公开(公告)号：CN106489210B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201680001961.1

申请日：2016-01-14

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 掛布光泰

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/404 ,  H01L29/8611

摘要： 进一步实现二极管元件的反向恢复耐量的提高。具备：第一导电型的漂移层(1)；第二导电型的阳极区(3)，其设置于漂移层(1)的上部；第二导电型的抽出区(4)，其设置于包围阳极区(3)的位置，且与阳极区(3)接触；以及第二导电型的场限环区(6j)，其设置于漂移层(1)的上部的包围抽出区(4)的位置，且与抽出区(4)相离，其中，抽出区(4)构成为比阳极区(3)和场限环区(6j)深。

公开(公告)号：CN106252385B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201510642881.1

申请日：2015-10-08

申请人： 黄智方

发明人： 黄智方 ,  张庭辅 ,  徐华志 ,  江政毅

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

摘要： 本发明提供一种半导体结构，包含：一基板，具有一第一传导类型的半导体材料；一外延层，设置于基板上，并具有第一传导类型的半导体材料；一主动区，为半导体结构的工作区域；以及一边缘保护区，用以保护该主动区。其中，边缘保护区中的JTE区为第二传导类型的半导体材料；反向掺杂区设置于JTE区中且为第一传导类型的半导体材料；以及反向掺杂区中第一传导类型的半导体材料浓度沿一方向递增。

公开(公告)号：CN106024849B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201610124548.6

申请日：2016-03-04

申请人： 株式会社东芝

发明人： 清水达雄 ,  饭岛良介

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/872

摘要： 本发明的实施方式的半导体装置具备：具备第一面的SiC层；绝缘层；以及SiC层的第一面与绝缘层之间的区域，该区域含有Be(铍)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)之中的至少一个元素，元素的浓度峰的半值全宽为1nm以下，当将在第一面上具有未与SiC层中的Si(硅)或C(碳)之中的任一个键合的键的Si(硅)和C(碳)的面密度设定为第一面密度时，元素的面密度即第二面密度为第一面密度的1/2以下。

公开(公告)号：CN105556669B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201380079660.7

申请日：2013-09-17

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 鹿口直斗 ,  末川英介 ,  池上雅明

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0922 ,  H01L21/8213 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7803

摘要： 本发明涉及一种使用了宽带隙半导体的半导体装置，其具有：第1导电型的第1MOS晶体管(SM)，其第1主电极(D)与第1电位连接，第2主电极(S)与第2电位连接；以及第2导电型的第2 MOS晶体管(LM)，其第1主电极(D)与第1 MOS晶体管的控制电极(G)连接，第2主电极(S)与第2电位连接，第1 MOS晶体管的控制电极与第2 MOS晶体管的控制电极(G)被共通地连接，第1以及第2 MOS晶体管形成于共通的宽带隙半导体衬底之上，第1 MOS晶体管构成为，主电流相对于所述宽带隙半导体衬底的主面而在垂直方向上流动，第2 MOS晶体管构成为，主电流相对于宽带隙半导体衬底的主面而在水平方向上流动。

公开(公告)号：CN109698230A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811229514.9

申请日：2018-10-22

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A.菲利波 ,  M.比纳 ,  M.戴内泽 ,  C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  F.J.桑托斯罗德里格斯 ,  A.韦莱 ,  C.利德兹 ,  C.P.桑道

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/0688

摘要： 一种功率半导体器件（1），包括具有第一导电类型的漂移区（100）的有源单元区（1-2）；至少部分布置在有源单元区（1-2）内的多个IGBT单元（1-1），其中该IGBT单元（1-1）中的每个包括沿着垂直方向（Z）延伸到漂移区（100）中的至少一个沟槽（14、15、16）；包围有源单元区（1-2）的边缘终止区（1-3）；布置在有源单元区（1-2）和边缘终止区（1-3）之间的过渡区（1-5），该过渡区（1-5）具有沿着横向方向（X、Y）从有源单元区（1-2）朝向边缘终止区（1-3）的宽度（W），其中该IGBT单元（1-1）中的至少一些被布置在过渡区（1-5）内或者相应地延伸到过渡区（1-5）中；以及第二导电类型的电浮势垒区（105），其中该电浮势垒区（105）被布置在有源单元区（1-2）内且与IGBT单元（1-1）的沟槽（14、15、16）中的至少一些接触，并且其中该电浮势垒区（105）不会延伸到过渡区（1-5）中。

