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公开(公告)号：CN109378356A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811026316.2
申请日：2018-09-04
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/0682 , H01L31/186 , H01L31/1864
摘要： 本发明公开了一种IBC太阳能电池的制备方法，通过在P+发射层上沉积掩膜层、对所述掩膜层进行激光开槽、采用第一溶液对N型硅片进行制绒清洗并腐蚀P+发射层，由于所述第一溶液不腐蚀所述掩膜层，所述P+发射层被腐蚀区域的宽度大于掩膜层激光开槽的宽度，因而在后续离子注入过程中形成的N+背场与P+发射层之间存在间隙，以自动隔离。由N+背场与P+发射层之间自动隔离，因而可以消除IBC电池背面重掺杂的P区和N区形成隧道结产生漏电而影响电池效率。
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公开(公告)号：CN106297176B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610945876.2
申请日：2016-10-26
摘要： 本发明公开了一种线切机主轴报警装置，包括设置在线切机主轴两端的导杆；两端分别固定在导杆上的报警杆；设置在线切机主轴的一端的第一断线检测单元；设置在线切机的控制柜内的继电器单元、PLC、报警单元，继电器单元与第一断线检测单元电气连接；线切机的整体连接一电源负极，报警杆连接电源正极；正常情况下，继电器单元通过常闭触点持续给PLC发送信号；当线切机的线网存在断线时，断线头打至报警杆上，线切机的整体与报警杆形成电路通路，第一断线检测单元发送信号给继电器单元，继电器单元的常闭触点断开，PLC接收不到继电器单元发送的信号，进而控制报警单元进行报警。该装置利用电路通断原理进行报警，报警可靠性更高，且更灵敏。
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公开(公告)号：CN111613688A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910635917.1
申请日：2019-07-15
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本专利提供了一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法，包括N型单晶硅片为基体，所述单晶硅片前表面设置有硼掺杂层，所述单晶硅片前表面硼掺杂层上设置有AL2O3钝化层，在所述单晶硅片前表面AL2O3钝化层上设置有SiNx减反射层；所述单晶硅片背表面场为磷掺杂层，所述单晶硅片背面发射极为硼掺杂层，所述单晶硅片背表面设置有SiO2钝化层，所述单晶硅片背面发射极表面设置有AL2O3钝化层，所述单晶硅片背面场表面设置有SiNx钝化层，电池前表面采用FFE浮动结结构在有效降低表面载流子复合的同时可提供背表面场的宽度比例，降低工艺难度；可有效降低电池正反面的少子复合率，进而提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN110112255A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910355672.7
申请日：2019-04-29
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0352 , H01L31/0236
摘要： 本发明的目的在于公开一种基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的IBC太阳能电池的方法，与现有技术相比，在制作P+发射极及N+背场过程中采用光刻掩膜技术，避免在电池工艺制作过程中引入晶格损伤，从而降低载流子复合速率；采用全绒面设计，可将光反射率达到极限最低化，极大地从光学管理角度优化电池效率；电池前表面的FFE结构与N型硅衬底形成pn结，使N+背场区以上的少子空穴被前发射极收集横向传输至P+发射极以上区域后受空穴浓度梯度影响再被注入至P+发射极，以致被P+发射极收集，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN109686816A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811484034.7
申请日：2018-12-06
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种钝化接触N型太阳电池的制备方法，包括：对基体进行硼扩散，以在所述基体的正面形成发射结，且硼扩散后，所述基体的背面形成有背面硼扩散层，所述发射结上形成有硼硅玻璃层；去除所述背面硼扩散层；在所述基体的背面形成背面氧化层；在所述背面氧化层的与所述基体相背的一侧形成背面多晶硅，同时，所述硼硅玻璃层的与所述基体相背的一侧也绕镀有正面多晶硅；对所述背面多晶硅进行掺杂，得到掺杂层；依次分别去除所述正面多晶硅与所述硼硅玻璃层，且所述正面多晶硅与所述硼硅玻璃层分别利用不同的溶液去除；本发明可降低去除正面多晶硅时对硼硅玻璃层下发射极造成的损伤，起到保护作用，有利于提高太阳电池发电性能。
