太阳能电池片测试装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106098581A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610578309.8

    申请日:2016-07-21

    IPC分类号: H01L21/66

    CPC分类号: H01L22/14

    摘要: 本发明公开了太阳能电池片测试装置,涉及太阳能电池技术领域,导体条和导体条弹性压紧机构,所述导体条固定于导体条弹性压紧机构的底部,导体条连接导线。本发明采用导体条代替传统的探针,面接触方式使导体条与电池片电极接触完全,减小了对电池片的压强,降低了电池片隐裂或碎片的风险,提高了测试的准确性;本发明使用寿命长,维护时只需要更换带有导体条的弹性介质或弹簧,操作简便,效率高,成本低。

    一种防震太阳能光伏组件

    公开(公告)号:CN103762934B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201410043557.3

    申请日:2014-01-29

    发明人: 史保华 万硕 王稳

    IPC分类号: H02S30/10

    摘要: 本发明公开了一种防震太阳能光伏组,所述防震太阳能光伏组包括:太阳能电池串;第一边框,所述第一边框包围所述太阳能电池串,用于固定所述太阳能电池串;与所述第一边框相匹配的第二边框,所述第二边框与所述第一边框相对的表面设置有导向槽;其中,所述第一边框与所述第二边框相对的表面设置有与所述导向槽匹配的插接部,所述插接部用于设置在所述导向槽内,所述插接部与所述导向槽底部之间设置有纵向防震装置。所述防震太阳能光伏组能够稳定性好,能够有效避免由于外力冲击时导致的电池片损坏问题。

    一种石墨材质基板表层氮化硅的清洗方法

    公开(公告)号:CN102489468B

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201110439202.2

    申请日:2011-12-23

    发明人: 赵强 李龙

    IPC分类号: B08B3/04 B08B3/08

    摘要: 本发明实施例公开了一种石墨材质基板表层氮化硅的清洗方法,包括:在清洗槽内采用氢氟酸溶液对表层覆有氮化硅的石墨材质基板进行清洗,直至去除石墨材质基板表层的氮化硅。本发明所提供的方法采用化学方法去除氮化硅,即:利用氢氟酸与氮化硅的化学反应来清洗氮化硅,由于氢氟酸不与石墨发生反应,所以不会对石墨材质的基板造成影响,保持了基板原有的物理性质,不会降低基板的使用寿命。

    解决硅锭破方质量问题的设备和方法

    公开(公告)号:CN102079113B

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201010560539.4

    申请日:2010-11-25

    发明人: 田欢 任军海

    IPC分类号: B28D5/04 B28D7/00

    摘要: 本发明公开了一种解决硅锭破方质量问题的设备,包括托盘(21)和固定于所述托盘(21)的护块件(22),所述护块件(22)位于所述托盘(21)的四周,还包括夹紧挡板(24)和位置调整部件(23),所述位置调整部件(23)的两侧分别与所述夹紧挡板(24)和所述护块件(22)连接,以便改变所述夹紧挡板(24)的位置,夹紧设置于所述托盘(21)的硅锭。本发明所提供的解决硅锭破方质量问题的设备能够防止边料发生侧向形变,从而在保证切割速度、降低切割成本的基础上,防止了边缘硅块出现“鼓肚”的现象,保证切割质量。本发明还公开了一种解决硅锭破方质量问题的方法。

    一种低表面杂质浓度的太阳能电池PN结的制备方法

    公开(公告)号:CN103400897A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310324405.6

    申请日:2013-07-30

    发明人: 张小盼 范志东

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种低表面杂质浓度的太阳能电池PN结的制备方法,属于半导体器件制备领域。本发明与现有制备方法的区别在于:恒定源扩散步骤在硅片表面形成扩散层,扩散层上含有一层磷硅玻璃层,先将磷硅玻璃层去除掉,然后再进行限定源扩散。本方法有效阻止了磷硅玻璃层中的磷在不通源的情况下继续向硅片内部扩散,有效降低了硅片表面的杂质浓度,减少了载流子在硅片表面的复合,从而提高了太阳能电池的转换效率和太阳能电池的性能。

    一种矫正多晶硅块尺寸的粘接方法

    公开(公告)号:CN102825666A

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201210293296.1

    申请日:2012-08-16

    发明人: 田欢

    IPC分类号: B28D5/00

    摘要: 本发明公开了一种矫正多晶硅块尺寸的粘接方法,针对单侧尺寸不合格硅块的特点(绝大多数尺寸不合格硅块为单侧全部或单侧部分尺寸异常硅块),在硅块粘接工序,采用相对于晶棒定位托盘倾斜定位粘接的方法来处理此类异常硅块,即利用直角三角形斜边永远大于直角边的基本原理,并根据异常硅块的具体尺寸和矫正后的硅片目标尺寸计算得出相对倾斜探出量,然后再进行后续的正常切割加工得到尺寸合格的硅片。

    一种缺陷光伏组件处理方法及系统

    公开(公告)号:CN102663098A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201210108037.7

    申请日:2012-04-13

    发明人: 代延岭

    IPC分类号: G06F17/30 G06Q10/06

    摘要: 本发明实施例公开了一种缺陷光伏组件处理方法及系统,所述方法包括:获取所有缺陷光伏组件的缺陷信息;根据所述缺陷信息生成缺陷光伏组件数据库,所述缺陷光伏组件数据库包括缺陷数据表单,所述数据表单中记录了所有缺陷光伏组件的缺陷信息;在所述缺陷光伏组件数据库中查询与待处理缺陷光伏组件相匹配的记录;根据查询结果,判断所述待处理缺陷光伏组件的处理方式,并显示上述查询结果及判断结果。所述缺陷光伏组件信息处理方法在进行缺陷光伏组件处理时,可实现自动查询、自动判断。与现有技术相比,节约了人力,可实现缺陷光伏组件信息的自动处理,提高了工作效率,且不易发生错误或纰漏,避免了缺陷光伏组件的漏检问题。

    一种沉积减反射膜的方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102492936A

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN201110439724.2

    申请日:2011-12-23

    IPC分类号: C23C16/455 C23C16/34

    摘要: 本发明实施例公开了一种沉积减反射膜的方法,该方法包括:沿硅片传输方向,依次将1个或多个特气槽设置为一组,并将所有特气槽分成N组,其中N不小于2;预先设置每组特气槽中参与反应的硅烷气体和氨气气体的比例;为每组特气槽至少分配一组流量控制计,按照预设的硅烷气体和氨气气体的比例设置每组流量控制计,其中,每组流量控制计包括一个硅烷流量控制计和一个氨气流量控制计;依照流量控制计上的设置,分别通过特气槽上的硅烷气孔和氨气气孔向特气槽中充入预设比例的硅烷和氨气;在硅片表面进行化学气相沉积,至少沉积两层减反射膜。利用本发明提供的方法可以提高硅片表面的钝化效果和减反射效果,进而提高太阳能电池的转换效率。