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公开(公告)号：CN117923418A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311832060.5
申请日：2023-12-27
申请人： 华东理工大学 , 上海玻纳电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种无掩膜快速加工硅微结构的方法。本发明所述方法首先通过设计加工文件，再激光诱导硅晶片表面形成烧蚀区域，然后经两次酸洗后，通过湿法腐蚀即可得到含有微结构的硅晶片。本发明通过激光直写和湿法腐蚀结合可以直接在单晶硅表面形成微通道/腔室，无需掩膜沉积和光刻工艺，降低工艺难度，缩短了制造时间，能够制造符合设计需要的微流控芯片。
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公开(公告)号：CN106024983B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610542614.1
申请日：2016-07-11
申请人： 上海大族新能源科技有限公司 , 上海玻纳电子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L21/225
摘要： 本发明涉及一种太阳电池及其制作方法。该方法包括步骤：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼源膜层，通过激光对其进行处理，形成硼源区域和多个无硼源区域，相邻的无硼源区域之间有间隔；将N型硅片进行反应，在硼源区域的位置上形成依次层叠的p+发射极区域和硼硅玻璃区域，在第一表面上形成氧化硅层；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n+背表面场区域，在第一表面上依次形成n+前表面场层和磷硅玻璃层；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述太阳电池及其制作方法，减小了光生载流子在背表面的横向传输距离，提高了全背接触太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN117285002B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311571988.2
申请日：2023-11-23
申请人： 华东理工大学 , 上海玻纳电子科技有限公司
IPC分类号： B81C1/00 , B23K26/364
摘要： 本发明涉及硅微通道加工技术领域，特别是涉及一种利用激光诱导和湿法腐蚀快速制造硅微通道的方法，在硅晶圆片上沉积掩膜层；利用激光烧蚀法在掩膜层上进行图形化，规划出微通道的线路布局，并诱导形成第一预设深度范围和第一预设宽度范围的沟道，得到预处理的硅晶圆片；对待刻蚀硅晶圆片进行湿法刻蚀，获得湿法刻蚀后的硅晶圆片，湿法刻蚀后的硅晶圆片具有第二预设深度范围、第二预设宽度范围和预设通道截面。本发明采用上述一种利用激光诱导和湿法腐蚀快速制造硅微通道的方法，降低深硅加工中的时间成本，制作快速原型设备具有操作简单，经济实用，灵活等特点。
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公开(公告)号：CN117285002A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311571988.2
申请日：2023-11-23
申请人： 华东理工大学 , 上海玻纳电子科技有限公司
IPC分类号： B81C1/00 , B23K26/364
摘要： 本发明涉及硅微通道加工技术领域，特别是涉及一种利用激光诱导和湿法腐蚀快速制造硅微通道的方法，在硅晶圆片上沉积掩膜层；利用激光烧蚀法在掩膜层上进行图形化，规划出微通道的线路布局，并诱导形成第一预设深度范围和第一预设宽度范围的沟道，得到预处理的硅晶圆片；对待刻蚀硅晶圆片进行湿法刻蚀，获得湿法刻蚀后的硅晶圆片，湿法刻蚀后的硅晶圆片具有第二预设深度范围、第二预设宽度范围和预设通道截面。本发明采用上述一种利用激光诱导和湿法腐蚀快速制造硅微通道的方法，降低深硅加工中的时间成本，制作快速原型设备具有操作简单，经济实用，灵活等特点。
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公开(公告)号：CN116376665A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211740761.1
申请日：2022-12-31
申请人： 上海玻纳电子科技有限公司
IPC分类号： C12M1/00
摘要： 本发明公开了一种多通道微反应器及其制备方法，包括进样层、传热层以及将进样层、传热层封装在一起的封装层；所述进样层包括进样结构以及反应结构，所述进样结构上部贯穿设置两列进样孔，所述反应结构上设置与进样孔对应的进样腔，每列对应位置的进样腔之间通过反应通道连通，所述传热层设置于反应结构远离进样结构的一侧；本发明将反应腔的功能集成在进样层，传热层剥离了存储样品功能，更集中于热传输功能的实现，解决了常规硅基反应器的高成本和进样系统复杂的难点。整个微反应器结构更加精简，效率大大提升，成本也大幅度降低。
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公开(公告)号：CN113921631A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111104757.1
申请日：2021-09-22
