范围均为1～5nm，p型掺杂氢化氧化硅层、n型掺杂氢化氧化硅层两者的厚度范围均为10～20nm。通过上述设置，可解决现有的异质结电池结构中由于掺杂非晶硅层的厚度与性能两者矛盾对立导致的电池转换效率低的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
226 条记录 (耗时 0.046 秒)
