公开(公告)号：CN118280933A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211739611.9

申请日：2022-12-30

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 朱泽 ,  刘康 ,  郭晨鸣 ,  张弛 ,  范吉磊 ,  刘宝磊 ,  赵南

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L23/14 ,  H01L23/485 ,  H01L23/18

摘要： 本申请实施例公开一种芯片封装结构及电子设备，涉及半导体技术领域，用于改善封装基板的翘曲，降低封装基板和芯片连接处的应力，降低可靠性风险。芯片封装结构包括：封装基板至少一个芯片、加强圈和补强结构。封装基板具有第一表面。至少一个芯片、加强圈和补强结构连接于第一表面上。加强圈环绕至少一个芯片，补强结构位于加强圈和芯片之间。其中，加强圈的膨胀系数大于封装基板的热膨胀系数，封装基板的热膨胀系数大于补强结构的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN116564917B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202310550773.6

申请日：2023-05-16

申请人： 深圳市金誉半导体股份有限公司

发明人： 林河北 ,  阳小冬 ,  解维虎 ,  陈永金

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/053 ,  H01L23/32 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/18 ,  H01L23/16

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体封装基板结构及其制作工艺；包括基板、晶片、多根导线、多个焊盘、多个引脚和封装组件，封装组件包括盒体、盖板、多根导向杆、多根抵持弹簧、多根拉杆和多块限位弧块，基板与盒体相适配，盖板设置于盒体的上方，盒体多个限位腔，每个限位弧块分别设置于对应的限位腔内，每根抵持弹簧的两端分别与盒体和对应的限位弧块固定连接，每根拉杆分别与对应的限位弧块固定连接，多根导向杆均与盖板固定连接，每根导向杆均具有固定孔，通过上述结构的设置，实现了能够便于将半导体进行封装，连接方式简单，利于半导体的安装与拆卸。

公开(公告)号：CN117594535A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310181448.7

申请日：2023-02-20

申请人： 谷歌有限责任公司

发明人： 伊玛德·萨玛第恩 ,  帕丹姆·贾殷 ,  唐迎时 ,  邓苏芸 ,  尼古拉斯·肇伟·王 ,  基兰·米勒 ,  苏达山·苏加瓦内什·乌达亚库玛

IPC分类号： H01L23/16 ,  H01L23/18 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/46 ,  H01L23/31

摘要： 本发明提供了一种用于三维IC封装的柔性焊盘间隔器。所述柔性焊盘间隔器可用于在基板或板(例如封装基板、中介层或印刷电路板(PCB))之间提供足够的支持，以便最大减少所述IC封装中基板翘曲或结构塌陷的影响。在一种举例中，所述柔性焊盘间隔器包括绝缘材料，例如具有其中设置的陶瓷填料的硅基聚合物复合材料。

公开(公告)号：CN117497429A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311474146.5

申请日：2023-11-07

申请人： 复汉海志(江苏)科技有限公司

发明人： 任晓伟 ,  胡隽

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/54 ,  H01L21/60 ,  H01L23/14 ,  H01L23/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00 ,  H01L21/48

摘要： 本发明公开了一种芯片封装载体制作方法及芯片封装载体，包括以下步骤：制作形成芯片基材；将每个待封装的芯片分别放置在所述芯片基材中的芯片限位槽中；在各所述芯片与对应的芯片限位槽之间形成的间隙中设置介电填充层；在芯片基材上的封装区镀覆缓冲层；对缓冲层进行热处理；在芯片基材上镀覆用于连接芯片基材与芯片的金属层，所述金属层覆设整个芯片基材的上表面；将引线框架固定在金属层上。本发明所述的一种芯片封装载体制作方法及芯片封装载体，不仅可以提升芯片的封装效果以及封装芯片的性能，还能够缓冲芯片基材与引线框架因热膨胀系数不同而产生的应力，保证了芯片封装载体的气密性。

公开(公告)号：CN117316880A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310634140.3

申请日：2023-05-31

申请人： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

发明人： 张亮 ,  周嵘 ,  江加丽 ,  冉龙玄 ,  陈侃 ,  宋邦菊 ,  王博 ,  赵冲冲 ,  吴俊德 ,  何静

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/498 ,  H01L23/04 ,  H01L23/18 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

摘要： 本发明提供的一种IGBT模块及其制作工艺；通过采用DBC设计、零件设计、线路布局和功率端子直接引出的方式，无需通过PCB引线，直接简化模块结构和生产工艺的同时提升了产品的可靠性和生产工序，本专利通过芯片并联均流仿真设计，降低模块每个并联支路流通量差异，避免了由于受每个并联支路流通量差异大影响而产生芯片损坏现象；在栅极并联的电阻，不但可以通过额外的键合线把并联的IGBT和二极管连接起来，这样可使得并联IGBT的开关行为更对称，可以防止高频率振荡。

