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公开(公告)号：CN110112255A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910355672.7
申请日：2019-04-29
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0352 , H01L31/0236
摘要： 本发明的目的在于公开一种基于光刻掩膜法制备N型FFE结构的IBC太阳能电池的方法，与现有技术相比，在制作P+发射极及N+背场过程中采用光刻掩膜技术，避免在电池工艺制作过程中引入晶格损伤，从而降低载流子复合速率；采用全绒面设计，可将光反射率达到极限最低化，极大地从光学管理角度优化电池效率；电池前表面的FFE结构与N型硅衬底形成pn结，使N+背场区以上的少子空穴被前发射极收集横向传输至P+发射极以上区域后受空穴浓度梯度影响再被注入至P+发射极，以致被P+发射极收集，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110289322A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910486175.0
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/0224 , B41F15/36
摘要： 本发明的目的在于公开一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构，它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层，DP3图形层叠印在DP1图形层和DP2图形层上；与现有技术相比，DP1图形层和DP2图形层采用圆点式副栅线，有效地降低了金属电极与硅基体的接触面积，从而降低金属电极的金属复合，制备金属电极时分别采用匹配P+和N+掺杂特性的接触型浆料，有效地降低了接触电阻；DP3图形层采用直通式副栅线，制备电极时采用导电性好的非接触型浆料，既防止金属电极与硅基体接触，极大地降低电极的金属复合，又将圆点式副栅线连通，有效地收集、传输电池产生的电流，有效地提高了IBC太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN109545901A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811469286.2
申请日：2018-11-28
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1868
摘要： 本发明提供了一种背结IBC电池的制作方法，包括：在基体的背面生长隧穿氧化层；形成第一掺杂层与第二掺杂层；所述第一掺杂层设于所述隧穿氧化层的与所述基体相背的一侧，所述第二掺杂层形成于所述基体的背面，且对位于贯穿所述隧穿氧化层的通槽；所述第一掺杂层上形成有第一背面钝化层，所述第二掺杂层上形成有第二背面钝化层；形成与所述第一掺杂层欧姆连接的第一金属电极，形成与所述第二掺杂层欧姆连接的第二金属电极。利用本发明所制作的IBC电池可具有更高的开路电压，进而可有利于实现较高的转换效率。
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公开(公告)号：CN111613688A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910635917.1
申请日：2019-07-15
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本专利提供了一种叉指型背接触太阳电池结构及其制造方法，包括N型单晶硅片为基体，所述单晶硅片前表面设置有硼掺杂层，所述单晶硅片前表面硼掺杂层上设置有AL2O3钝化层，在所述单晶硅片前表面AL2O3钝化层上设置有SiNx减反射层；所述单晶硅片背表面场为磷掺杂层，所述单晶硅片背面发射极为硼掺杂层，所述单晶硅片背表面设置有SiO2钝化层，所述单晶硅片背面发射极表面设置有AL2O3钝化层，所述单晶硅片背面场表面设置有SiNx钝化层，电池前表面采用FFE浮动结结构在有效降低表面载流子复合的同时可提供背表面场的宽度比例，降低工艺难度；可有效降低电池正反面的少子复合率，进而提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN110299416A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910486159.1
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种太阳能电池的掺杂层表面钝化层结构及其制备方法，它包括硅片基体、掺杂层和钝化层，在所述硅片基体表面进行N+/P+掺杂形成掺杂层，所述掺杂层位于所述硅片基体之上，所述钝化层位于所述掺杂层表面；与现有技术相比，利用扩散掺杂过程生长的SiOx：P或SiOx：B作为太阳能电池掺杂层的表面钝化层，不需要额外的工序来实现掺杂层表面钝化层生长，简化太阳能电池制备工艺流程，且掺杂层和其表面的钝化层在扩散过程中一次完成，解决了外界环境对掺杂层表面钝化质量的影响问题，提高太阳能电池产品品质的稳定性，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110112239A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910218181.8
