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公开(公告)号：CN116825738A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310824392.2
申请日：2023-07-06
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/552 , H01L23/31 , H01L23/535 , H01L23/16 , H01L25/065
摘要： 本发明提供的一种开关功率器件的叠层式封装结构，包括：功率电极，功率电极之间呈叠层式排布，相邻层之间通过连接板连接；芯片，若干芯片安装在底部或中部的功率电极上，芯片的侧面有信号电极安装在功率电极上；所述芯片与功率电极之间通过功率导线连接，所述芯片与信号电极之间通过信号导线连接。DC+相、交流相、DC‑相竖直排布，电流路径较短，使得杂散电感、引线电阻等寄生参数较小，系统电性能更好；并且使得整个结构更加紧凑，尺寸更小；信号端子和功率端子由两侧引出，互不干扰；交流相夹在平行的两块大板DC+和DC‑之间，也有利于信号的抗干扰，系统具有更好的的抗干扰性能。
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公开(公告)号：CN117613102A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311743803.1
申请日：2023-12-18
IPC分类号： H01L29/866 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
摘要： 本发明提供的一种平面合金二极管结构及其制备方法，包括N型衬底区；位于所述N型衬底区边缘周围的P型扩散结；位所述N型衬底区的有源区设有P型合金结；所述N型衬底区的表面边缘设有钝化层；所述P型合金结的表面设有阳极金属层；所述N型衬底层背面设有阴极金属层。过将齐纳二极管工作在反向偏置，P型合金区和N型衬底区掺杂浓度比较高，当器件反向偏压逐渐增大时，器件发生了隧道击穿效应，器件边缘的P型扩散区掺杂浓度比较低并且结深较深，可以降低器件边缘电场集中效应，器件击穿点一般位于P型合金结与N型衬底交界位置，可以有效降低器件反向漏电流。
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公开(公告)号：CN117316944A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310901971.2
申请日：2023-07-21
摘要： 本发明提供的一种IGBT模块MJ封装结构及其封装工艺，包括陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板上设有电路；桥臂，多个桥臂纵向布置，每个桥臂包含上桥臂和下桥臂，上桥臂和下桥臂分别通过一颗IGBT芯片和FRD芯片组成；金属底板，金属底板边缘设有信号端子；所述桥臂焊接在陶瓷覆铜板上，所述陶瓷覆铜板固定在金属底板中部，桥臂通过键合导线与信号端子连接；本发明通过采用贴片电阻，贴片电阻能够直接焊接在覆铜板上，不但简化了工艺还提高了产品的可靠性；并且IGBT芯片上的键合点的为“Z”字型排布，减少该模块内部杂散电感，提高开关特性，降低模块的开关损耗，并使模块避免了由于受内部杂散电感影响而产生开通或者关断的损坏现象。
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公开(公告)号：CN118712189A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410858685.7
申请日：2024-06-28
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/498 , H02M1/00 , H02M1/32 , H02H9/04
摘要： 本发明提供的一种能够承载超大电流的IGBT模块；包括陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板设有多块相互独立的铜板；桥臂，每个桥臂均包含一个上桥臂和一个下桥臂，每个上桥臂和下桥臂分别通过三颗IGBT芯片和三颗FRD芯片组成；外壳，外壳相对的两侧设有若干功率端子；金属底板,金属底板的边缘交错加工有若干安装孔和外壳安装孔；每个桥臂分别单独设在一个陶瓷覆铜板上，上桥臂和下桥臂分别设在陶瓷覆铜板的两端，三个陶瓷覆铜板竖向并排固定在金属底板中部，外壳固定在金属底板的边缘将三个陶瓷覆铜板包围。模块的三个桥臂均通过三组IGBT芯片和FRD芯片并联而成，使模块能够承载更大的电流，并且在模块内设置了压敏电阻，使模块具有过压保护功能。
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公开(公告)号：CN116487337A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310634150.7
申请日：2023-05-31
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/18 , H01L23/498 , H01L23/49 , H01L23/10 , H01L25/065 , H01L21/50
