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公开(公告)号：CN109313020B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201680086023.6
申请日：2016-09-14
申请人： 微-埃普西龙测量技术有限两合公司
IPC分类号： G01B21/14 , G01B21/20 , G01B11/12 , G01B11/24 , G01N21/954
摘要： 本发明涉及用于测量孔、钻孔和通道的内壁几何形状的装置，这些孔、钻孔和通道可选地是沉头的且特别是用于工件的螺纹、销和铆钉连接，所述装置包括至少一个光学传感器，该光学传感器朝向内壁测量，并且能够被引入钻孔中以及通过进给/转动单元转动，其中，辅助件设置有通道且搁置在工件的表面上，所述传感器通过该通道进入沉头部和/或孔中。该装置的特征在于，辅助件的内壁设置有结构，且传感器在穿过辅助件时扫描所述结构。本发明还涉及对应的方法。
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公开(公告)号：CN110291720A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201780086289.5
申请日：2017-12-07
申请人： 微-埃普西龙测量技术有限两合公司
发明人： H·哈斯
摘要： 本发明涉及一种用于将测量信号线性化的线性化电路，其中该线性化电路具有用于输入测量信号(Ud)的输入和用于输出经线性化的输出信号的输出。线性化电路包括参考组件、充电和放电控制器(7)以及比较器电路(10)。参考组件对电流或电压具有非线性依赖性，并且优选地由线圈(L)或电容器(C)形成。充电和放电控制器(7)被设计成用于控制参考组件的交变充电和放电。跨参考组件的电压或从流过参考组件的电流获得的电压形成参考信号(Uc)或参考信号(Uc)的交变分量。充电和放电以这样的方式被控制，使得参考信号(Uc)具有基本周期性的曲线。参考信号(Uc)和测量信号(Ud)被输入到比较器电路(10)，该比较器电路(10)包括第一输入(11)、第二输入(12)和输出；具体而言，参考信号(Uc)被输入到第一输入(11)，而测量信号(Ud)被输入到第二输入(12)。比较器电路(10)被设计成基于充电放电循环期间的参考时间点以及参考信号(Uc)与测量信号(Ud)的比较结果生成并在该比较器电路(10)的输出处输出方波信号(Ua)，使得该方波信号表示经线性化的输出信号。本发明进一步涉及相应的方法。
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公开(公告)号：CN105705905B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201480059316.6
申请日：2014-08-28
申请人： 微-埃普西龙测量技术有限两合公司
CPC分类号： G01B11/06 , G01B11/14 , G01B21/042 , G01B21/045 , G01B21/08 , G01B2210/44
摘要： 一种用于测量测量物体的厚度的方法，其中至少一个传感器从顶部对着所述物体进行测量，而至少一个其他传感器从底部对着所述物体进行测量，并且以传感器彼此的已知距离，根据公式D＝Gap‑(S1+S2)计算所述物体的厚度，其中D＝所述测量物体的厚度，Gap＝传感器之间的距离，S1＝顶部传感器至所述测量物体的上面的距离，而S2＝低部传感器至所述测量物体的下面的距离，所述方法的特征在于补偿由所述测量物体的倾斜和/或由所述传感器的位移和/或由所述传感器的倾斜造成的测量误差，其中所述位移和/或所述倾斜是通过校准来确定的，且所计算出的厚度或者所计算出的厚度轮廓被相应地校正。本发明还涉及用于应用所述方法的设备。
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公开(公告)号：CN109791046A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201880003195.1
申请日：2018-08-14
申请人： 微-埃普西龙测量技术有限两合公司
IPC分类号： G01B15/02
CPC分类号： G01B15/02
摘要： 本发明涉及一种用于确定导电基板上的介电层的厚度的测量设备。该设备包括用于电磁场的谐振腔，该谐振腔具有旋转对称壁、端板和敞开端，并且适于被定位成使敞开端在介电层上。该设备还包括：天线，该天线适于在谐振腔中激发电磁场；反射测量单元，该反射测量单元用于确定电磁场的至少一种特性；以及评估电路，该评估电路用于根据电磁场的至少一种特性确定介电层的厚度。旋转对称壁的直径在谐振腔的纵向方向上变化。
