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公开(公告)号：CN1906746A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200480030957.5
申请日：2004-09-27
申请人： 倒装晶片技术有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/0401 , H01L2224/05567 , H01L2224/10126 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 一种晶片水平CSP(200)包括至少一个来自晶片的单元片(202)。该晶片水平CSP具有多个焊接球焊垫(206)，在每个焊接球焊垫上有一个焊接球(308)，并且每个焊接球被一个聚合物挡圈(310)包围。在制造该晶片水平CSP期间，在位于晶片上的聚合物层(412)的表面上形成一个壕沟(204)。来自聚合物挡圈的暂时液化的残余物(502)从聚合物挡圈流出，这是在将晶片加热到焊接球的回流温度时发生的。该壕沟起材料流动屏障的作用，限制残余物在液化状态下扩散的距离。来自聚合物挡圈的残余物被壕沟限定在一个区域(314)内。全深壕沟完全穿过聚合物层。选择地，部分深度的壕沟(712和912)部分地穿过聚合物层。应当理解，根据37C.E.R及1.72(b)节，摘要并不代表或限制权利要求的范围或意义。
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公开(公告)号：CN1871555A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480030935.9
申请日：2004-09-27
申请人： 倒装晶片技术有限公司
CPC分类号： G03F1/50
摘要： 一种光掩模(1900)，用于使用能够分辨临界尺度或更大的尺寸的曝光工具在芯片级封装(200)的晶片上的光可成像聚合物层(412)中制作部分深度特征结构(712和912)，具有多个铬线(2101－2103)。每条铬线具有小于临界尺度的宽度(2105)，多个铬线的每条铬线相隔小于临界尺度。这多个铬线通过聚合物层的部分厚度制作单个部分深度特征结构，例如通道。作为替代，光掩模具有多个铬圆，每个铬圆具有小于临界尺度的直径，并且相隔小于临界尺度，它制作部分深度特征结构。光掩模还可具有宽度大于临界尺度且相隔大于临界尺度的铬，它穿过聚合物膜的整个厚度制作全深特征结构。部分深度特征结构和全深特征结构基本在单独一系列光成像步骤同时制作。通过选择尺寸、形状和铬之间的距离，光掩模能够在聚合物层上铭刻可辨别的标记，能够改变聚合物层的厚度，能够改变聚合物层表面的光学特性。依照37C.F.R.§1.72(b)，本摘要并非用于解释或限制权利要求的范围和意义。
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公开(公告)号：CN1871555B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200480030935.9
申请日：2004-09-27
申请人： 倒装晶片技术有限公司
CPC分类号： G03F1/50
摘要： 一种光掩模(1900)，用于使用能够分辨临界尺度或更大的尺寸的曝光工具在芯片级封装(200)的晶片上的光可成像聚合物层(412)中制作部分深度特征结构(712和912)，具有多个铬线(2101-2103)。每条铬线具有小于临界尺度的宽度(2105)，多个铬线的每条铬线相隔小于临界尺度。这多个铬线通过聚合物层的部分厚度制作单个部分深度特征结构，例如通道。作为替代，光掩模具有多个铬圆，每个铬圆具有小于临界尺度的直径，并且相隔小于临界尺度，它制作部分深度特征结构。光掩模还可具有宽度大于临界尺度且相隔大于临界尺度的铬，它穿过聚合物膜的整个厚度制作全深特征结构。部分深度特征结构和全深特征结构基本在单独一系列光成像步骤同时制作。通过选择尺寸、形状和铬之间的距离，光掩模能够在聚合物层上铭刻可辨别的标记，能够改变聚合物层的厚度，能够改变聚合物层表面的光学特性。
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