公开(公告)号：CN106024983B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201610542614.1

申请日：2016-07-11

申请人： 上海大族新能源科技有限公司 ,  上海玻纳电子科技有限公司

发明人： 刘超 ,  刘成法 ,  张为国 ,  张松 ,  王佩然 ,  陈寒 ,  王登峰 ,  蔡锦添 ,  夏世伟 ,  季海晨 ,  高云峰 ,  柳翠 ,  袁晓

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L21/225

摘要： 本发明涉及一种太阳电池及其制作方法。该方法包括步骤：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼源膜层，通过激光对其进行处理，形成硼源区域和多个无硼源区域，相邻的无硼源区域之间有间隔；将N型硅片进行反应，在硼源区域的位置上形成依次层叠的p+发射极区域和硼硅玻璃区域，在第一表面上形成氧化硅层；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n+背表面场区域，在第一表面上依次形成n+前表面场层和磷硅玻璃层；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述太阳电池及其制作方法，减小了光生载流子在背表面的横向传输距离，提高了全背接触太阳电池的效率。

公开(公告)号：CN205881928U

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201620725185.7

申请日：2016-07-11

申请人： 上海大族新能源科技有限公司 ,  上海玻纳电子科技有限公司

发明人： 刘超 ,  刘成法 ,  张为国 ,  张松 ,  王佩然 ,  陈寒 ,  王登峰 ,  蔡锦添 ,  夏世伟 ,  季海晨 ,  高云峰 ,  柳翠 ,  袁晓

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L21/225

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本实用新型涉及一种太阳电池。一种太阳电池，包括具有绒面和抛光面的N型硅片，绒面侧包括n+前表面场层，抛光面侧包括p+发射极区域和多个n+背表面场区域，每个n+背表面场区域由p+发射极区域包围，n+背表面场区域和p+发射极区域均延伸至N型硅片内，并且其顶部表面齐平；位于n+前表面场层上的第一钝化减反射膜层和覆盖p+发射极区域和n+背表面场区域的第二钝化减反射膜层；位于第二钝化减反射膜层上的正电极和负电极，正电极向p+发射极区域延伸，延伸至p+发射极区域的顶部表面，负电极向所述n+背表面场区域，延伸至n+背表面场区域的顶部表面。上述太阳电池，提高了全背接触太阳电池的效率。

公开(公告)号：CN105405899B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201510628285.8

申请日：2015-09-28

申请人： 上海大族新能源科技有限公司

发明人： 张松 ,  王培然 ,  刘超 ,  夏世伟 ,  季海晨

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种N型双面电池及其制作方法。该方法包括：将N型硅片的第一表面和第二表面进行制绒处理；在N型硅片的第一表面上形成硼掺杂源层，采用第一激光参数，对第一表面进行激光处理，在第一表面上形成p+掺杂区域，并采用第二激光参数，对第一表面进行激光处理，在第一表面上形成p++重掺杂区域；在N型硅片的第二表面上涂覆磷掺杂源，采用第三激光参数，对第二表面进行激光处理，在第二表面上形成n+掺杂区域，并采用第四激光参数，对第二表面进行激光处理，在第二表面上形成n++重掺杂区域；再在第一表面上依次制备钝化减反射膜层和电极。上述N型双面电池及其制作方法，降低对N型硅片的热损伤，且能提高电池转换率。

公开(公告)号：CN106024983A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610542614.1

申请日：2016-07-11

申请人： 上海大族新能源科技有限公司

发明人： 刘超 ,  刘成法 ,  张为国 ,  张松 ,  王佩然 ,  陈寒 ,  王登峰 ,  蔡锦添 ,  夏世伟 ,  季海晨 ,  高云峰 ,  柳翠 ,  袁晓

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L21/225

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L21/225 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0682

摘要： 本发明涉及一种太阳电池及其制作方法。该方法包括步骤：将N型硅片的第一表面进行制绒处理，将其第二表面进行抛光；在第二表面上形成硼源膜层，通过激光对其进行处理，形成硼源区域和多个无硼源区域，相邻的无硼源区域之间有间隔；将N型硅片进行反应，在硼源区域的位置上形成依次层叠的p+发射极区域和硼硅玻璃区域，在第一表面上形成氧化硅层；将N型硅片放入磷源扩散炉中，在第二表面上形成n+背表面场区域，在第一表面上依次形成n+前表面场层和磷硅玻璃层；在N型硅片的表面上分别形成钝化层；在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述太阳电池及其制作方法，减小了光生载流子在背表面的横向传输距离，提高了全背接触太阳电池的效率。

公开(公告)号：CN104835875A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510188915.4

申请日：2015-04-20

申请人： 上海大族新能源科技有限公司 ,  大族激光科技产业集团股份有限公司

发明人： 高云峰 ,  刘成法 ,  刘超 ,  张松 ,  徐大超 ,  王鹏磊 ,  季海晨

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/186 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1868

摘要： 本发明公开了一种晶体硅太阳电池的侧边激光隔离方法，利用激光在半成品太阳电池的侧边绕刻一周，将半成品太阳电池侧边的pn结隔断，形成一隔离槽。本发明还公开了一种晶体硅太阳电池的制备方法。本发明实现对常规太阳电池及n型双面电池等特殊电池的pn结隔离，降低太阳电池的因有效面积损失而带来的效率损失，使太阳电池的效率损失降低到0.1%abs及以下。

