用于调节半导体芯片的设备及使用该设备的测试方法

    公开(公告)号:CN102667511A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201080044744.3

    申请日:2010-09-22

    IPC分类号: G01R31/28

    摘要: 本发明提供一种用于调节半导体芯片的设备以及对应的测试方法。该设备包括:芯片温度控制装置(TE1、TE2、TE3),用于接收一个或多个半导体芯片(C)且包括底座主体(G),并且流体能够流过该底座主体(G)以进行温度控制,并且该底座主体(G)包括从该底座主体(G)的正面(VS)延伸至背面(RS)的相应数量的凹口(GA);相应数量的芯片接合基座(S),其插入所述凹口(GA)中与所述底座主体(G)热接触,并且在正面(VS)包括芯片接收区(SM)且在内部包括导线装置(D1、D2),所述导线装置被构造用于提供来自和/或去往插入所述芯片接收区(SM)中的半导体芯片(C)的电信号;母板(30),其以使得所述芯片接合基座(S)的所述导线装置(D1、D2)与该母板(30)的导线装置(32)电连接的方式附着至所述底座主体(G)的背面(RS)。

    使用温度可调的卡盘设备来测试半导体晶片的方法和装置

    公开(公告)号:CN101137911B

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN200680001956.7

    申请日:2006-01-10

    IPC分类号: G01R31/28 H01L21/00

    CPC分类号: G01R31/2874 H01L21/683

    摘要: 本发明提供了一种使用温度可调夹紧设备(1)来测试半导体晶片(5)的方法,包括如下步骤:使用具有预定加热功率(PW)的电加热设备(HE)和具有预定冷却能力(PK)的冷却设备(11a,11b,11c),将夹紧设备的温度控制到预定测量温度,其中将流体(F)通过冷却设备(11a,11b,11c)以达到冷却目的,所述加热功率(PW)实质上大于预定测试功率(PT);将半导体晶片(5)的背面(R)放置在温度可调夹紧设备(1)的支持面(AF)上;将探测卡(7’,7’a)放置在半导体晶片(5)的正面;通过使用其上放置的探测卡(7’,7’a)的探针(91,92),从测试装置(TV)将测试功率(PT)施加到半导体晶片(5)的正面(O)的芯片区(CH)中,对半导体晶片(5)进行测试;记录测试期间流体(F)的温度升高,流体(F)的温度升高反映了测试功率(PT);以及考虑到测试期间记录的流体(F)的温度升高,在冷却能力(PK)实质上恒定不变的情况下,减小测试期间的加热功率(PW)。本发明还提供了一种相应的装置。

    用于对衬底进行调温的设备和相对应的制造方法

    公开(公告)号:CN110214367B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN201880007125.3

    申请日:2018-01-15

    IPC分类号: H01L21/67 G01R1/04

    摘要: 本发明提供了一种用于对衬底进行调温的设备和一种相对应的制造方法。该设备配备有:板状的主体(1;1a、1b),所述板状的主体具有衬底支承面(SF);用于借助于第一调温流体对主体进行调温的第一调温装置,所述第一调温装置具有在主体(1;1a、1b)的内部的多个分开的第一环形通道(R1F‑R4F),用于使所述第一调温流体循环;用于借助于第二调温流体对主体进行调温的第二调温装置,所述第二调温装置具有在主体(1;1a、1b)的内部的多个分开的第二环形通道(R1L‑R5L),用于使所述第二调温流体循环,其中所述第一调温流体能通过第一管道(K1F)被输送给多个第一环形通道(R1F‑R4F)并且能通过第二管道(K2F)从中排出,其中所述第二调温流体能通过第三管道(K1L)被输送给多个第二环形通道(R1L‑R5L)并且能通过第四管道(K2L)从中排出,其中主体(1;1a、1b)具有第一至第四孔(B1F、B2F、B1L、B2L),所述第一至第四孔分别与多个第一环形通道(R1F‑R4F)和多个第二环形通道(R1L‑R5L)相连,其中第一至第四管道(K1F;K2F;K1L;K2L)被插到主体(1;1a;1b)的第一至第四孔(B1F;B2F;B1L;B2L)中。