申请人： 上海玻纳电子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/049 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种增强太阳能背板水蒸气阻隔性的方法，包括以下步骤：将支撑基材层所用材料放入到原子层沉积设备中，在支撑基材层的上面沉积无机氧化物获得无机氧化物薄膜上层，在支撑基材层的下面沉积无机氧化物获得无机氧化物薄膜下层，得到高水蒸气阻隔性太阳能背板支撑基材；然后将高水蒸气阻隔性太阳能背板支撑基材的一面与耐候氟碳薄膜层材料使用粘结剂进行复合，得到高水蒸气阻隔性的太阳能背板；以市售常规180微米厚的PET基材为例，其水蒸气透过率为1.746g/m2*24h，当在其表面进行双面30纳米厚的氧化铝薄膜沉积后，得到的太阳背板的水蒸气透过率降低到0.005g/m2*24h。
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公开(公告)号：CN103400634B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310308343.X
申请日：2013-07-22
申请人： 上海玻纳电子科技有限公司
IPC分类号： H01B1/22 , H01L31/0224 , H01B13/00
摘要： 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池正面电极用导电银浆及其制备方法，各组分的质量百分比为：银粉70-90wt%、含铅玻璃粉1-10wt%、有机载体5-19wt%；其中有机载体为溶剂、增粘树脂、表面活性剂、触变剂和塑化剂的混合物；通过有机载体组分及含量的调节，使导电浆料的表面张力和自身流变性能得到改善，使其在硅片表面的流平能力得到显著提高，银浆印刷后形成的电极与其底部的硅片的实际接触面积增加，电极与硅片的接触电阻降低，相应的电池串阻降低，电池的转换效率得到提升。
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公开(公告)号：CN102543257A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019776.9
申请日：2012-01-20
申请人： 上海玻纳电子科技有限公司
IPC分类号： H01B1/22 , H01B1/16 , H01B13/00 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种改性晶体硅太阳能电池用银厚膜浆料及其制备方法，所述浆料包括如下重量百分比的组分：导电超细银粉75-90%，玻璃粉1-8%，有机相9-17%；还包括占所述导电超细银粉和玻璃粉总重量的0.05-2%的表面活性剂。本发明在粉体表面包覆了一层表面活性剂，改善了粉体的团聚状况，并使其更好地分散在有机相中，形成了一个比较稳定的浆料体系，同时降低了浆料的刮板细度，延长了浆料的使用寿命。此种浆料所印制的电极烧结后高度大，体电阻小，机械强度较高。因此，本发明的浆料不仅使电池电极的机械强度提高，而且电池的填充因子FF增大，串联电阻减小，光转化效率提高，使电池具有好的综合电性能和机械性能的平衡。
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公开(公告)号：CN113866145A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111130236.3
申请日：2021-09-26
申请人： 联合基因生物科技(上海)有限公司 , 上海玻纳电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及核酸检测芯片技术领域，尤其涉及一种快速聚合酶链式反应用硅基芯片的制造方法，于单晶硅晶圆片上沉积氮氧化硅膜；开窗及形成沟道得到预处理的晶圆片，进行湿法刻蚀，湿法刻蚀后的晶圆片具有湿法刻蚀沟道；对湿法刻蚀后的晶圆片进行清洗，采用玻璃盖片对清洗后的晶圆片进行密封键合；对键合后的晶圆片进行切割获得核酸检测芯片。本发明使得聚合酶链式扩增反应的时间大为缩减，且沉积的氮氧化硅膜能够抵抗后续工艺中碱性溶液的腐蚀，并且不需要额外的清洗工艺去除，可以保证玻璃盖片与芯片基材具有足够强度，不会出现剥离现象，还具有减少反射光对荧光测试的干扰问题，提高测试的准确性。
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公开(公告)号：CN102543257B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210019776.9
申请日：2012-01-20
申请人： 上海玻纳电子科技有限公司
IPC分类号： H01B1/22 , H01B1/16 , H01B13/00 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种改性晶体硅太阳能电池用银厚膜浆料及其制备方法，所述浆料包括如下重量百分比的组分：导电超细银粉75-90%，玻璃粉1-8%，有机相9-17%；还包括占所述导电超细银粉和玻璃粉总重量的0.05-2%的表面活性剂。本发明在粉体表面包覆了一层表面活性剂，改善了粉体的团聚状况，并使其更好地分散在有机相中，形成了一个比较稳定的浆料体系，同时降低了浆料的刮板细度，延长了浆料的使用寿命。此种浆料所印制的电极烧结后高度大，体电阻小，机械强度较高。因此，本发明的浆料不仅使电池电极的机械强度提高，而且电池的填充因子FF增大，串联电阻减小，光转化效率提高，使电池具有好的综合电性能和机械性能的平衡。
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