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公开(公告)号：CN102460252A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080026024.4
申请日：2010-06-07
申请人： 光导束公司
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F2203/20 , G02F2203/25
摘要： 通过分别地加偏压于调制装置的所选定的第一区域(例如，多晶硅区域，其被定义为共同节点)，提供了一种表现出改善的调制效率和“线性调频”(例如，时变光学相位)控制的基于硅的光调制器。具体地，该共同节点被偏置以将基于硅的光调制器的电压摆幅转移到其累积区内，这样表现出作为外加电压的函数的相位的较大改变(较大的OMA)和改善的消光比。在累积区中的响应也相对线性，这允许啁啾更加容易控制。电调制输入信号(以及它的反相信号)作为分开的输入被施加到调制器的每个支路的第二区域(例如，SOI区域)。
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公开(公告)号：CN101960345A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880111907.8
申请日：2008-10-08
申请人： 光导束公司
IPC分类号： G02B6/10
CPC分类号： G02F1/0121 , G02F1/2255 , G02F1/2257 , G02F2001/0152
摘要： 一种硅-绝缘体-硅电容(SISCAP)光调制器配置成对以前需要使用相对大的功率消耗和昂贵的铌酸锂器件的应用提供模拟操作。基于MZI的SISCAP调制器(优选地在每个臂上有SISCAP器件的平衡布置)响应于进入的RF电信号，并被偏压到器件的电容实质上恒定且MZI的变换函数是线性的区域中。
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公开(公告)号：CN101896846B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200880120350.4
申请日：2008-12-12
申请人： 光导束公司
摘要： 基于等离子体的蚀刻工艺用于把支持光波导的光学基底的端面具体加工成将提高在波导和自由空间光信号之间的耦合效率的成形面的外形。使用标准光刻技术图案化并蚀刻光学端面的面的能力实际上允许任何需要的面的几何结构被形成-并横过晶片的表面被复制，用于被制作的整组组件。使用适当定义的光刻用掩膜，透镜可蚀刻在端面里面，关于传播的自由空间信号和光波导的参数选择透镜的焦点。可选择地，有角度的面可沿着端面形成，所述角度足以重新指引反射/散射信号远离光轴。
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公开(公告)号：CN102804650A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080025226.7
申请日：2010-06-10
申请人： 光导束公司
CPC分类号： H04B10/801 , H04B10/505 , H04B10/516 , H04B10/524 , H04L7/0008 , H04L7/0075
摘要： 提出了在高速数据应用中使用的光互连装置，它通过利用脉冲幅度调制(PAM)技术来表示光域中的数据，同时利用单独的通道用于传输光时钟信号，消除了在该装置的接收端上对时钟恢复电路的需要，来消除对大批串行化/并行化(SERDES)功能的需要。
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公开(公告)号：CN102047158A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980119394.X
申请日：2009-05-28
申请人： 光导束公司
CPC分类号： G02B6/1228
摘要： 一种光耦合器，其由低折射率材料形成并显示出适于提供(大模场直径的)自由空间光信号和在光基底上形成的单模高折射率波导之间的有效耦合的模场直径。一个实施方式包括与嵌入式(高折射率)纳米锥耦合波导相结合的反谐振反射光波导(ARROW)结构。另一个实施方式利用布置在与高折射率纳米锥耦合波导重叠的配置中的低折射率波导结构。低折射率波导本身包括覆盖在纳米锥耦合波导上的锥形区域，以促进光能量从低折射率波导到相关的单模高折射率波导之间的转移。
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公开(公告)号：CN102804765A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080026038.6
申请日：2010-06-14
申请人： 光导束公司
IPC分类号： H04N7/22
