公开(公告)号：CN109346465A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811351628.0

申请日：2018-11-14

申请人： 合肥诺华微电子有限公司

发明人： 顾彦国

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8232

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0615

摘要： 本发明半导体防护器件技术领域，涉及一种低箝位保护器件结构及其制作方法，在第二导电类型外延层内设有将器件分割成三个区域的第一导电类型隔离结构；在第一区域内形成低电容二极管D1，第二区域内形成低电容二极管D2，第三区域内形成放电管TSS，在第一导电类型隔离结构内形成TVS稳压二极管Z1，TVS稳压二极管Z1与放电管TSS并联，且与二极管D2串联，且二极管D2的正极与TVS稳压二极管D1的负极连接，同时接I/O端，二极管Z1的正极与二极管D1的正极均接地；本发明通过增加放电管TSS结构，在不增加器件面积，和工艺成本的基础上，降低了箝位电压，增加了电流能力，进而提高高速数据传输通道端口的ESD能力，保证数据完整性，同时防止耗散功率过高导致烧毁。

公开(公告)号：CN208861983U

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201821871028.2

申请日：2018-11-14

申请人： 合肥诺华微电子有限公司

发明人： 顾彦国

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8232

摘要： 本实用新型半导体防护器件技术领域，涉及一种低箝位保护器件结构，在第二导电类型外延层内设有将器件分割成三个区域的第一导电类型隔离结构；在第一区域内形成低电容二极管D1，第二区域内形成低电容二极管D2，第三区域内形成放电管TSS，在第一导电类型隔离结构内形成TVS稳压二极管Z1，TVS稳压二极管Z1与放电管TSS并联，且与二极管D2串联，且二极管D2的正极与TVS稳压二极管D1的负极连接，同时接I/O端，二极管Z1的正极与二极管D1的正极均接地；本实用新型通过增加放电管TSS结构，在不增加器件面积，和工艺成本的基础上，降低了箝位电压，增加了电流能力，进而提高高速数据传输通道端口的ESD能力，保证数据完整性，同时防止耗散功率过高导致烧毁。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利