    校准结构、对应的校准方法以及校准装置

    公开(公告)号:CN116113836A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202180058617.7

    申请日:2021-07-27

    IPC分类号: G01R31/28

    摘要: 本发明改进了用于校准卡盘的校准结构和对应的校准方法以及校准装置。校准装置配备有:可附接在晶片探测器(1)的插口(E)中或上的校准卡(6),在附接了校准卡(6)时形成对应的基本封闭的空间;附接至校准卡(6)的校准温度探头(60,61);用于夹紧晶片(4)的卡盘(3),该卡盘可通过温度控制器(300)达到可输入的预期温度并且可通过位置控制器(350)在横向方向(x,y)和高度方向(z)上移动,并且能够通过位置控制器(350)对准校准温度探头,使得校准温度探头(60,61)可以测量卡盘(3)的表面(O)上或夹在其上的晶片(4)的表面(O’)上的不同位置处的相应的当前温度;以及评估装置(600),其可连接至校准温度探头(60,61)、温度控制器(300)和位置控制器(350)并且被构造为基于校准温度探头(60,61)测得的不同位置处的当前温度来校准一个或多个温度探头(S1‑S9)的温度输出值。

    剥除辊、用于从盘形工件上揭下薄膜的设备和方法

    公开(公告)号:CN102668020A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201080050687.X

    申请日:2010-09-14

    IPC分类号: H01L21/00

    摘要: 本发明涉及一种用于从盘形工件(3)、特别是铸模圆片(3)上揭下薄膜(2)的剥除辊(12),具有用于力配合地揭开或用于推开薄膜(2)的分段(14)的薄膜操纵段(13)。本发明还涉及一种用于从盘形工件(3)、特别是铸模圆片(3)上揭下薄膜(2)的设备(1),具有:用于力配合地固紧盘形工件(3)的固紧装置(4);此类剥除辊(12);用于使剥除辊(12)相对于固紧装置(4)的表面(10)水平和/或垂直行驶的行驶装置(17);以及用于使剥除辊(12)围绕剥除辊(12)的中轴(25)旋转的旋转装置(24)。此外,本发明还涉及一种借助于此类设备(1)将薄膜(2)从盘形工件(3)、特别是铸模圆片(3)上揭下的方法。

    调节半导体晶片和/或混合电路的方法和装置

    公开(公告)号:CN100378903C

    公开(公告)日:2008-04-02

    申请号:CN03808438.4

    申请日:2003-04-15

    IPC分类号: H01L21/00

    CPC分类号: H01L21/67109

    摘要: 本发明提供一种调节半导体晶片和/或混合波导联结的方法,具有以下步骤:准备一个空间(1),该空间(1)至少部分被封上并且有一个里面装有晶片/混合波导联结的装置(10),所述里面装有晶片/混合波导联结的装置(10)在所述空间内并用于放置半导体晶片和/或混合波导联结;引导干燥流体通过所述里面装有晶片/混合波导联结的装置(10)以对该里面装有晶片/混合波导联结的装置(10)进行加热处理;离开所述里面装有晶片/混合波导联结的装置(10)的流体的至少一部分用于调节所述空间(1)内的空气。本发明还提供一种相应的用于调节半导体晶片和/或混合波导联结的装置。

    用于调节半导体芯片的设备及使用该设备的测试方法

    公开(公告)号:CN102667511B

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201080044744.3

    申请日:2010-09-22

    IPC分类号: G01R31/28

    摘要: 本发明提供一种用于调节半导体芯片的设备以及对应的测试方法。该设备包括:芯片温度控制装置(TE1、TE2、TE3),用于接收一个或多个半导体芯片(C)且包括底座主体(G),并且流体能够流过该底座主体(G)以进行温度控制,并且该底座主体(G)包括从该底座主体(G)的正面(VS)延伸至背面(RS)的相应数量的凹口(GA);相应数量的芯片接合基座(S),其插入所述凹口(GA)中与所述底座主体(G)热接触,并且在正面(VS)包括芯片接收区(SM)且在内部包括导线装置(D1、D2),所述导线装置被构造用于提供来自和/或去往插入所述芯片接收区(SM)中的半导体芯片(C)的电信号;母板(30),其以使得所述芯片接合基座(S)的所述导线装置(D1、D2)与该母板(30)的导线装置(32)电连接的方式附着至所述底座主体(G)的背面(RS)。