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公开(公告)号：CN109346541A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811346687.9
申请日：2018-11-13
IPC分类号： H01L31/043 , H01L31/05
CPC分类号： H01L31/043 , H01L31/0504
摘要： 本发明提供了一种叠瓦电池组件与叠瓦电池装置，该叠瓦电池组件，包括至少两个叠瓦电池串，所述至少两个叠瓦电池串沿第一方向依次分布，相邻的两个叠瓦电池串之间沿所述第一方向无间隙。本发明能够充分利用电池串之间的间隙，提高组件的转换效率。
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公开(公告)号：CN110459638A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910486634.5
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0288 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法，它包括N型单晶硅基体，在所述N型单晶硅基体的正面依次设置有前表面P+掺杂层和减反射层，在所述N型单晶硅基体的背面设置有二氧化硅隧穿层，所述二氧化硅隧穿层的背面分别设置有N型多晶硅掺杂层和P型多晶硅掺杂层，所述N型多晶硅掺杂层背面连接有负电极，所述P型多晶硅掺杂层背面连接有正电极；与现有技术相比，通过在前表面采用浮动结(FFE)结构，在前表面形成少子的横向传输通道，降低电池表面少子的复合率，降低了实际制备工艺的难度；在背面采用超薄二氧化硅层和掺杂多晶硅层形成Topcon钝化结构，可降低电池背面少子复合率，提升开路电压，进而提升电池转换效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN111584665A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910650900.3
申请日：2019-07-18
IPC分类号： H01L31/056 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C16/34 , C23C16/455
摘要： 本专利提供了一种适用于薄片化双面电池的背面氮化硅叠层膜的制备方法，其特征在于，在电池背面沉积SiNx薄膜步骤中沉积至少2层SiNx薄膜；所述电池背面沉积的SiNx薄膜是由不同折射率、不同厚度的SiNx薄膜周期性排列形成的叠层膜结构；所述SiNx薄膜的厚度为10-100nm，折射率为1.5-2.2，沉积时间为100-600s。本发明的SiNx叠层膜是采用PECVD方法制备，通过改变SiH4和NH3的流量大小及沉积时间获得不同折射率和不同厚度的SiNx膜层，从而调控其光子带隙中心波长的位置，反射特定波长的光。本发明通过采用背面SiNx叠层膜形式，增加背面长波光的反射率，有效提升了光吸收率，对短路电流有明显的增益，提高了电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN110289322A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910486175.0
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/0224 , B41F15/36
摘要： 本发明的目的在于公开一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层，DP3图形层叠印在DP1图形层和DP2图形层上；与现有技术相比，DP1图形层和DP2图形层采用圆点式副栅线，有效地降低了金属电极与硅基体的接触面积，从而降低金属电极的金属复合，制备金属电极时分别采用匹配P+和N+掺杂特性的接触型浆料，有效地降低了接触电阻；DP3图形层采用直通式副栅线，制备电极时采用导电性好的非接触型浆料，既防止金属电极与硅基体接触，极大地降低电极的金属复合，又将圆点式副栅线连通，有效地收集、传输电池产生的电流，有效地提高了IBC太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN109103298A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810952110.6
申请日：2018-08-21
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于自对准工艺的IBC太阳能电池的制备方法，通过去除覆盖在开槽的垂直表面的制绒掩膜层，并在将硅片进行制绒清洗的同时去除覆盖在开槽的垂直表面的P+发射层，使N+背表面场与位于开槽底部水平面的P+发射层实现自动对准隔离，降低了隧道结的漏电。由于N+背表面场与位于开槽底部水平面的P+发射层能够实现自动对准，因而降低了工艺对准精度要求，且省去了掩膜和光刻等复杂的高成本工艺，简化工艺流程。相对于专门制备发射结和背场的分离工艺,本发明的分离区域宽度小于10um,对电池效率影响较小，有利于电池效率的提升。
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