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公开(公告)号:CN109622334A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201811545709.4
申请日:2018-12-18
申请人: 浙江鼎澈科技股份有限公司
发明人: 阮早升
摘要: 本发明公开了一种智能互联网车漆快速修复流水线,包括传送机构、钣金作业工段、打磨作业工段、中涂作业工段、喷漆作业工段、抛光作业工段,还包括管理平台、设置在各个作业工段的监控管理终端以及标签张贴机构,所述管理平台与所述标签张贴机构通信连接,形成与相应传送承载主体的待修复车辆对应的标签信息,同时,所述管理平台实现监控管理终端与待修复车辆车主移动端的数据交互。发明结构合理,能够将实时的工作信息让客户第一时间知晓,同时提高了作业效率。
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公开(公告)号:CN109392311A
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201780031950.2
申请日:2017-05-29
申请人: 三井金属矿业株式会社
IPC分类号: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要: 本发明的研磨液含有高锰酸离子、弱酸及其可溶性盐。研磨开始前的pH在25℃下优选为0.5~6.0。在25℃下向将pH调整为3.0~4.0的上述研磨液100mL中添加浓度为0.1mol/L的氢氧化钠的水溶液时使pH上升0.5所需要的氢氧化钠的水溶液的添加量优选为0.1mL~100mL。弱酸优选为醋酸。
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公开(公告)号:CN109015335A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201811130348.7
申请日:2018-09-27
申请人: 德淮半导体有限公司
摘要: 一种化学机械研磨装置及其工作方法,其中,化学机械研磨装置包括:研磨盘,所述研磨盘包括承载面;位于所述承载面表面的研磨垫,所述研磨垫包括相对的非研磨面和研磨面,所述非研磨面与承载面贴合;修整器,用于对所述研磨面进行表面处理;位于研磨盘内的振动装置。利用所述化学机械研磨装置能够提高研磨垫的使用寿命。
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公开(公告)号:CN108966673A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201780014069.1
申请日:2017-02-13
申请人: 福吉米株式会社
发明人: 田畑诚
IPC分类号: H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号: B24B37/00 , H01L21/304
摘要: 提供:能降低PID的硅基板研磨方法和该研磨方法中使用的研磨用组合物套组。由本发明提供的硅基板研磨方法包括预研磨工序和精研磨工序。上述预研磨工序包括在同一平板上进行的多个预研磨阶段。上述多个预研磨阶段包括向上述硅基板供给最终预研磨浆料PF而进行的最终预研磨阶段。上述最终预研磨阶段中向上述硅基板供给的全部最终预研磨浆料PF中的总Cu重量和总Ni重量中的至少一者为1μg以下。
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公开(公告)号:CN108818291A
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201710308183.7
申请日:2017-05-04
申请人: 赛峰航空器发动机 , 赛峰飞机发动机(贵阳)有限公司
摘要: 一种用于从工件(1)中的凹槽(2)去除材料的工具(10),该工具包括可移动部分(30)和固定部分(20);固定部分(20)包括工件支撑件和引导装置(26),所述工件支撑件被构造成使所述工件(1)能够以刚性的方式被紧固到其上,所述引导装置(26)被构造成沿着一预定的弯曲路径相对固定部分(20)引导可动部分(30)的运动,可移动部分(30)包括工具支撑件(33)和固定到其上的材料去除工具(40)。一种使用这种工具的方法。
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公开(公告)号:CN108699425A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201680079331.6
申请日:2016-12-16
申请人: 福吉米株式会社
IPC分类号: C09K3/14 , B24B37/00 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号: B24B37/044 , B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/30625
摘要: 提供能实现具有平滑性和低缺陷性的被研磨面的研磨用组合物。研磨用组合物含有满足条件(A)及(B)的水溶性高分子。条件(A):在包含平均一次粒径35nm的二氧化硅、水溶性高分子、氨、及水、且二氧化硅的浓度为0.48质量%、水溶性高分子的浓度为0.0125质量%、pH为10.0的第一标准液中,吸附于二氧化硅的水溶性高分子的量相对于第一标准液中含有的水溶性高分子的总量的比率即吸附率为10%以上。条件(B):在包含平均一次粒径35nm的二氧化硅、水溶性高分子、氨、及水、且二氧化硅的浓度为0.48质量%、水溶性高分子的浓度为0.0125质量%、pH为10.4的第二标准液中,吸附于二氧化硅的水溶性高分子的量相对于第二标准液中含有的水溶性高分子的总量的比率即吸附率为65%以下。
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公开(公告)号:CN108473851A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201780007120.6
申请日:2017-03-22
申请人: 福吉米株式会社
发明人: 石桥智明
IPC分类号: C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要: 提供一种用于对具有1500Hv以上的维氏硬度的研磨对象材料进行研磨的研磨用组合物。该研磨用组合物包含氧化铝磨粒和水。氧化铝磨粒的等电点低于8.0、且低于研磨用组合物的pH。
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公开(公告)号:CN105328514B
公开(公告)日:2018-08-10
申请号:CN201510626484.5
申请日:2011-07-08
申请人: 康宁股份有限公司
IPC分类号: B24B1/00
CPC分类号: B24B31/112 , B24B1/005 , B24B9/065 , B24B21/002 , B24B29/00 , B24B37/00
摘要: 本发明涉及一种边缘抛光设备。该边缘抛光设备包括:至少一个平坦表面;流体输送装置,所述流体输送装置构造成将至少一个磁流变抛光流体(MPF)带输送到所述至少一个平坦表面;至少一个磁体,所述至少一个磁体邻近所述至少一个平坦表面设置以在所述至少一个平坦表面附近施加磁场;以及至少一个保持器,所述至少一个保持器与所述至少一个平坦表面相对设置,所述至少一个保持器构造成支承至少一个制品使得所述至少一个制品的边缘可选择性地浸入输送到所述至少一个平坦表面的所述至少一个MPF带中。
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公开(公告)号:CN108214279A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201810330358.9
申请日:2018-04-13
申请人: 长兴浙蕨科技有限公司
发明人: 陈花贵
摘要: 本发明公开了一种半导体材料用研磨抛光装置,包括研磨台、研磨盘、旋转电机,所述研磨台下设置有支撑腿,所述研磨台上设置有启动键,所述启动键旁设置有横凸台,所述横凸台旁设置有纵凸台,所述研磨台后设置有立柱,所述立柱上设置有轨道槽,所述轨道槽内壁上设置有齿条,所述轨道槽内设置有齿轮,所述齿轮后设置有升降电机,所述升降电机后设置有支撑横梁,所述支撑横梁上设置有所述旋转电机,所述旋转电机下设置有传动轴。有益效果在于:本发明利用上下移动研磨盘使半导体材料整体统一受力,避免了由于半导体材料研磨时线性受力而产生的不均匀条纹,提高了半导体材料研磨抛光的均匀性,提高了半导体材料研磨抛光的整体质量。
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公开(公告)号:CN105593330B
公开(公告)日:2018-06-19
申请号:CN201480053941.X
申请日:2014-09-22
申请人: 福吉米株式会社
IPC分类号: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号: C09K3/1463 , B24B37/00 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/1436 , H01L21/02024 , H01L21/02052
摘要: 本发明提供一种能够有效地减少表面缺陷的研磨用组合物。根据本发明,可提供包含水溶性高分子MC‑end的研磨用组合物。前述水溶性高分子MC‑end的主链包含作为主构成区域的非阳离子性区域和位于该主链的至少一个端部的阳离子性区域。前述阳离子性区域具有至少一个阳离子性基团。
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