申请日：2019-03-21
IPC分类号： H01L31/0443 , H01L31/05
摘要： 本发明的目的在于公开一种降低太阳能电池组件功率损耗的方法，与现有技术相比，通过减少电池串中的太阳能电池片数和增加旁路二极管的数量，尽可能减少被旁路掉的电池串数目从而保证没有被遮盖的电池片也正常发电，有效地降低了光伏组件的功率损耗，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN110459638A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910486634.5
申请日：2019-06-05
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0288 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种Topcon钝化的IBC电池及其制备方法，它包括N型单晶硅基体，在所述N型单晶硅基体的正面依次设置有前表面P+掺杂层和减反射层，在所述N型单晶硅基体的背面设置有二氧化硅隧穿层，所述二氧化硅隧穿层的背面分别设置有N型多晶硅掺杂层和P型多晶硅掺杂层，所述N型多晶硅掺杂层背面连接有负电极，所述P型多晶硅掺杂层背面连接有正电极；与现有技术相比，通过在前表面采用浮动结(FFE)结构，在前表面形成少子的横向传输通道，降低电池表面少子的复合率，降低了实际制备工艺的难度；在背面采用超薄二氧化硅层和掺杂多晶硅层形成Topcon钝化结构，可降低电池背面少子复合率，提升开路电压，进而提升电池转换效率，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN112054085A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910492037.3
申请日：2019-06-06
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种高效IBC电池结构及其制备方法，它包括N型单晶硅基体，在N型单晶硅基体的正面依次设置有前表面N+掺杂层和减反射层，在N型单晶硅基体的背面设置有背表面N+掺杂层和背表面P+掺杂层，背表面N+掺杂层和背表面P+掺杂层的背面分别设置有第一背表面钝化层和第二背表面钝化层，第一背表面钝化层背面连接有负电极，第二背表面钝化层背面连接有正电极，在背表面P+掺杂层中设置有P++掺杂区；与现有技术相比，通过在正电极接触的正上方P型区表面离子注入硼，其余P型区域低掺杂硼，形成选择性发射极，可以有效降低P型发射极区域中的少子复合率，同时降低靠近正电极的发射极区域中的串联电阻，从而提升电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN112054066A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910490815.5
申请日：2019-06-06
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
摘要： 本专利提供了一种发射极局部高掺杂的IBC电池，其特征在于，包括N型单晶硅基体(1)，前表面N+掺杂层(2)，减反射层(3)，背表面N+掺杂层(4)，背表面钝化层(5)，背表面P+掺杂层(6)，P++掺杂区(7)，背表面钝化层(8)，正电极(9)，负电极(10)，所述P++掺杂区(7)位于所述背表面钝化层(8)中靠近所述正电极(9)的区域，所述背表面P+掺杂层(6)与所述背表面钝化层(8)呈叉指状排列，所述正电极(9)与所述背表面钝化层(8)连接，所述负电极(10)与所述背表面钝化层(5)连接。本发明涉及IBC电池发射极区域两次分步扩散，第一步低掺杂，降低暗饱和电流和少子复合率，第二步高掺杂，降低被正电极收集路径中的串联电阻，进一步提升IBC电池效率。
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公开(公告)号：CN111477713A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911006563.0
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/05
摘要： 本发明的目的在于公开一种用于IBC光伏组件的焊带，包括基材和覆于所述基材表面的涂层，所述基材上设有应力缓冲槽，所述应力缓冲槽分布在基材的长度方向上和宽度方向上；与现有技术相比，涂层采用Sn、Bi和Pb这三种材料，熔点为160-180℃，可以实现低温焊接并且具有良好的拉力，解决IBC电池的绝缘浆料不耐高温的问题；基材上含有应力缓冲槽，再加上低温焊接，可以有效减小IBC电池焊接时应力集中易裂片的问题；采用真空蒸镀的方法镀涂层，成膜速度快、质量高、厚度可以精准控制，实现本发明的目的。
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