CPC分类号： H04N7/22 , G09G5/006 , G09G2370/12 , G09G2370/18
摘要： 提出了一种HDMI互连装置，它对TMDS音频/视频信号实施脉冲幅度调制(PAM)转换以便在单一光纤上同步传输所有的三个通道。该组三个音频/视频TMDS通道被用作PAM-8光调制器的输入，所述PAM-8光调制器起到将该组三个通道编码到光调制的输出信号的作用。经调制的光信号此后被耦合到有源HDMI线缆内的光纤，并被传输到HDMI接收器(汇聚节点)。TMDS CLK信号没有包括在这个到光域的转换中，而是保留作为分开的电信号沿着有源HDMI线缆内的铜线传输。
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公开(公告)号：CN102187258A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141175.1
申请日：2009-10-14
申请人： 光导束公司
发明人： 布伦顿·A·鲍
CPC分类号： G02B6/4249 , G02B6/3636 , G02B6/3652 , G02B6/3692 , G02B6/423 , G02B6/4292 , G02B6/43
摘要： 一种使光纤阵列(或甚至单个光纤)与硅光子子组件配合的多零件对准和连接装置，使用不断收紧的对准公差来将光纤阵列与光子子组件内形成的波导(或其它设备)的类似阵列对齐。箱形光纤夹持器被形成来包括它的底部内表面中的多个槽，以初始地支撑光纤阵列。以盖的形式的分离的零件与硅光子子组件配合且对齐。该盖形成来包括在它下侧的配准特征部，该配准特征部在接合时刚好放入硅光子子组件的顶表面中形成的对准锁销。该盖也包括在它下侧形成的一些槽，当光纤夹持器滑入盖上方的地方时，这些槽将捕获光纤的顶表面。盖内的槽起作用来紧固光纤阵列的间距和最终控制光纤阵列与组件之间的横向和纵向对准。该组件也形成来包括沿着端面被蚀刻的通道(与基底中的光波导/设备对齐的通道)来与光纤夹持器配合，其中光纤最终在通道内定位，以便与光波导/设备对准。
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公开(公告)号：CN102047158B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200980119394.X
申请日：2009-05-28
申请人： 光导束公司
CPC分类号： G02B6/1228
摘要： 一种光耦合器，其由低折射率材料形成并显示出适于提供(大模场直径的)自由空间光信号和在光基底上形成的单模高折射率波导之间的有效耦合的模场直径。一个实施方式包括与嵌入式(高折射率)纳米锥耦合波导相结合的反谐振反射光波导(ARROW)结构。另一个实施方式利用布置在与高折射率纳米锥耦合波导重叠的配置中的低折射率波导结构。低折射率波导本身包括覆盖在纳米锥耦合波导上的锥形区域，以促进光能量从低折射率波导到相关的单模高折射率波导之间的转移。
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公开(公告)号：CN101960345B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200880111907.8
申请日：2008-10-08
申请人： 光导束公司
IPC分类号： G02B6/10
CPC分类号： G02F1/0121 , G02F1/2255 , G02F1/2257 , G02F2001/0152
摘要： 一种硅-绝缘体-硅电容(SISCAP)光调制器配置成对以前需要使用相对大的功率消耗和昂贵的铌酸锂器件的应用提供模拟操作。基于MZI的SISCAP调制器(优选地在每个臂上有SISCAP器件的平衡布置)响应于进入的RF电信号，并被偏压到器件的电容实质上恒定且MZI的变换函数是线性的区域中。
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公开(公告)号：CN102472868A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036264.2
申请日：2010-08-14
申请人： 光导束公司
CPC分类号： G02F1/0121 , G02F1/2257 , G02F2001/0152 , H04B10/5051 , H04B10/5053 , H04B10/5055 , H04B10/516
摘要： 一种被配置为多段装置的硅基光调制器，所述硅基光调制器利用修改的电数据输入信号格式解决与基于自由载流子色散的调制相关的相位调制非线性问题和衰减问题。所形成的调制器包括M个单独的段，并且数字信号编码器被用来将N位输入数据信号转换成用于M个调制器段的多个M个驱动信号，其中M≥2N/2。还可以调整调制器段的长度以解决非线性问题和衰减问题。可以在调制器的输出端(在组合波导以外)利用附加的相位调整。
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