公开(公告)号：CN102492936A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110439724.2

申请日：2011-12-23

申请人： 保定天威英利新能源有限公司

发明人： 孙小娟 ,  王志国 ,  樊琦芳 ,  王涛 ,  李龙

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/34

摘要： 本发明实施例公开了一种沉积减反射膜的方法，该方法包括：沿硅片传输方向，依次将1个或多个特气槽设置为一组，并将所有特气槽分成N组，其中N不小于2；预先设置每组特气槽中参与反应的硅烷气体和氨气气体的比例；为每组特气槽至少分配一组流量控制计，按照预设的硅烷气体和氨气气体的比例设置每组流量控制计，其中，每组流量控制计包括一个硅烷流量控制计和一个氨气流量控制计；依照流量控制计上的设置，分别通过特气槽上的硅烷气孔和氨气气孔向特气槽中充入预设比例的硅烷和氨气；在硅片表面进行化学气相沉积，至少沉积两层减反射膜。利用本发明提供的方法可以提高硅片表面的钝化效果和减反射效果，进而提高太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN102496662B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201110460022.2

申请日：2011-12-31

申请人： 保定天威英利新能源有限公司

发明人： 王志国 ,  李龙 ,  王涛 ,  张占 ,  郎芳 ,  孙小娟

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明实施例公开了一种太阳能电池不合格半成品的处理方法，该方法包括：将太阳能电池不合格半成品按印刷前造成的缺陷和印刷后造成的缺陷分为两类，并分别记为第一类不合格半成品和第二类不合格半成品；去除第二类不合格半成品上的浆料，之后用碱性溶液对其进行清洗；判断采用碱性溶液清洗后的第二类不合格半成品能否通过印刷工艺而消除缺陷，如果能，则对其进行印刷，如果否，则将其记为第三类不合格半成品；采用酸性溶液对第一类不合格半成品和第三类不合格半成品进行清洗，之后进行制绒。采用该方法对太阳能电池不合格半成品进行处理后，可减少太阳能电池不合格半成品的库存，提高太阳能电池的成品合格率，而且不会影响正常生产。

公开(公告)号：CN102496662A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110460022.2

申请日：2011-12-31

申请人： 保定天威英利新能源有限公司

发明人： 王志国 ,  李龙 ,  王涛 ,  张占 ,  郎芳 ,  孙小娟

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明实施例公开了一种太阳能电池不合格半成品的处理方法，该方法包括：将太阳能电池不合格半成品按印刷前造成的缺陷和印刷后造成的缺陷分为两类，并分别记为第一类不合格半成品和第二类不合格半成品；去除第二类不合格半成品上的浆料，之后用碱性溶液对其进行清洗；判断采用碱性溶液清洗后的第二类不合格半成品能否通过印刷工艺而消除缺陷，如果能，则对其进行印刷，如果否，则将其记为第三类不合格半成品；采用酸性溶液对第一类不合格半成品和第三类不合格半成品进行清洗，之后进行制绒。采用该方法对太阳能电池不合格半成品进行处理后，可减少太阳能电池不合格半成品的库存，提高太阳能电池的成品合格率，而且不会影响正常生产。

公开(公告)号：CN104733564A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510049632.1

申请日：2015-01-30

申请人： 英利集团有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司 ,  保定天威英利新能源有限公司 ,  河北流云新能源科技有限公司

发明人： 张红妹 ,  王涛 ,  马红娜

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0368 ,  H01L21/02

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/182 ,  H01L31/03682

摘要： 本发明实施例公开了一种多晶硅太阳能电池及其制作方法，该方法包括：对多晶硅基体进行酸溶液清洗；清洗完成后，对所述多晶硅基体进行扩散吸杂；扩散吸杂完成后，对所述多晶硅基体表面进行织构化处理，制成太阳能电池。本发明实施例所提供的制作方法，可以利用酸溶液清洗去除所述多晶硅基体表面吸附的一些金属离子，避免这些金属离子在后期制作中进入硅基体内部，再利用扩散吸杂减小所述多晶硅基体内部的金属杂质离子，降低了所述多晶硅基体内部的重金属杂质离子数量，提高了所述多晶硅太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN203451646U

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201320564413.3

申请日：2013-09-11

申请人： 保定天威英利新能源有限公司

发明人： 王晓磊 ,  王涛

IPC分类号： C30B28/06 ,  C30B29/06

摘要： 本实用新型提供了一种铸锭炉及其热交换装置，其中铸锭炉的热交换装置上开设有用于对熔硅导流的熔硅通道。当熔硅泄漏到热交换装置上时，熔硅的流向被熔硅通道导流，熔硅通道与泄漏孔相对应，所以熔硅会被直接导流到泄漏孔中，从而被泄漏检测装置检测到，触发泄漏警报。这样工作人员就可以第一时间得知熔硅泄漏事故的发生，并采取处理措施，将损失降低到最小，避免严重事故的发生。