摘要： 本发明提供的一种三相全桥IGBT模块及其制作方法，包括底板,所述底板为方形板；塑料框架，所述塑料框架固定在底板上将底板分为三个四周被包围的方槽；芯片陶瓷覆铜板，三块芯片陶瓷覆铜板呈条直线且间隔一定间距设在每个方槽内；IGBT管芯和FRD管芯，同一方槽内的IGBT管芯和FRD管芯组合为一个单相半桥。本发明通过使用集成封装的六单元全桥IGBT模块代替三个并排安装的半桥模块投入使用，降低由于模块公差或装配误差导致的散热不稳定性；安装使用时可以使用单一的控制线路板进行控制，降低了系统复杂度；保证模块中的管芯的一致性，降低了管芯批次性不一致而造成的失效风险。
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公开(公告)号：CN117316880A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310634140.3
申请日：2023-05-31
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/498 , H01L23/04 , H01L23/18 , H01L25/065 , H01L21/48 , H01L21/50
摘要： 本发明提供的一种IGBT模块及其制作工艺；通过采用DBC设计、零件设计、线路布局和功率端子直接引出的方式，无需通过PCB引线，直接简化模块结构和生产工艺的同时提升了产品的可靠性和生产工序，本专利通过芯片并联均流仿真设计，降低模块每个并联支路流通量差异，避免了由于受每个并联支路流通量差异大影响而产生芯片损坏现象；在栅极并联的电阻，不但可以通过额外的键合线把并联的IGBT和二极管连接起来，这样可使得并联IGBT的开关行为更对称，可以防止高频率振荡。
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公开(公告)号：CN116462934A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310542578.9
申请日：2023-05-15
摘要： 本发明属于电子封装材料的技术领域，具体涉及一种高耐压高可靠的塑封材料及其应用，塑封材料按质量百分比计包括如下组分：片状硅粉78‑84％，α‑Al2O3颗粒2‑3％，环氧树脂8‑12％，硬化剂4‑6％，脱模剂＜1％，促进剂＜1％和适量着色剂；该塑封材料具有良好的耐高压性能良好、低吸湿率、强粘结力，本发明的封装材料用于电子封装，能够提高电子元器件的可靠性、使用寿命，防止击穿现象、短路现象、形变现象，有效避免了器件失效。
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公开(公告)号：CN116435345A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310618301.X
申请日：2023-05-29
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
摘要： 本发明提供的一种复合MPT结构的高频IGBT芯片及其制备方法，包括漂移区。本发明通过微沟槽结构，将元胞尺寸缩小至2.4μm，同时在有源栅元胞中引入发射沟槽元胞，在不改变沟道长度等器件结构的基础上，通过合理分配有源栅元胞和发射沟槽元胞的比例，降低器件的米勒电容(Cres)，增大输入电容(Cies)与米勒电容(Cres)的比例，从而增加高频应用下IGBT的开通关断的可控性，提升高频表现。
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公开(公告)号：CN113707643A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110999766.5
申请日：2021-08-30
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/18 , H01L21/768
摘要： 一种高集成高可靠IGBT功率模块及其制造方法，包括：金属底板、金属底板固定孔、多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片、模块引脚、键合丝、4个IGBT芯片、4个二极管芯片，组成H桥电路结构；综合采用了金属底板、多层陶瓷基片、裸芯片装结键合、金属固接等工艺技术，将多层布线陶瓷左半桥基片、多层布线陶瓷转接基片、多层布线陶瓷右半桥基片贴装焊接在金属底板上，将4个IGBT芯片、4个二极管芯片按设计布局贴装焊接相应基片上。解决了现有IGBT模块耐高压性能差、组装密度低、散热措施复杂、可靠性低的问题。广泛应用于半导体功率电力器件的封装工艺中。
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公开(公告)号：CN118825008A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411034884.2
申请日：2024-07-30
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/498
摘要： 本发明提供了一种绝缘栅双极性晶体管模块，多个印制板平行安装在底板上，多个桥臂分别单独安装在一个印制板上，功率输入端子连接在上桥臂和下桥臂之间，第一功率输出端子和第二功率输出端子分别连接在桥臂的两端，G极控制端子、E极信号端子、C极信号端子分别与桥臂G极并联后的线路、E极并联后的线路、C极并联后的线路连接，所述上桥臂G极信号端子和下桥臂G极信号端子分别与上桥臂G极并联后的线路、下桥臂G极并联后的线路连接。本发明通过将多芯片并联实现多个设备的集中控制，并且使模块的额定电流大大增加。
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