使用电容器的振动及动态加速度感测

    公开(公告)号:CN104677484B

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN201410426204.1

    申请日:2014-08-26

    发明人: 凯·格斯纳

    摘要: 本发明涉及使用电容器的振动及动态加速度感测,其中所述控制器经配置以从所述至少一个感测电容器接收指示所述感测电容器的电荷改变的信号,且其中所述控制器经配置以基于所述至少一个感测电容器的所述电荷改变而确定施加到所述感测电容器的力的量、所述感测电容器的加速度、所述感测电容器的扭矩、所述感测电容器的振动或施加到所述感测电容器的拉力。

    混合闭环/开环磁电流传感器

    公开(公告)号:CN104345204B

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201410386478.2

    申请日:2014-08-07

    IPC分类号: G01R19/00

    摘要: 本申请案涉及混合闭环/开环磁电流传感器。本发明呈现具有闭环及开环电路的混合磁电流传感器与感测设备(2),所述闭环及开环电路采用第一及第二集成磁传感器(10、20)来感测磁芯结构间隙中的磁场以在标称电流范围中经由具有所述第一传感器(10)的闭环磁路提供高准确度电流测量以及在经扩展第二范围中使用所述第二传感器(20)提供开环电流测量,从而适应主机系统中的过电流条件以及提供冗余电流感测功能性。

    集成电路及具有经改进ASK解调的应答器电路

    公开(公告)号:CN109101849A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810212676.5

    申请日:2018-03-15

    IPC分类号: G06K7/10 H04L27/06

    摘要: 本发明大体上涉及集成电路及具有经改进ask解调的应答器电路。揭示的实例包含RF应答器电路(100),其具有:信号输入节点(106、108);整流器电路(110),其具有功率晶体管及电流镜电路(131)以生成整流器镜电流信号(k1*Ichg);限制器电路(109),其具有限制器晶体管及电流镜电路(132)以生成限制器镜电流信号(k2*Ilim);及解调器电路(130),其根据所述整流器及限制器镜电流信号(k1*Ichg、k2*Ilim)解调在所述信号输入节点(106、108)处接收到的移幅键控ASK RF信号(LFa、LFb),以生成表示在所述RF信号(LFa、LFb)中存在或缺少阈值量的能量的二进制解调器数据信号(DEMOD DATA)。

    DC/DC转换器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107306086A

    公开(公告)日:2017-10-31

    申请号:CN201710257211.7

    申请日:2017-04-19

    IPC分类号: H02M3/155

    摘要: DC/DC电压转换器(600)包含用于接收DC电压的转换器输入。第一开关(Q5)耦合于所述输入与第一节点(N1)之间。第二开关(Q6)耦合于所述第一节点(N1)与接地之间。电感器(L2)耦合于所述第一节点(N1)与转换器输出之间。电容器(COUT)耦合于所述转换器输出与接地之间。输出电压合成器(602)耦合到所述转换器输入及所述转换器输出以对所述第一节点(N1)处的电压进行合成,且响应于所述转换器输入及所述转换器输出处的电压而为所述第一开关(Q5)及所述第二开关(Q6)中的至少一者产生控制信号。

    在RF收发器中使用环回校准的发射功率的精确测量

    公开(公告)号:CN106877943A

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201611025671.9

    申请日:2016-11-16

    IPC分类号: H04B17/10 H04B17/14

    摘要: 本发明涉及在RF收发器中使用环回校准的发射功率的精确测量。RF或其它高频率收发器(10)包含用于测量绝对功率电平的环回参考信道(30)。所述收发器中的发射信道包含:可编程功率放大器(18),其可经控制而以所选择的功率电平进行操作;且接收信道包含接收放大器(22)、混合器(24I、24Q)、滤波器(26I、26Q)、及模/数转换器(28I、28Q)。所述环回参考信道包含自偏压放大器(35)、其后接着从接收到的信号产生方波的一系列缓冲器(36)、及将衰减增益施加于所述方波的衰减器(38)。可根据如由所述接收信道接收到的发射信号的经测量的功率电平与使用所述环回参考信道发射的信号的经测量的功率电平的比率来计算经编程的功率电平下的发射功率。

    用于LCD系统的可编程电平移位器

    公开(公告)号:CN105304035A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510319291.5

    申请日:2015-06-11

    IPC分类号: G09G3/36

    摘要: 本发明涉及一种用于LCD系统的可编程电平移位器。可编程电平移位器(300)用于基于从时序控制器接收到的逻辑电平控制信号将经上移控制信号提供到有源矩阵显示器。所述可编程电平移位器(300)包含可编程状态机(310、320、330)、电平移位输出驱动器(340)及编程接口(350)。所述可编程状态机(310、320、330)经配置以从时序控制器接收至少一控制信号。所述状态机(310、320、330)基于所述至少一控制信号产生用于驱动所述有源矩阵显示器的栅极驱动器的多个输出。所述电平移位输出驱动器(340)将由所述可编程状态机(310、320、330)产生的所述多个输出转换为更高量值的电压电平。所述编程接口(350)便于编程所述可编程状态机(310、320、330)的各方面。

    具有实质栅极封闭内电极MOSFET开关的电路的可配置模拟前端

    公开(公告)号:CN104821310A

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201510048399.5

    申请日:2015-01-30

    IPC分类号: H01L23/58 H01L23/525

    CPC分类号: H03K19/09407

    摘要: 本申请案涉及具有实质栅极封闭内电极MOSFET开关的电路的可配置模拟前端。一种可配置集成电路IC(200)包含具有半导体表面(103)的衬底,所述IC形成所述半导体表面内部和上面。所述IC(200)包含:可配置模拟前端cAFE,其包含至少一个电路模块(210)或输入/输出IO(235);模拟开关(2601),其具有至少一个第一实质栅极封闭金属氧化物半导体场效应晶体管SGEFET,所述第一SGEFET具有在栅极电介质上包含栅极的栅极堆叠、源极及漏极。所述漏极或所述源极为相对于所述栅极的实质栅极封闭SGE内电极,且所述源极及所述漏极中的另一者在所述栅极外。所述第一SGEFET的所述内电极直接耦合到模拟总线(247)。开关控件(271)提供控制信号到所述第一SGEFET的至少所述栅极用于控制所述电路模块(210)及/或所述IO(235)与所述模拟总线(247)之间的连接性。

    用于LED驱动的LLC转换器上的初级侧电流调节

    公开(公告)号:CN104734514A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201410769355.7

    申请日:2014-12-12

    IPC分类号: H02M3/335 H05B37/02

    摘要: 本申请案涉及用于LED驱动的LLC转换器上的初级侧电流调节。一种LLC转换器(200),其具有:桥接电路(210),其耦合到输入电压(220),具有至少一对电源开关(230、240);谐振网络,其耦合到所述桥接电路且由所述至少一对电源开关驱动;输出变压器(270),其耦合到所述谐振网络;所述变压器具有第一和第二初级侧绕组(271、272)和至少一次级侧绕组(273);电流感测变压器(300),其在初级侧上串联耦合到所述谐振网络和所述第一初级绕组;积分器电路(280),其并联耦合到所述第二初级侧绕组且并联耦合到所述电流感测变压器的次级侧绕组;整流电路(290),其耦合到所述第二初级侧绕组;和频率调整控制器(310),其耦合到至少一对电源开关和所述电流感测变压器和所述积分器电路。