公开(公告)号：CN106065495A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610681849.9

申请日：2016-08-17

申请人： 上海大族新能源科技有限公司

发明人： 张松 ,  刘成法 ,  张为国 ,  刘超 ,  陈寒

IPC分类号： C30B31/04 ,  B05D1/00 ,  B05D1/02 ,  H01L21/228

摘要： 本发明涉及一种扩散源涂覆装置。扩散源涂覆装置用于涂覆样品，包括旋转机构、固定架、支架和喷嘴阵列，旋转机构与固定架连接，支架与旋转机构连接，喷嘴阵列与支架连接，喷嘴阵列包括多个喷嘴，多个喷嘴均设置于支架上，扩散源涂覆装置对样品进行涂覆时，旋转机构带动支架旋转，使设置在支架上的喷嘴旋转对样品进行扩散源涂覆。上述扩散源涂覆装置能提高涂覆效果和加工效率，节约扩散源材料、降低工艺成本。

公开(公告)号：CN106065495B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201610681849.9

申请日：2016-08-17

申请人： 上海大族新能源科技有限公司

发明人： 张松 ,  刘成法 ,  张为国 ,  刘超 ,  陈寒

IPC分类号： B05D1/00 ,  B05D1/02 ,  H01L21/228 ,  C30B31/04

摘要： 本发明涉及一种扩散源涂覆装置。扩散源涂覆装置用于涂覆样品，包括旋转机构、固定架、支架和喷嘴阵列，旋转机构与固定架连接，支架与旋转机构连接，喷嘴阵列与支架连接，喷嘴阵列包括多个喷嘴，多个喷嘴均设置于支架上，扩散源涂覆装置对样品进行涂覆时，旋转机构带动支架旋转，使设置在支架上的喷嘴旋转对样品进行扩散源涂覆。上述扩散源涂覆装置能提高涂覆效果和加工效率，节约扩散源材料、降低工艺成本。

公开(公告)号：CN108198910A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810040765.6

申请日：2018-01-16

申请人： 上海大族新能源科技有限公司

发明人： 夏世伟 ,  张为国 ,  张松 ,  韩向超 ,  杨崇文 ,  陈寒

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种晶体硅太阳电池的漏电处理方法。该漏电处理方法包括如下步骤：将晶体硅太阳电池的正、负极分别接在电源的正负极，进行通电；通电后，在所述晶体硅太阳能电池的硅片正表面上，采集位于边缘不同位置处的物理特征数据；根据所述不同位置处的物理特征数据，确定所述晶体硅太阳电池中的PN结所在的位置；利用激光将所述PN结隔断。上述晶体硅太阳电池的漏电处理方法，不仅能够避免晶体硅太阳电池漏电，还能够最大限度地利用有限的发光面积，同时可以避免绝缘区域选取错误造成成品率低的问题。

公开(公告)号：CN104907690A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510278880.3

申请日：2015-05-27

申请人： 上海大族新能源科技有限公司

发明人： 张松 ,  刘超 ,  刘成法 ,  徐大超 ,  王鹏磊 ,  季海晨 ,  高云峰

IPC分类号： B23K26/046

CPC分类号： B23K26/046 ,  B23K2101/40

摘要： 本发明涉及一种激光焦点定位装置，该激光焦点定位装置包括探测器、载台、位置调整机构、光衰减器、位置调整机构、光衰减器以及图像采集与分析模块，载台位于探测器下方，位置调整机构位于载台两侧并与载台连接，光衰减器位于探测器上方，图像采集与分析模块与探测器通信连接。上述激光焦点定位装置对激光光斑进行处理并得到最精确的光斑大小，进而准确地确定焦点位置，克服了人为因素影响，焦点定位精度高。本发明还涉及采用上述装置的激光焦点定位方法，该方法步骤简单，焦点定位精度高。

公开(公告)号：CN105609571B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201610104676.4

申请日：2016-02-25

申请人： 上海大族新能源科技有限公司

发明人： 刘超 ,  刘成法 ,  张松 ,  张为国 ,  王佩然 ,  陈寒

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及种IBC太阳电池及其制作方法。该方法包括:将N型硅片的第表面进行制绒处理,将其第二表面进行抛光;在第二表面上形成硼掺杂源层,将其放入热氧化炉中进行反应,在第二表面上形成依次层叠的p+发射极层和硼硅玻璃层,在第表面上形成氧化硅层;采用激光去除第二表面的特定区域的硼硅玻璃和p+发射极;将N型硅片放入磷源扩散炉中,在第二表面上形成n++表面场区域,在第表面上依次形成n+表面场层和磷硅玻璃层;采用激光隔开第二表面上的p+发射极和n++表面场区域;去除硼硅玻璃和磷硅玻璃;在N型硅片的表面上分别形成钝化层;在第二钝化减反射膜层上分别制备正、负电极。上述IBC太阳电池及其制作方法,简化工艺流程和步骤。