公开(公告)号：CN1796482B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200510116191.9

申请日：2005-10-19

申请人： 不二见株式会社

发明人： 平光亚衣 ,  伊藤隆 ,  堀哲二

IPC分类号： C09K3/14 ,  C09C1/68 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： 提供一种抛光组合物，其氮化硅层的材料去除速率高于氧化硅层的材料去除速率，对抛光平面化基本上没有不良作用，可以达到足够的氮化硅层去除速率，还提供了一种使用该组合物的抛光方法。一种抛光组合物，包含氧化硅磨粒、酸添加剂和水，当酸添加剂形成85重量％的水溶液时，在80℃的大气下，对氮化硅层的化学蚀刻速率最多为0.1纳米/小时。特别优选的组合物是其中氧化硅磨粒的平均粒径为1-50纳米，pH值为3.5-6.5的组合物。

公开(公告)号：CN1261520C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN02141814.4

申请日：2002-08-09

申请人： 不二见株式会社

发明人： 大野晃司 ,  酒井谦儿 ,  伊奈克芳

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  B24B1/00

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

摘要： 本发明提供一种研磨用组合物，可以同等研磨速度研磨钨膜和绝缘膜，其结果是创造出平坦性良好的，无研磨损伤，不受铁离子等杂物污染的研磨面。该研磨用组合物含有(a)二氧化硅、(b)过碘酸、(c)pH调整剂、和(d)水，研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，及使用该研磨用组合物的研磨方法。该研磨用组合物是适宜半导体装置的精加工研磨。

公开(公告)号：CN1515640A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03100995.6

申请日：1999-06-15

申请人： 不二见株式会社

发明人： 谷克己

IPC分类号： C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

摘要： 公开了一种抛光组合物用于抛光存储器硬盘的用途，该组合物包含水和选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和二氧化锰中的至少一种磨料，该组合物还含有丁二酸或其盐溶解于其中。还公开了一种抛光存储器硬盘的方法，该方法使用了一种用于存储器硬盘的抛光组合物，该组合物包含水和选自氧化铝、二氧化硅、氧化铈、氧化锆、氧化钛、氮化硅和二氧化锰中的至少一种磨料，该组合物还含有丁二酸或其盐溶解于其中。

公开(公告)号：CN1496763A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310101547.2

申请日：2003-10-10

申请人： 不二见株式会社

发明人： 五日市剛 ,  大澤悟 ,  森下徹

IPC分类号： B05B7/20 ,  B05B5/06 ,  C23C4/12

摘要： 本发明的热喷涂枪能形成高质量的陶瓷喷涂涂层。根据该喷涂枪，自该喷涂枪的燃烧室产生的火焰被送入自燃烧室到与燃烧室相连通的排放口形成的通道，然后火焰从排放口被排到喷涂枪外部。喷涂材料被提供到穿过通道的火焰中，这样喷涂材料能被火焰软化或熔化，并能被喷出。辅助燃料被提供到穿过通道的火焰中，以升高火焰的温度。

公开(公告)号：CN1461766A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN03140710.2

申请日：2003-05-30

申请人： 不二见株式会社

发明人： 石桥智明 ,  杉山博保 ,  大脇寿树

IPC分类号： C08J5/14

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02

摘要： 本发明提供一种能够防止磁盘基片表面的外周部分被过度研磨的研磨用组合物。依照本发明的第一研磨用组合物包括由上面的通式表示的化合物：字母X表示聚醚多元醇的残基，字母m表示与一个聚醚多元醇分子中的羟基数相等的数字，字母Y表示二价烃基，字母Z表示具有活性氢原子的单价化合物的残基，字母n表示等于或者大于3的整数。依照本发明的第二研磨用组合物包括具有衍生自异戊二烯磺酸或其盐的单体单元的聚合物。

公开(公告)号：CN1113956C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN97123014.5

申请日：1997-11-26

申请人： 不二见株式会社

发明人： 大胁寿树

IPC分类号： C11D7/60 ,  G11B23/50

CPC分类号： G11B23/505 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047

摘要： 本发明公开一种存储硬盘的清洗组合物，它含有水和选自含氧酸、含氧酸盐和氯化物的添加剂。

公开(公告)号：CN1427055A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02157402.2

申请日：2002-12-17

申请人： 不二见株式会社

发明人： 神谷知秀 ,  平野淳一 ,  安福昇 ,  横道典孝 ,  大胁寿树

IPC分类号： C09G1/18

CPC分类号： B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  C09G1/18 ,  C09K3/14 ,  G11B5/84

摘要： 一种用于对磁盘基片进行抛光的抛光组合物，它包含(A)选自磷酸盐和磷化合物中的一种组分，或者选自磷酸、磷酸盐和磷化合物中的两种组分，(B)二氧化硅和(C)水，其特征在于：当(A)化合物只含有膦酸时，不含(D)硝酸铝。

公开(公告)号：CN1369530A

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN02103380.3

申请日：2002-01-31

申请人： 不二见株式会社

发明人： 浅野宏 ,  酒井谦儿 ,  伊奈克芳

IPC分类号： C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： 一种抛光组合物,它含有下述组分(a)－(g):(a)至少一种选自二氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锆和氧化钛的磨料;(b)脂族羧酸;(c)至少一种选自铵盐、碱金属盐、碱土金属盐、有机胺化合物和季铵盐的碱性化合物;(d)至少一种选自柠檬酸、乙二酸、酒石酸、甘氨酸、α－丙氨酸和组氨酸的促进抛光的化合物;(e)至少一种选自苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑和甲苯三唑的防腐蚀剂;(f)过氧化氢和(g)水。

公开(公告)号：CN1343751A

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN01141167.8

申请日：1997-12-05

申请人： 不二见株式会社

发明人： 三蒲司朗 ,  河村笃纪 ,  玉井一诚

IPC分类号： C09G1/14

CPC分类号： H01L21/02024 ,  C09G1/02

摘要： 一种抛光剂组合物,它包含气相二氧化硅、碱性钾化合物及水,其电导率为100－5,500μs/cm。

公开(公告)号：CN1240223A

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：CN99108532.9

申请日：1999-06-22

申请人： 不二见株式会社

发明人： 井上穣 ,  伊东真时

IPC分类号： C09G1/18 ,  C09G1/02

CPC分类号： H01L21/02024 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

摘要： 一种用于电阻率最大为0.1Ω·cm的硅晶片的抛光组合物,它包括水,磨料和至少一种作为添加剂选自碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐、碱金属碳酸氢盐、季铵盐、过氧化物或过氧酸化合物的化合物。