    调节半导体晶片和/或混合波导联结的方法和装置

    公开(公告)号:CN1647246A

    公开(公告)日:2005-07-27

    申请号:CN03808438.4

    申请日:2003-04-15

    IPC分类号: H01L21/00

    CPC分类号: H01L21/67109

    摘要: 本发明提供一种调节半导体晶片和/或混合波导联结的方法,具有以下步骤:准备一个空间(1),该空间(1)至少部分被封上并且有一个里面装有晶片/混合波导联结的装置(10),所述里面装有晶片/混合波导联结的装置(10)在所述空间内并用于放置半导体晶片和/或混合波导联结;引导干燥流体通过所述里面装有晶片/混合波导联结的装置(10)以对该里面装有晶片/混合波导联结的装置(10)进行加热处理;离开所述里面装有晶片/混合波导联结的装置(10)的流体的至少一部分用于调节所述空间(1)内的空气。本发明还提供一种相应的用于调节半导体晶片和/或混合波导联结的装置。

    用于卡盘的屏蔽设备、相应的卡盘和相应的晶圆检测仪装置

    公开(公告)号:CN118159853A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202280067632.2

    申请日:2022-09-05

    摘要: 本发明涉及一种用于卡盘的屏蔽设备、一种相应的卡盘和一种相应的晶圆检测仪装置。该屏蔽设备配备有:具有第一环(30a)和第二环(30b)的环形装置(30);其中第一环(30a)可安装在晶圆检测仪(1)的卡盘(CH)的外周(PP)上,而第二环(30b)沿所述卡盘(CH)的竖轴线(HA)可向着第一环(30a)滑移地支承在该第一环(30a)上;和用于将第二环(30b)沿所述卡盘(CH)的竖轴线(HA)相对第一环(30a)弹性预紧的预紧装置(FE),使得第二环(30b)在安装状态的卡盘(CH)中在该卡盘(CH)的上侧面(OS)上凸出。第二环(30b)具有空腔(H)和与之连通的孔(B),其中所述空腔(H)具有用于与气体供应装置(LV)相连的接口(A)。经由所述孔(B)通过气体供应装置(LV)能够关于所述卡盘(CH)的竖轴线(HA)形成相对第二环(30b)上方的板状支座(20;11b)的空气轴承(LL),其中所述预紧装置(FE)能够通过空气轴承(LL)压缩,使得在第二环(30b)与板状支座(20;11b)之间不发生接触。

    用于对衬底进行调温的设备和相对应的制造方法

    公开(公告)号:CN110214367A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201880007125.3

    申请日:2018-01-15

    IPC分类号: H01L21/67 G01R1/04

    摘要: 本发明提供了一种用于对衬底进行调温的设备和一种相对应的制造方法。该设备配备有:板状的主体(1;1a、1b),所述板状的主体具有衬底支承面(SF);用于借助于第一调温流体对主体进行调温的第一调温装置,所述第一调温装置具有在主体(1;1a、1b)的内部的多个分开的第一环形通道(R1F-R4F),用于使所述第一调温流体循环;用于借助于第二调温流体对主体进行调温的第二调温装置,所述第二调温装置具有在主体(1;1a、1b)的内部的多个分开的第二环形通道(R1L-R5L),用于使所述第二调温流体循环,其中所述第一调温流体能通过第一管道(K1F)被输送给多个第一环形通道(R1F-R4F)并且能通过第二管道(K2F)从中排出,其中所述第二调温流体能通过第三管道(K1L)被输送给多个第二环形通道(R1L-R5L)并且能通过第四管道(K2L)从中排出,其中主体(1;1a、1b)具有第一至第四孔(B1F、B2F、B1L、B2L),所述第一至第四孔分别与多个第一环形通道(R1F-R4F)和多个第二环形通道(R1L-R5L)相连,其中第一至第四管道(K1F;K2F;K1L;K2L)被插到主体(1;1a;1b)的第一至第四孔(B1F;B2F;B1L;B2L)中。