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公开(公告)号：CN117899640A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410017893.4
申请日：2024-01-05
申请人： 南京晶升装备股份有限公司
摘要： 本发明涉及碳化硅材料晶体镀膜领域，具体涉及一种CVD设备副产物收集装置及方法。所述CVD设备副产物收集装置包括捕集器、收集罐；CVD设备副产物收集方法是通过稳定的流场、热场、供气装置及真空系统完成CVD工艺，采用捕集器、收集罐对副产物进行收集。相较于现有技术，本发明实现了副产物收集从而保证整炉工艺的正常运行，并提升了设备镀膜质量。
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公开(公告)号：CN114411256B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202111672628.2
申请日：2021-12-31
申请人： 南京晶升装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅长晶的加热装置，包括石墨坩埚和套设于石墨坩埚外侧的感应线圈，还包括恒流源，所述恒流源为感应线圈提供恒定电流，所述石墨坩埚底部设置回流石墨排和导电连接杆，所述导电连接杆固定连接于石墨坩埚底部中心，并向下竖直延伸，导电连接杆另一端连接有电机，电机带动驱动导电连接杆转动从而带动石墨坩埚旋转，所述回流石墨排一端与石墨坩埚底部电连接，另一端与导电连接杆侧面电连接。外部线圈通过恒定电流，恒定电流产生恒定磁场，不会加热外部金属结构，可使设备设计制造更为紧凑，降低能耗，消除对电器件的干扰；感应线圈只起到产生恒定磁场的作用，降低了对感应线圈电源的要求。
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公开(公告)号：CN110923803B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201911353449.5
申请日：2019-12-25
申请人： 南京晶升装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体硅材料耗材生长炉及硅材料制备方法。生长炉包括炉体、位于炉体内的隔热屏、加热装置、坩埚。坩埚被可升降的坩埚轴支撑，通过下降坩埚及坩埚轴，通过坩埚轴和下隔热屏的位置配合，造成坩埚底部中心过冷的方式，避免提升加热器或隔热屏的方式，使坩埚上方的热场件产生运动，造成附着的沉积物散落进坩埚，提高了晶体纯度。坩埚底部中心过冷的方式配合多段加热器营造的热场环境，不仅可以维持固液生长界面相对加热器的高度位置不变，保证生长界面处热环境的稳定，还可以形成由固体凸向液体的生长界面，便于结晶过程中排杂，提高晶体纯度。
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公开(公告)号：CN116244770A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211661992.3
申请日：2022-12-23
申请人： 南京晶升装备股份有限公司
IPC分类号： G06F30/10 , H05B3/03 , G06F119/08
摘要： 本发明公开了电阻加热石墨电极设计方法，建立石墨电极的一维导热方程分析方法，同时考虑了石墨电极在工作电流下产生的内部热源的石墨电极导热影响，通过推演分析得到了影响石墨电极热量损失的长度及内外径结构优化参数，优化石墨电极设计，优化热场设计，优化设备能量损失。
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公开(公告)号：CN116240631A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211661869.1
申请日：2022-12-23
申请人： 南京晶升装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种可提高碳化硅传质效率的热场结构，适用于感应加热热场和电阻加热热场中，包括石墨坩埚、坩埚籽晶盘、位于石墨坩埚内的碳化硅原料、保温屏、加热元件，所述石墨坩埚内设有位于碳化硅原料上方的多孔石墨盘，该多孔石墨盘在加热元件(感应线圈或石墨加热器)的作用下，会对流经的碳化硅气相组分起到调节作用。主要是使得粉料上层不会出现絮状晶体；通过多孔石墨盘上开有多个出气的通孔，可以配合不同工艺的需求来调节孔的多少、孔的分布密度，实现对长晶速度的控制，且开孔的结构，可以有效控制碳化硅升华气体的均匀性，使得晶体表面呈现从中心到两端为微凸形态，提高原材料的利用率，减少生产成本，提高效率。