公开(公告)号：CN117276232A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311162054.3

申请日：2023-09-11

申请人： 厦门云天半导体科技有限公司

发明人： 赵瑾 ,  于大全

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/18 ,  H01L23/367

摘要： 本申请涉及一种芯片封装结构及制作方法，所述芯片封装结构包括依次设置的基板、玻璃中介层、混合薄膜高密度布线层以及芯片，所述玻璃中介层和混合薄膜高密度布线层用于电连接基板和芯片，混合薄膜高密度布线层至少包括一层高密度细线宽布线层和一层光敏布线层。本申请提供制备高密度细线宽的无机介质层可直接在衬底晶圆上由沉积和刻蚀工艺制成，开窗能力可满足细间距要求，与光敏材料充当介质层制备细线宽相比，可极大缓解介质层与衬底之间结合力问题，减小介质层的应力累积，提高了封装过程及真实服役下的可靠性。并且，所制备的高密度金属互连层侧壁平滑无台阶、垂直度高，可降低传输损耗，满足高频高速互连需求。

公开(公告)号：CN116913862A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310176177.6

申请日：2023-02-28

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 福田大祐

IPC分类号： H01L23/043 ,  H01L23/10 ,  H01L23/18 ,  H01L23/06

摘要： 本发明提供一种半导体装置。半导体装置具有：基座板；绝缘基板，其配置于基座板；半导体元件，其配置于绝缘基板；壳体，其通过粘接剂来与基座板接合，包围收容半导体元件的空间；以及密封体，其填充于被壳体包围的空间内，其中，壳体包括钩爪形状部，该钩爪形状部具有从壳体的内壁面突出的突出部以及与突出部形成角度的爪状部，在该爪状部与壳体的内壁面之间夹有空间。

公开(公告)号：CN116646310A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202210139700.3

申请日：2022-02-15

申请人： 上海复旦微电子集团股份有限公司

发明人： 俞军 ,  徐烈伟 ,  周海英

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/18 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/10

摘要： 本发明公开了一种封装结构及方法，该封装结构包括：有机基板，所述有机基板的上表面焊接有芯片，所述芯片的上表面粘结有散热片；所述有机基板的下表面焊接有焊柱。利用本发明方案，可以提高焊点寿命，满足高性能芯片的封装需求。

公开(公告)号：CN116525554A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310515675.9

申请日：2023-05-08

申请人： 成都万应微电子有限公司

发明人： 李岚清 ,  石先玉 ,  彭昌琴 ,  冯浩 ,  张芯怡 ,  孙瑜 ,  吴昊 ,  李克忠 ,  万里兮

IPC分类号： H01L23/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/67

摘要： 本申请涉及电子技术领域，具体地，涉及一种贴装结构、贴装结构的制造方法及存储介质。该贴装结构包括：基板、芯片以及若干连接胶；连接胶包括第一端和第二端；连接胶的第一端连接基板；连接胶的第二端连接芯片；若干连接胶之间均不彼此接触。通过彼此之间具有一定间隙的若干连接胶将芯片与基板连接在一起，使得各连接胶之间具有供其膨胀的空间，进而降低了类似因连接胶之间不具有空隙而单向外延伸，并带动基板与芯片之间膨胀尺寸较小的另一者，而导致其被拉裂等情况出现风险。

公开(公告)号：CN116230657A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211388287.0

申请日：2022-11-04

申请人： 英特尔公司

发明人： D·希亚 ,  J·杨 ,  J·庄 ,  M·普拉朱古德 ,  M·T·克罗克

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/44 ,  H01L23/18 ,  H01L23/31

摘要： 本公开涉及集成有用于两相浸没冷却的沸腾增强的电路器件。用于集成电路组件的两相浸没冷却系统可以利用热耦合到至少一个集成电路器件的散热器件来形成，其中，散热器件包括至少一个表面和从至少一个表面延伸的至少一个突出部，其中，至少一个突出部包括至少一个侧壁，并且其中，至少一个突出部的至少一个侧壁包括至少一个表面积增强结构。利用这种散热器件可以提升核沸腾、改进沸腾性能、减少启动沸腾所需的过热、提升在沸腾期间的临界热通量，并且可以转化成可以放置到单个浸没冷却系统中的更大数量的集成电路器件/封装。