公开(公告)号：CN109346532A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811125940.8

申请日：2018-09-26

申请人： 深圳市晶相技术有限公司

发明人： 林信南 ,  刘美华 ,  刘岩军

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/328

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66212

摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制作方法。其中，所述制作方法包括在半导体衬底上依次形成缓冲层、势垒层和钝化层；形成第一阳极接触孔；在第一阳极接触孔内和所述钝化层上形成介质层；形成第二阳极接触孔；在所述介质层上和所述第二阳极接触孔内形成第一金属层，图案化所述第一金属层以得到位于阳极区域内的所述第一金属层；图案化所述介质层和所述钝化层以形成阴极接触孔；在所述介质层、所述阳极金属层和所述阴极接触孔内形成第二金属层，图案化所述第二金属层以得到阳极和阴极；形成保护层；图案化所述保护层形成阳极开孔和阴极开孔；最后形成阳极导通金属、阴极导通金属和场板。

公开(公告)号：CN109065602A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810824924.1

申请日：2018-07-25

申请人： 深圳市诚朗科技有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L29/0634

摘要： 本发明涉及一种功率器件的终端结构及其制作方法，所述功率器件包括第一导电类型的第一半导体层，形成于所述第一半导体层内具有第二导电类型的体区的有源区以及形成于所述第一半导体层内的终端结构，所述终端结构包括与所述体区邻接的第二导电类型的结终端扩展区，所述结终端扩展区表面形成有超结结构，所述超结结构包括多个掺杂柱，所述多个掺杂柱包括至少一个第一导电类型的第一掺杂柱以及至少一个第二导电类型的第二掺杂柱，所述第二掺杂柱与所述第一掺杂柱在距离所述体区由近到远的方向上依次交替排列。所述功率器件可以大幅缩小传统结终端扩展区结构的尺寸，进而提升器件性能，降低器件成本。

公开(公告)号：CN103633150B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201310409182.3

申请日：2009-05-19

申请人： 克里公司

发明人： 张清纯 ,  柳盛衡

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861

摘要： 本申请涉及具有电流浪涌能力的结势垒肖特基二极管。一种肖特基二极管，包括：具有第一表面的漂移层，所述第一表面与有源区和基本横向相邻于所述有源区的边缘终止区域相关联，其中所述漂移层主要以第一导电类型的掺杂材料掺杂并且所述边缘终止区域具有从所述第一表面延伸到所述漂移层中的边缘终止凹陷；在所述第一表面的所述有源区上方的肖特基层，用于形成肖特基结，所述肖特基层由能实现低势垒高度的金属形成；形成在所述边缘终止凹陷的底部表面中的边缘终止结构。

公开(公告)号：CN108807512A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710310685.3

申请日：2017-05-05

申请人： 世界先进积体电路股份有限公司

发明人： 林鑫成 ,  胡钰豪 ,  林文新 ,  吴政璁 ,  马洛宜·库马

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/063 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

摘要： 本发明提出一种半导体装置及其形成方法，其中半导体装置包含具有第一导电类型的半导体基底，以及设置于半导体基底内的第一阱，其中第一阱具有与第一导电类型相反的第二导电类型。半导体装置也包含设置于半导体基底内和第一阱下的埋置层，其中埋置层具有第一导电类型且接触第一阱。半导体装置更包含设置于半导体基底上的源极电极、漏极电极和栅极结构，其中栅极结构位于源极电极和漏极电极之间。

公开(公告)号：CN108735822A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710268697.4

申请日：2017-04-23

申请人： 朱江

发明人： 朱江

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/812

摘要： 本发明肖特基半导体装置，在漂移区中设置MIS结构或反型区，形成外接第二电极，通过独立外接电极引入电势，以此调节肖特基势垒结反向偏压下电场，降低肖特基势垒结反向漏电流；对于第二电极，肖特基势垒结正向偏压下，对外接电势不作要求，可以为浮空，可以外接电势，可以保持外接电势为固定值即是保持肖特基势垒结反偏状态下电势大小。本发明肖特基半导体装置通过上述自身多个串连或者与PN结肖特基结整流器件串连，可以实现串连结构的低势垒高反向阻断特性的整流器件。