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公开(公告)号：CN116121854A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211661971.1
申请日：2022-12-23
申请人： 南京晶升装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有挥发物沉淀路径的单晶炉，包括内石墨筒、外石墨筒、加热器、保温屏、承载内石墨筒的坩埚托盘及坩埚轴，坩埚轴内设有与坩埚轴同轴延伸的第一沉积管及第二沉积管，所述第一沉积管与坩埚轴的内壁之间具有用以放置软质材料的第一通道；第一沉积管内壁与第二沉积管外壁之间的间隙形成第二通道，坩埚轴外壁设有贯穿坩埚轴内外的抽气孔，该抽气孔与第一通道及第二通道连通本发明通过在坩埚轴内设置第一沉积管及第二沉积管而形成规划的沉积路径，使加热生成的碳化硅挥发物按沉积路径沉积到坩埚轴内下方。本发明可以实时监控指定沉积处的挥发物沉积情况，根据沉积情况调整工艺或决定要不要清理炉内沉积物，避免无效拆机清理。
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公开(公告)号：CN115976635A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211690384.5
申请日：2022-12-28
申请人： 南京晶升装备股份有限公司
IPC分类号： C30B15/28
摘要： 本发明公开一种晶体旋转称重系统，涉及晶体生长技术领域，可以包括：称重传感器，所述称重传感器安装于真空腔室内；旋转装置，所述旋转装置安装于所述称重传感器的下方，且能够与籽晶连接，并带动籽晶旋转；提拉装置，所述提拉装置与所述真空腔室连接，并带动所述真空腔室上下移动。本发明还公开了一种晶体生长炉系统，包括晶体生长炉以及上述的晶体旋转称重系统。本发明能够提高称重部件的测量精度，降低对晶体生长的影响。
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公开(公告)号：CN115094512A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210748691.8
申请日：2022-06-29
申请人： 南京晶升装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体生长的坩埚内可视化装置及方法，该装置包括炉体、坩埚组件、加热器及保温屏；炉体的两侧分别设有相对的CT机与CT成像接收器；所述坩埚组件位于CT机与CT成像接收器之间。通过CT成像，可在长晶过程中观察石墨坩埚内部，让长晶界面易于观察，应用于生产过程中，可便于发现生产过程中的晶体缺陷。
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公开(公告)号：CN114427826A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111676687.7
申请日：2021-12-31
申请人： 南京晶升装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅长晶时晶体厚度及质量的测量系统及方法，测量系统包括石墨盘、电阻检测模块、计算模块和显示模块，石墨盘下方设置籽晶，碳化硅晶体生长在籽晶上，石墨盘上方设置两个导电棒，两个导电棒与石墨盘电连接，电阻检测模块用于实时检测两个导电棒之间的电阻，计算模块用于根据电阻检测模块检测的电阻计算碳化硅晶体的厚度及质量，显示模块用于实时显示计算模块得到的碳化硅晶体的厚度及质量。通过导电棒与石墨盘电连接，并通过实时测量导电棒之间的电阻，将电阻转化为碳化硅晶体生长过程中的厚度及质量，并实时显示，有助于操作人员实时观测碳化硅晶体的生长是否符合要求，在不符合要求时及时调节工艺，无需等待晶体出炉。
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公开(公告)号：CN117888206A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410027172.1
申请日：2024-01-08
申请人： 南京晶升装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于碳化硅长晶炉的旋转轴及长晶炉用坩埚驱动转动装置，旋转轴包括内芯管、套设在内芯管外侧的中管和套设在中管外侧的外管，内芯管、中管和外管之间具有缝隙，内芯管、中管和外管的上端通过定位套固定连接，内芯管、中管和外管的下端面通过锥形接头固定连接，定位套设置若干进水口，进水口与内芯管和中管之间的缝隙连通，外管设置出水口，且出水口与中管和外管之间的缝隙连通；中管下端面设置分流口，内芯管和中管之间的缝隙与中管和外管之间的缝隙通过分流口连通。通过优化水道，将中心通水改为夹层通水，使得主轴冷却均匀。
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