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公开(公告)号：CN105992929B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201480064945.8
申请日：2014-11-12
申请人： 微-埃普西龙测量技术有限两合公司
摘要： 描述了一种用于非接触式光学测距的装置，其包括：多色光源(3)、光分析单元(4)和测量头(5)，其中，测量头(5)包括光圈孔(6)和具有轴向色像差的光学透镜系统(12)。所述光学透镜系统(12)包括第一折射透镜(1)和第二折射透镜(2)，其中，折射透镜(1、2)中的至少一个具有至少一个非球面透镜表面(11)，并且第一折射透镜(1)和/或第二折射透镜(2)具有阿贝数为20≤νd≤41的光学材料。所述光学透镜系统(12)具有这样的轴向色像差，使得等于波长在450nm至700nm之间的光学透镜系统(12)的轴向焦点位移的测量范围(MR)在(包含)0.2mm至(包含)10mm之间。
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公开(公告)号：CN102914252B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210275818.5
申请日：2012-08-03
申请人： 微-埃普西龙测量技术有限两合公司
CPC分类号： G01D5/20 , G01D11/245 , H01F2038/143
摘要： 一种传感器，其具有一层或多层非接触式工作的传感器元件和包括电气/电子连接端子以及可能的电子部件的外壳，其中传感器元件包括线圈装置，该线圈装置的每一层的绕组具有已定义的线宽度、线厚度和线间距并且该线圈装置的各个层具有已定义的层厚度和可能的层间距，其特征在于，传感器元件在多层陶瓷的意义下由陶瓷层构成，并且与传统的线圈装置相比减小了线宽度和增加了每横截面面积的匝数。
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公开(公告)号：CN102835031B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180018533.7
申请日：2011-03-03
申请人： 微-埃普西龙测量技术有限两合公司
IPC分类号： H03K17/95
CPC分类号： H03K17/9505 , H03K2217/954
摘要： 一种传感器，其由限定量度侧和连接侧的外壳、设置在所述外壳（1）的量度侧内的线圈（6）及用来闭合所述外壳的量度侧的封件（14）组成。所述外壳（1）由铁磁材料制造，所述铁磁材料尤其是铁磁钢。所述线圈（6）在所述外壳内靠近所述封件（14）或直接地在所述封件（14）上来定位且固定。
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公开(公告)号：CN102257362B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN200980151573.1
申请日：2009-11-17
申请人： 微-埃普西龙测量技术有限两合公司
发明人： V·蒙德尼科夫
IPC分类号： G01D5/20
CPC分类号： G01D5/2033
摘要： 一种相对于传感器确定测量物体位置和/或位置变化的传感器配置，其中磁体(7)被分配给测量物体，该配置相对操作可靠的传感器来说制作成本较低，这样，所述传感器(1)具有第一导体(2)和与第一导体(2)并排配置的第二导体(3)，并且在第一导体和第二导体(2、3)的影响范围中配置软磁性膜(5、6)，所述软磁性膜的磁导率在磁场影响下产生变化并且影响第一导体和第二导体(2、3)之间的电磁耦合。本发明还涉及相关的方法。
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公开(公告)号：CN103547896A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280022419.6
申请日：2012-03-16
申请人： 微-埃普西龙测量技术有限两合公司
CPC分类号： G01K1/20 , F16D2066/001 , G01K7/36 , G01K13/08
摘要： 一种以非接触方式工作的涡流传感器，用于导电性测量对象或元件的温度测量，其中，所述测量独立于传感器和测量对象/元件之间的距离，其特征在于，优选地在传感器的测量线圈的位置确定传感器的内在温度，且其中补偿了由于测量对象或元件的温度测量所引起的对传感器的内在温度的影响或者传感器中的温度梯度的影响。一种系统包括相应的传感器和导电测量对象。一种方法利用了相应的传感器来对测量对象或元件进行温度测量。
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